一种5G通信用微波介质陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN115650713A

    公开(公告)日:2023-01-31

    申请号:CN202211332728.5

    申请日:2022-10-28

    IPC分类号: C04B35/20 C04B35/622

    摘要: 本发明提供了一种5G通信用微波介质陶瓷材料及其制备方法,涉及无线移动通讯与射频电子电路系统用电子陶瓷元器件与材料技术领域。本发明提供的微波介质陶瓷材料的配方表达式为:Mg1‑xCuxSiO3,其中0<x≤0.25。其介电常数为3.3~6.4,介电损耗为0.0001~0.003@10GHz,谐振频率温度系数为‑55~‑33ppm/℃,可应用于5G通信领域。其制备方法主要包括:配料、一次球磨、预烧、二次球磨、烘干、造粒、成型、排胶和烧结。本发明通过形成固溶体的方法,改善了MgSiO3微波介质陶瓷烧结易开裂、粉化的现象,拓宽了致密化烧结温度区间,具有重要的工业应用价值。

    一种高熵化微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115536373B

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN202211332717.7

    申请日:2022-10-28

    IPC分类号: C04B35/16 C04B35/622

    摘要: 本发明提供了一种高熵化微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用,涉及通信领域的电子元件与材料技术领域。本发明提供的微波介质陶瓷材料的配方表达式为:(Mg0.2Co0.2Ni0.2Cu0.2Zn0.2)SiO3。其介电常数为6.5~6.9,介电损耗为0.0001~0.0004@10GHz,谐振频率温度系数为‑40~‑24.5ppm/℃,可应用于5G/6G通信领域。其制备方法主要包括:称量、一次球磨、一次预烧、二次球磨、二次预烧、三次球磨、烘干、造粒、过筛、压片和烧结。本发明通过引入高熵设计理念,提出了化学式为(Mg0.2Co0.2Ni0.2Cu0.2Zn0.2)SiO3的配方,抑制了MgSiO3陶瓷中的晶型转变,获得了稳定的陶瓷,降低了致密化烧结温度,获得了低介电常数和低介电损耗的优异微波介电性能,具有重要的工业应用价值。

    一种高熵化微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115536373A

    公开(公告)日:2022-12-30

    申请号:CN202211332717.7

    申请日:2022-10-28

    IPC分类号: C04B35/16 C04B35/622

    摘要: 本发明提供了一种高熵化微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用,涉及通信领域的电子元件与材料技术领域。本发明提供的微波介质陶瓷材料的配方表达式为:(Mg0.2Co0.2Ni0.2Cu0.2Zn0.2)SiO3。其介电常数为6.5~6.9,介电损耗为0.0001~0.0004@10GHz,谐振频率温度系数为‑40~‑24.5ppm/℃,可应用于5G/6G通信领域。其制备方法主要包括:称量、一次球磨、一次预烧、二次球磨、二次预烧、三次球磨、烘干、造粒、过筛、压片和烧结。本发明通过引入高熵设计理念,提出了化学式为(Mg0.2Co0.2Ni0.2Cu0.2Zn0.2)SiO3的配方,抑制了MgSiO3陶瓷中的晶型转变,获得了稳定的陶瓷,降低了致密化烧结温度,获得了低介电常数和低介电损耗的优异微波介电性能,具有重要的工业应用价值。

    一种5G通信用微波介质陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN115650713B

    公开(公告)日:2023-08-08

    申请号:CN202211332728.5

    申请日:2022-10-28

    IPC分类号: C04B35/20 C04B35/622

    摘要: 本发明提供了一种5G通信用微波介质陶瓷材料及其制备方法,涉及无线移动通讯与射频电子电路系统用电子陶瓷元器件与材料技术领域。本发明提供的微波介质陶瓷材料的配方表达式为:Mg1‑xCuxSiO3,其中0<x≤0.25。其介电常数为3.3~6.4,介电损耗为0.0001~0.003@10GHz,谐振频率温度系数为‑55~‑33ppm/℃,可应用于5G通信领域。其制备方法主要包括:配料、一次球磨、预烧、二次球磨、烘干、造粒、成型、排胶和烧结。本发明通过形成固溶体的方法,改善了MgSiO3微波介质陶瓷烧结易开裂、粉化的现象,拓宽了致密化烧结温度区间,具有重要的工业应用价值。