逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:CN112768447A

    公开(公告)日:2021-05-07

    申请号:CN202110029852.3

    申请日:2021-01-11

    IPC分类号: H01L27/07 H01L21/8222

    摘要: 公开了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制造方法,逆导型绝缘栅双极型晶体管包括:绝缘栅双极型晶体管区和至少一个快速恢复二极管区,至少一个快速恢复二极管区设置在绝缘栅双极型晶体管区中,绝缘栅双极型晶体管区包围至少一个快速恢复二极管区;至少一个缓冲区,至少一个缓冲区与至少一个快速恢复二极管区对应设置,分别位于至少一个快速恢复二极管区和绝缘栅双极型晶体管区之间,至少一个缓冲区分别包围至少一个快速恢复二极管区。本发明实施例的逆导型绝缘栅双极型晶体管减少了快速恢复二极管区对相邻绝缘栅双极型晶体管区的动态参数的影响,减小了栅极电阻,降低了器件的开关损耗,提高了器件的可靠性。

    逆导型绝缘栅双极型晶体管

    公开(公告)号:CN214797420U

    公开(公告)日:2021-11-19

    申请号:CN202120057990.8

    申请日:2021-01-11

    IPC分类号: H01L27/07 H01L21/8222

    摘要: 公开了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管,逆导型绝缘栅双极型晶体管包括:绝缘栅双极型晶体管区和至少一个快速恢复二极管区,至少一个快速恢复二极管区设置在绝缘栅双极型晶体管区中,绝缘栅双极型晶体管区包围至少一个快速恢复二极管区;至少一个缓冲区,至少一个缓冲区与至少一个快速恢复二极管区对应设置,分别位于至少一个快速恢复二极管区和绝缘栅双极型晶体管区之间,所述至少一个缓冲区分别包围至少一个快速恢复二极管区。本实用新型实施例的逆导型绝缘栅双极型晶体管减少了快速恢复二极管区对相邻绝缘栅双极型晶体管区的动态参数的影响,减小了栅极电阻,降低了器件的开关损耗,提高了器件的可靠性。

    计算半导体器件的温度值与时间值关系的方法和装置

    公开(公告)号:CN109583004A

    公开(公告)日:2019-04-05

    申请号:CN201811198183.7

    申请日:2018-10-15

    IPC分类号: G06F17/50

    摘要: 本申请公开了一种计算半导体器件的温度值与时间值关系的方法和装置,该方法包括:获取半导体器件的参数;根据参数获得至少一组时间值;根据参数获得半导体器件的瞬态热阻抗的表达式;以及根据参数、瞬态热阻抗的表达式以及时间值获得相应的半导体器件的温度值,通过获取半导体器件的参数,并根据参数进行温度值与时间值曲线的计算,在获得用户输入参数之后,进行查表以及自动计算温度值与时间值的关系曲线,从而简化了操作流程,提高了工作效率。

    计算结壳稳态热阻的方法、装置和计算机可读介质

    公开(公告)号:CN107958100A

    公开(公告)日:2018-04-24

    申请号:CN201711080654.X

    申请日:2017-11-06

    IPC分类号: G06F17/50

    摘要: 一种计算功率模块的结壳稳态热阻的方法、装置和计算机可读介质,所述功率模块包括多个分层,所述计算功率模块的结壳稳态热阻的方法包括:获取所述多个分层的参数;基于热扩散角原理根据所述多个分层的参数计算所述多个分层的热阻;根据所述多个分层的热阻计算所述功率模块的结壳稳态热阻。通过基于热扩散角原理根据所述多个分层的参数计算所述多个分层的热阻,无需建立功率模块的三维模型即可实现结壳稳态热阻计算,相比于传统方法缩短了计算时间并且具有更高的通用性。

    计算半导体器件的频率与电流关系的方法和装置

    公开(公告)号:CN108345712B

    公开(公告)日:2021-10-15

    申请号:CN201810023190.7

    申请日:2018-01-10

    IPC分类号: G06F30/367 G06F119/06

    摘要: 本申请公开了一种计算半导体器件的频率与电流关系的方法和装置,半导体器件包括多个分层,计算半导体器件的频率与电流的方法包括:获取半导体器件的基础参数;基于热扩散角原理根据基础参数计算半导体器件的结壳稳态热阻,以及根据基础参数获得半导体器件的总功耗的表达式,表达式是结温、工作频率和集电极电流的函数;根据总功耗的表达式、结壳稳态热阻,利用一组预设的工作频率和集电极电流进行迭代计算,获得半导体器件的结温;在一组预设的工作频率和集电极电流当中,确定与获得的结温相对应的工作频率和集电极电流。

    计算半导体器件的频率与电流关系的方法和装置

    公开(公告)号:CN108345712A

    公开(公告)日:2018-07-31

    申请号:CN201810023190.7

    申请日:2018-01-10

    IPC分类号: G06F17/50

    摘要: 本申请公开了一种计算半导体器件的频率与电流关系的方法和装置,半导体器件包括多个分层,计算半导体器件的频率与电流的方法包括:获取半导体器件的基础参数;基于热扩散角原理根据基础参数计算半导体器件的结壳稳态热阻,以及根据基础参数获得半导体器件的总功耗的表达式,表达式是结温、工作频率和集电极电流的函数;根据总功耗的表达式、结壳稳态热阻,利用一组预设的工作频率和集电极电流进行迭代计算,获得半导体器件的结温;在一组预设的工作频率和集电极电流当中,确定与获得的结温相对应的工作频率和集电极电流。

    计算半导体器件的温度值与时间值关系的方法和装置

    公开(公告)号:CN109583004B

    公开(公告)日:2022-12-30

    申请号:CN201811198183.7

    申请日:2018-10-15

    摘要: 本申请公开了一种计算半导体器件的温度值与时间值关系的方法和装置,该方法包括:获取半导体器件的参数;根据参数获得至少一组时间值;根据参数获得半导体器件的瞬态热阻抗的表达式;以及根据参数、瞬态热阻抗的表达式以及时间值获得相应的半导体器件的温度值,通过获取半导体器件的参数,并根据参数进行温度值与时间值曲线的计算,在获得用户输入参数之后,进行查表以及自动计算温度值与时间值的关系曲线,从而简化了操作流程,提高了工作效率。

    功率模块的损耗与结温仿真系统

    公开(公告)号:CN105574285B

    公开(公告)日:2019-05-03

    申请号:CN201511032145.0

    申请日:2015-12-31

    发明人: 柯攀 胡一峰 李祥

    IPC分类号: G06F17/50

    摘要: 本发明提供了一种功率模块的损耗与结温仿真系统,所述系统包括用户界面单元和后台处理单元,所述用户界面单元用于接收功率模块的电参数和热参数以及供用户选择功率模块的型号和功率模块使用的控制算法,所述后台处理单元用于根据所述功率模块的电参数和热参数、功率模块的型号以及功率模块使用的控制算法计算所述功率模块的损耗和结温,并将所述功率模块的损耗和结温通过所述用户界面单元显示。所述功率模块的损耗与结温仿真系统可方便快捷的实现功率模块的损耗和结温计算,有利于获得精确地损耗和结温仿真结果,并方便工程师在电路设计时仿真系统的热可靠性情况。

    功率模块的损耗与结温仿真系统

    公开(公告)号:CN105574285A

    公开(公告)日:2016-05-11

    申请号:CN201511032145.0

    申请日:2015-12-31

    发明人: 柯攀 胡一峰 李祥

    IPC分类号: G06F17/50

    CPC分类号: G06F17/5009 G06F17/5081

    摘要: 本发明提供了一种功率模块的损耗与结温仿真系统,所述系统包括用户界面单元和后台处理单元,所述用户界面单元用于接收功率模块的电参数和热参数以及供用户选择功率模块的型号和功率模块使用的控制算法,所述后台处理单元用于根据所述功率模块的电参数和热参数、功率模块的型号以及功率模块使用的控制算法计算所述功率模块的损耗和结温,并将所述功率模块的损耗和结温通过所述用户界面单元显示。所述功率模块的损耗与结温仿真系统可方便快捷的实现功率模块的损耗和结温计算,有利于获得精确地损耗和结温仿真结果,并方便工程师在电路设计时仿真系统的热可靠性情况。