公开(公告)号：CN119356042B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411918679.2

申请日：2024-12-25

Applicant: 材料科学姑苏实验室

Inventor： 黄永丹 ,  方寒冰 ,  胡友德 ,  王新朋 ,  童祎 ,  周大勇 ,  王晖

IPC: G03F7/20

Abstract: 本申请涉及一种基于聚焦离子束‑扫描电子显微镜双束系统的纳米光刻方法，涉及刻蚀工艺技术领域，方法包括：提供衬底；在衬底上形成胶层；在胶层上形成导体层；将衬底置于聚焦离子束‑扫描电子显微镜双束系统中，通过扫描电子显微镜确定图形窗口设置区域，在图形窗口设置区域内通过聚焦离子束刻蚀导体层，以形成图形窗口；以导体层为掩膜执行刻蚀工艺，通过图形窗口刻蚀胶层直至暴露衬底，以形成第一刻蚀开口。由此，提高了图形的精确度。

公开(公告)号：CN119356042A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411918679.2

申请日：2024-12-25

Applicant: 材料科学姑苏实验室

Inventor： 黄永丹 ,  方寒冰 ,  胡友德 ,  王新朋 ,  童祎 ,  周大勇 ,  王晖

IPC: G03F7/20

Abstract: 本申请涉及一种基于聚焦离子束‑扫描电子显微镜双束系统的纳米光刻方法，涉及刻蚀工艺技术领域，方法包括：提供衬底；在衬底上形成胶层；在胶层上形成导体层；将衬底置于聚焦离子束‑扫描电子显微镜双束系统中，通过扫描电子显微镜确定图形窗口设置区域，在图形窗口设置区域内通过聚焦离子束刻蚀导体层，以形成图形窗口；以导体层为掩膜执行刻蚀工艺，通过图形窗口刻蚀胶层直至暴露衬底，以形成第一刻蚀开口。由此，提高了图形的精确度。