-
公开(公告)号：CN101517132A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200780034208.3
申请日：2007-08-22
Applicant: 本田技研工业株式会社
CPC classification number: C25D17/02 , C25D17/008 , C25D21/10 , G01R33/063 , G01R33/18 , H01F41/24
Abstract: 提供一种可以对轴状构件的表面高速施加具有均一厚度和均一组分的磁性合金镀膜的镀膜装置。镀膜装置(1)具有积存镀膜液(2)的镀膜槽(3)，是以浸渍在镀膜液中的轴状构件(5)为阴极对该轴状构件(5)施以磁性合金镀膜的镀膜装置。镀膜装置(1)具有：以轴状构件(5)为旋转轴进行旋转的旋转机构(6)；安装在轴状构件(5)的外周面上的环状的遮蔽夹具(13)、(14)、(15)；具有镀膜液喷口(27)的镀膜液喷嘴(11)，该镀膜液喷口(27)避开所述遮蔽夹具(13)、(14)、(15)并与轴状构件(5)相对配置；设置在轴状构件(5)和镀膜液喷嘴(9)周围的阳极(10)。
-
公开(公告)号：CN1959359A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610164628.0
申请日：2006-10-20
Applicant: 本田技研工业株式会社
CPC classification number: G01L3/102 , G01L3/103 , G01L3/105 , Y10T29/49004 , Y10T29/4902 , Y10T29/4906 , Y10T29/49073 , Y10T29/49075 , Y10T29/49103
Abstract: 一种制造具有低不均匀性灵敏度特性的磁致伸缩转矩传感器的方法。首先测量转矩传感器(10)的旋转轴(11)中的残余奥氏体含量。磁性薄膜在热处理条件下承受热处理，对于每个测量到的残余奥氏体含量来说，该热处理条件不同，并且赋予磁各向异性。
-
公开(公告)号：CN1945247A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610143154.1
申请日：2006-10-08
Applicant: 本田技研工业株式会社
CPC classification number: H01L41/125 , G01L3/102 , G01L3/105
Abstract: 本发明提供一种磁致伸缩扭矩传感器(10)，其包括：通过施加的扭矩而旋转的旋转轴(11)，在至少一个位置上环绕该旋转轴表面的整个周边形成的磁致伸缩薄膜(14A、14B)，用于感应该磁致伸缩薄膜的阻抗变化的传感线圈(13A、13B)，以及用于在基于与从该传感线圈输出的阻抗变化有关的信号的基础上计算施加于该旋转轴的扭矩的扭矩计算单元(17)。在该磁致伸缩扭矩传感器(10)中，设置该旋转轴的轴向上磁致伸缩薄膜(14A、14B)的宽度(W1)和该旋转轴的轴向上传感线圈的宽度(W2)，以便满足关系式1＜(W1/W2)＜1.35。
-
公开(公告)号：CN1959359B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200610164628.0
申请日：2006-10-20
Applicant: 本田技研工业株式会社
CPC classification number: G01L3/102 , G01L3/103 , G01L3/105 , Y10T29/49004 , Y10T29/4902 , Y10T29/4906 , Y10T29/49073 , Y10T29/49075 , Y10T29/49103
Abstract: 一种制造具有低不均匀性灵敏度特性的磁致伸缩转矩传感器的方法。首先测量转矩传感器(10)的旋转轴(11)中的残余奥氏体含量。磁性薄膜在热处理条件下承受热处理，对于每个测量到的残余奥氏体含量来说，该热处理条件不同，并且赋予磁各向异性。
-
公开(公告)号：CN1952637B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200610163573.1
申请日：2006-10-08
Applicant: 本田技研工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁致伸缩扭矩传感器(10)以及具有该传感器的电动转向设备。所述传感器包括形成在旋转轴(11)表面的整个周向外周上的第一、第二和第三磁致伸缩薄膜(14A，14B，14C)。该第一、第二和第三磁致伸缩薄膜分别设有感测阻抗变化的第一、第二和第三传感线圈(13A，13B，13C)。根据从该第一至第三传感线圈输出的阻抗变化的信号被输入到扭矩计算单元(17)。扭矩计算单元(17)基于来自该第一传感线圈的输出信号和来自第二传感线圈的输出信号而计算施加于旋转轴的扭矩。此外，故障检测器(18)比较来自该第一至第三传感线圈的输出信号，并且检测该第一磁致伸缩薄膜或第二磁致伸缩薄膜中的故障。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1940516B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200610154312.3
申请日：2006-09-20
Applicant: 本田技研工业株式会社
IPC: G01L3/10
Abstract: 一种磁致伸缩式转矩传感器的制造方法，其具有：在磁致伸缩式转矩传感器(10)的旋转轴(11)上形成磁致伸缩膜(14A、14B)的形成磁致伸缩膜工序(P1)和向在该形成磁致伸缩膜工序(P1)中形成的所述磁致伸缩膜(14A、14B)附加磁各向异性的附加磁各向异性工序(P2)，且具有把旋转轴(11)进行退磁的退磁工序(P32)。退磁工序(P32)被设置在形成磁致伸缩膜工序(P1)后的任一阶段，是把旋转轴(11)上产生的剩磁(MS、MK)进行初始化的工序。
-
公开(公告)号：CN1940516A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610154312.3
申请日：2006-09-20
Applicant: 本田技研工业株式会社
IPC: G01L3/10
Abstract: 一种磁致伸缩式转矩传感器的制造方法，其具有：在磁致伸缩式转矩传感器(10)的旋转轴(11)上形成磁致伸缩膜(14A、14B)的形成磁致伸缩膜工序(P1)和向在该形成磁致伸缩膜工序(P1)中形成的所述磁致伸缩膜(14A、14B)附加磁各向异性的附加磁各向异性工序(P2)，且具有把旋转轴(11)进行退磁的退磁工序(P32)。退磁工序(P32)被设置在形成磁致伸缩膜工序(P1)后的任一阶段，是把旋转轴(11)上产生的剩磁(MS、MK)进行初始化的工序。
-
公开(公告)号：CN101517132B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200780034208.3
申请日：2007-08-22
Applicant: 本田技研工业株式会社
CPC classification number: C25D17/02 , C25D17/008 , C25D21/10 , G01R33/063 , G01R33/18 , H01F41/24
Abstract: 提供一种可以对轴状构件的表面高速施加具有均一厚度和均一组分的磁性合金镀膜的镀膜装置。镀膜装置(1)具有积存镀膜液(2)的镀膜槽(3)，是以浸渍在镀膜液中的轴状构件(5)为阴极对该轴状构件(5)施以磁性合金镀膜的镀膜装置。镀膜装置(1)具有：以轴状构件(5)为旋转轴进行旋转的旋转机构(6)；安装在轴状构件(5)的外周面上的环状的遮蔽夹具(13)、(14)、(15)；具有镀膜液喷口(26)的镀膜液喷嘴(9)，该镀膜液喷口(26)避开所述遮蔽夹具(13)、(14)、(15)并与轴状构件(5)相对配置；设置在轴状构件(5)和镀膜液喷嘴(9)周围的阳极(10)。
-
公开(公告)号：CN101329209B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200810110258.1
申请日：2008-06-23
Applicant: 本田技研工业株式会社
Abstract: 本发明公开一种磁致伸缩扭矩传感器(10)，其包括用于根据输入扭矩旋转并且具有磁致伸缩膜(14A)和(14B)的旋转轴(11)、将交变磁场(31)施加于磁致伸缩膜上的励磁线圈(12)、以及各自检测相关联的一个磁致伸缩膜的磁特性变化的检测线圈(13A)和(13B)，其中由偏压电源(17)将偏置磁场添加到交变磁场，以满足以下条件：Hm＜Hin＜Hn；且-Hm＞-Hin＞-Hn，其中Hm(＞0)是对应于根据磁致伸缩膜磁滞曲线获得的最大导磁率处的施加磁场，示出了由交变磁场引起的磁化，Hn(＞0)是对应于不连续磁化范围端点处的施加磁场，Hin(＞0)是确定灵敏度范围的施加磁场，该灵敏度范围设定在表征磁致伸缩膜磁致伸缩灵敏度的磁致伸缩灵敏度曲线上。
-
公开(公告)号：CN101329209A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810110258.1
申请日：2008-06-23
Applicant: 本田技研工业株式会社
Abstract: 本发明公开一种磁致伸缩扭矩传感器(10)，其包括用于根据输入扭矩旋转并且具有磁致伸缩膜(14A)和(14B)的旋转轴(11)、将交变磁场(31)施加于磁致伸缩膜上的励磁线圈(12)、以及各自检测相关联的一个磁致伸缩膜的磁特性变化的检测线圈(13A)和(13B)，其中由偏压电源(17)将偏置磁场添加到交变磁场，以满足以下条件：Hm＜Hin＜Hn；且－Hm＞－Hin＞－Hn，其中Hm(＞0)是对应于根据磁致伸缩膜磁滞曲线获得的最大导磁率处的施加磁场，示出了由交变磁场引起的磁化，Hn(＞0)是对应于不连续磁化范围端点处的施加磁场，Hin(＞0)是确定灵敏度范围的施加磁场，该灵敏度范围设定在表征磁致伸缩膜磁致伸缩灵敏度的磁致伸缩灵敏度曲线上。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.027 seconds)
