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公开(公告)号：CN118047609A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410204701.0
申请日：2024-02-25
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： C04B35/48 , C04B35/622 , C04B35/638
摘要： 本发明属于无线通讯与电子陶瓷材料技术领域，涉及一种具有低热膨胀系数且谐振频率温度系数可调的低介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用。所述具有低热膨胀系数且谐振频率温度系数可调的低介电常数微波介质陶瓷材料，化学式为ZrSiO4·xTiO2，其中0wt％
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公开(公告)号：CN115536373B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211332717.7
申请日：2022-10-28
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： C04B35/16 , C04B35/622
摘要： 本发明提供了一种高熵化微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用，涉及通信领域的电子元件与材料技术领域。本发明提供的微波介质陶瓷材料的配方表达式为：(Mg0.2Co0.2Ni0.2Cu0.2Zn0.2)SiO3。其介电常数为6.5～6.9，介电损耗为0.0001～0.0004@10GHz，谐振频率温度系数为‑40～‑24.5ppm/℃，可应用于5G/6G通信领域。其制备方法主要包括：称量、一次球磨、一次预烧、二次球磨、二次预烧、三次球磨、烘干、造粒、过筛、压片和烧结。本发明通过引入高熵设计理念，提出了化学式为(Mg0.2Co0.2Ni0.2Cu0.2Zn0.2)SiO3的配方，抑制了MgSiO3陶瓷中的晶型转变，获得了稳定的陶瓷，降低了致密化烧结温度，获得了低介电常数和低介电损耗的优异微波介电性能，具有重要的工业应用价值。
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公开(公告)号：CN115057698A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210755021.9
申请日：2022-06-30
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： C04B35/44 , C04B35/505 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要： 本发明公开了一种低介电石榴石型微波介质陶瓷材料及其制备方法，陶瓷材料化学式为Y3‑xCaxAl(Oct)2Al(Tet)3‑xSixO12，其中，0.1≤x≤0.6。本发明采用不同浓度的Ca2+‑Si4+复合离子对协同掺杂取代Y3Al5O12中的A位点Y3+和C位点的Al3+制备得到Y3‑xCaxAl(Oct)2Al(Tet)3‑xSixO12，显著地降低以往Y3Al5O12陶瓷材料的烧结致密化温度且大大降低了陶瓷的烧结时长，同时，陶瓷材料的微波介电性能良好，品质因数Q×f也有明显的提升。
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公开(公告)号：CN111925190B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202010624798.2
申请日：2020-07-02
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： C04B35/04 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了Mg3B2O6‑CaTiO3复合微波介电陶瓷材料及制备方法，其陶瓷材料主晶相为Mg3B2O6和CaTiO3，原料成分为原料成分为MgO，H3BO3，CaTiO3。由于H3BO3高温烧结蒸发，因此H3BO3要进行适量称取配平，从而合成纯相的Mg3B2O6微波介质陶瓷，然后加入不同的摩尔比例的CaTiO3，合成Mg3B2O6‑CaTiO3复合微波介电陶瓷材料。该复合微波介电陶瓷材料的介电常数范围是6.6～6.8，品质因数范围是34204GHz～36634GHz，温度系数范围是‑2ppm/℃～7ppm/℃。
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公开(公告)号：CN115650713A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211332728.5
申请日：2022-10-28
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： C04B35/20 , C04B35/622
摘要： 本发明提供了一种5G通信用微波介质陶瓷材料及其制备方法，涉及无线移动通讯与射频电子电路系统用电子陶瓷元器件与材料技术领域。本发明提供的微波介质陶瓷材料的配方表达式为：Mg1‑xCuxSiO3，其中0＜x≤0.25。其介电常数为3.3～6.4，介电损耗为0.0001～0.003@10GHz，谐振频率温度系数为‑55～‑33ppm/℃，可应用于5G通信领域。其制备方法主要包括：配料、一次球磨、预烧、二次球磨、烘干、造粒、成型、排胶和烧结。本发明通过形成固溶体的方法，改善了MgSiO3微波介质陶瓷烧结易开裂、粉化的现象，拓宽了致密化烧结温度区间，具有重要的工业应用价值。
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公开(公告)号：CN115141006A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210776922.6
申请日：2022-07-04
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： C04B35/10 , C04B35/622
摘要： 本发明提供一种微波介质陶瓷材料、复合材料及其制备方法、用途，所述微波介质陶瓷材料的化学式为Mg1.8Ni0.2‑xCoxAl4Si5O18，其中0.05≤x≤0.15。本发明的微波介质陶瓷材料为一种Ni2+和Co2+共掺杂的堇青石型晶体结构材料，其中Ni2+和Co2+协同置换占据所述镁堇青石晶格中的部分Mg2+晶格位置，由此使得微波介质陶瓷材料具有较好的微波性能。本发明的复合材料具有好的微波性能，改善了现有的各类堇青石陶瓷材料温度稳定性差的缺陷及品质因数，降低了烧结温度，并使其温度系数近零；该复合材料具有温度稳定高Qf值，有望在5G/6G移动通讯与射频电子电路系统中做电子元器件作为的功能介质使用。
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公开(公告)号：CN111925190A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010624798.2
申请日：2020-07-02
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： C04B35/04 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了Mg3B2O6-CaTiO3复合微波介电陶瓷材料及制备方法，其陶瓷材料主晶相为Mg3B2O6和CaTiO3，原料成分为原料成分为MgO，H3BO3，CaTiO3。由于H3BO3高温烧结蒸发，因此H3BO3要进行适量称取配平，从而合成纯相的Mg3B2O6微波介质陶瓷，然后加入不同的摩尔比例的CaTiO3，合成Mg3B2O6-CaTiO3复合微波介电陶瓷材料。该复合微波介电陶瓷材料的介电常数范围是6.6～6.8，品质因数范围是34204GHz～36634GHz，温度系数范围是-2ppm/℃～7ppm/℃。
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公开(公告)号：CN118084470A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410204700.6
申请日：2024-02-25
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： C04B35/20 , C04B35/622 , C04B35/638
摘要： 本发明属于微波介质陶瓷技术领域，具体涉及一种微波介质陶瓷材料及其制备方法，可应用于5G/6G通信。本发明提供的微波介质陶瓷材料，其化学式为MgSi1‑xGexO3，其中0.1
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公开(公告)号：CN118059877A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410325804.2
申请日：2024-03-21
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： B01J23/843 , B01J37/08 , B01J37/00 , B01J35/33 , C02F1/461 , C02F101/30
摘要： 本发明提供一种高表面电子空穴分离效率压电催化材料Bi0.5Na0.4K0.1Ti1‑xCuxO3压电材料及其制备和应用，与现有技术相比，制备的Bi0.5Na0.4K0.1Ti1‑xCuxO3材料，获得了高表面空穴‑电子分离效率，其表现为其交流阻抗谱为更小的椭圆弧尺寸。这表明该材料可通过提升吸收能量后加强电子、空穴对的分离的能力，从而对微量有机污染物的降解过程起到催化作用：在室温下，可高效降解染料等微量有机污染物。本发明在于巧妙设计催化剂材料，降低禁带带隙宽度，提升表面电子‑空穴分离效率，从而提升催化降解效率，在废水处理领域有广阔的应用前景，且该催化剂制备工艺简单，成本低，可应用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN116589270A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310608847.7
申请日：2023-05-29
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： C04B35/20 , C04B35/465 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要： 本发明提供一种低损耗温度稳定橄榄石型微波介质陶瓷及其制备方法，化学式为(1‑y)Mg2‑xGaxSi1‑xAlxO4‑yCaTiO3，其中0＜x≤0.02，9％≤y≤13％。首先制备Mg2‑xGaxSi1‑xAlxO4，通过Ga3+和Al3+分别取代镁橄榄石中的部分Mg2+和Si4+位置，品质因数从203700GHz提升到236600GHz，介电常数在6.55～7.05之间，谐振频率温度系数为‑54～‑38ppm/℃；然后按照质量比加入CaTiO3，充分混合后进行烧结得到温度稳定型的微波介质复合陶瓷。本发明在降低烧结温度的同时，使陶瓷材料具有较低的介电损耗以及良好的温度稳定性，制备工艺简单，在5G/6G等毫米波通讯上作为介质陶瓷材料具有很强的实用性。
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