-
公开(公告)号：CN119356042B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411918679.2
申请日：2024-12-25
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请涉及一种基于聚焦离子束‑扫描电子显微镜双束系统的纳米光刻方法，涉及刻蚀工艺技术领域，方法包括：提供衬底；在衬底上形成胶层；在胶层上形成导体层；将衬底置于聚焦离子束‑扫描电子显微镜双束系统中，通过扫描电子显微镜确定图形窗口设置区域，在图形窗口设置区域内通过聚焦离子束刻蚀导体层，以形成图形窗口；以导体层为掩膜执行刻蚀工艺，通过图形窗口刻蚀胶层直至暴露衬底，以形成第一刻蚀开口。由此，提高了图形的精确度。
-
公开(公告)号：CN119673349A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202510200036.2
申请日：2025-02-24
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: G16C60/00
Abstract: 本发明公开了一种晶体结构预测方法、装置、电子设备及存储介质。该方法包括：获取待预测材料的晶体结构初始参数；通过训练完成的晶体结构预测模型根据所述待预测材料的晶体结构初始参数，确定待预测材料中每个原子的空间位置；其中，所述晶体结构预测模型是根据状态信息和动作信息训练完成的深度确定性策略梯度模型，所述状态信息包括晶体的晶体结构参数，所述动作信息包括晶体中每个原子的空间位置调整策略。上述技术方案，通过深度确定性策略梯度模型进行晶体原子排列预测，有效提升了晶体结构预测的准确度。
-
公开(公告)号：CN119008754A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411097807.1
申请日：2024-08-12
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: H01L31/0693 , H01L31/0232 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种柔性薄膜太阳能电池及其制备方法与应用，所述柔性薄膜太阳能电池的外延结构包括依次层叠设置的GaAs衬底、缓冲层、腐蚀阻挡层、第一接触层、窗口层、发射层、基层、背场层、DBR反射层和第二接触层；所述DBR反射层包括至少一组层叠设置的AlxGa1‑xAs/AlyGa1‑yAs组合层，其中，x和y的取值不同。本发明所述柔性薄膜太阳能电池通过设置AlxGa1‑xAs/AlyGa1‑yAs DBR结构，能够提高太阳光全光谱的反射率，增强柔性太阳能电池的性能，使所述薄膜太阳能电池的光电转换效率能够超过30％。
-
公开(公告)号：CN118920273A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411014711.4
申请日：2024-07-26
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明公开了一种紫外半导体激光器，该紫外半导体激光器包括：衬底；外延结构，位于衬底一侧；外延结构包括激光出射层以及第一限制层；第一限制层位于激光出射层靠近衬底的一侧；第一限制层包括第一限制分部以及第二限制分部；第二限制分部位于第一限制分部远离衬底的一侧；第一限制分部包括光栅结构；第一限制分部包括n‑AlxGa1‑xN；第二限制分部包括n‑AlyGa1‑yN，其中0＜x＜y＜1。通过在第一限制分部设置光栅结构，且光栅结构与第二限制分部中的Al组分不同，能够优化第一限制层的折射率，将激光集中在激光出射层，进而能够减少光损耗，提高紫外半导体激光器的输出功率。
-
公开(公告)号：CN114285368B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202111416728.9
申请日：2021-11-25
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: H01L31/054 , H01L31/052 , H01L31/042
Abstract: 本申请公开一种能量转换组件，包括聚光透镜以及太阳能电池片。所述聚光透镜被配置为收集入射其表面的光辐射，使得所述光辐射聚集在所述太阳能电池片之上。所述太阳能电池片的面积与所述聚光透镜的光收集指数相关，所述聚集的光辐射在所述太阳能电池片上的聚集位置随时间变化而变化。所述太阳能电池片包括顶电池、晶硅电池和底电池。所述顶电池的光吸收层的禁带宽度为1.4eV至1.95eV，所述底电池的光吸收层的禁带宽度为0.3eV至0.8eV，所述晶硅电池设置于顶电池和底电池之间。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116169947A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202111414951.X
申请日：2021-11-25
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本申请公开一种能量转换组件以及具有该能量转换组件的能量转换系统。所述能量转换组件包括光辐射收集单元以及能量转换单元。所述光辐射收集单元被配置为收集入射其表面的光辐射，使得所述光辐射聚集在所述能量转换单元之上。所述能量转换单元被配置为将聚集的光辐射转换为电能。所述能量转换单元的面积与所述光辐射收集单元的光收集指数相关，所述聚集的光辐射在所述能量转换单元上的聚集位置随时间变化而变化。
-
公开(公告)号：CN115799376B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310085775.2
申请日：2023-02-09
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0216 , H10K30/50 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种叠层光伏电池中间互联层结构及其制备方法与应用，所述叠层光伏电池中间互联层结构包括作为隧穿结的重掺杂PIN结构；所述重掺杂PIN结构的材料包括微晶氧化硅。本发明采用重掺杂PIN结构有利于减少中间互联层的光学吸收，保证底层电池的光学利用，进一步提升了叠层光伏电池的开路电压和短路电流；同时，采用宽带隙材料，可以有利于提高透过率和低寄生吸收，并且调配光谱折射率，进一步提高了光学透明性，降低了光反射。
-
公开(公告)号：CN113866613A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111447251.0
申请日：2021-12-01
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明提供一种用于霍尔效应测试的测试结构及其制备方法，测试结构包括：衬底层；位于所述衬底层上的测试外延层；位于所述测试外延层背向所述衬底层一侧表面的若干间隔的接触半导体层，所述接触半导体层中具有掺杂离子；位于部分所述接触半导体层背向所述测试外延层的一侧表面的测试电极。接触半导体层更容易形成欧姆接触，有利于注入电流，相邻的接触半导体层之间横向没有导通，不会造成测试外延层被接触半导体层短路，保证电路路径能满足霍尔效应测试，接触半导体层中的耗尽情况不会对下方的测试外延层造成影响，从而提高了测试结构的测试灵敏度。
-
公开(公告)号：CN113611595B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202111173832.X
申请日：2021-10-09
Applicant: 材料科学姑苏实验室 , 苏州长光华芯光电技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：提供半导体衬底层；在所述半导体衬底层上形成第一应变层；形成所述第一应变层的步骤包括:在所述半导体衬底层上形成第一晶格匹配层，所述第一晶格匹配层中至少具有第一原子和第二原子；刻蚀所述第一晶格匹配层以使第一晶格匹配层形成第一应变层，对所述第一原子的刻蚀速率大于对所述第二原子的刻蚀速率，所述第一应变层中第一原子和第二原子的摩尔比小于所述第一晶格匹配层中第一原子和第二原子的摩尔比。所述半导体结构的制备方法使得第一应变层的质量较好。
-
公开(公告)号：CN118472794A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410647205.2
申请日：2024-05-23
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: H01S5/20
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器及其制备方法，该半导体激光器包括：衬底；外延结构，位于衬底一侧；外延结构包括激光出射层以及位于激光出射层远离衬底一侧的第一波导层；第一波导层包括叠层设置的至少两组子波导层组，子波导层组包括第一子波导层以及第二子波导层，第一子波导层以及第二子波导层中均包括InGaN；沿外延结构的生长方向，第一波导层中In组分逐渐减小。采用上述技术手段，第一波导层包括叠层设置的至少两组子波导层组，且子波导层组包括第一子波导层以及第二子波导层，如此第一波导层为超晶格结构，晶体质量好，减少缺陷，此外，第一波导层中In组分逐渐减小，能够优化第一波导层的折射率，提高光场限制能力。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
27
records
(took 0.027 seconds)
