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公开(公告)号：CN110598351B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN201910904886.5
申请日：2019-09-24
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： G06F30/367
摘要： 本发明公开了一种阈值型忆阻器电路仿真器，其两端经过由运算放大器组成的电压跟随器，用来隔离后边电路，两路电压经过差分电路输出，实现了忆阻器电路模型端电压的采集，差分电路的输出信号输入至由两只二极管反向并联组成的阈值电路，差分电路、阈值电路和反相比例电路共同构成了具有调节功能的阈值电路，通过改变差分电路和反相比例电路的比例电阻即可实现阈值调节。幅值超过阈值电路的电压信号进入反相积分电路和加法电路输出与忆导值成比例的电压信号，该信号与差分电路的输出信号经过乘法器后可输出与流经忆阻器的电流成正比的电压信号，最后采用两只电流传输器将该电压信号转化为电流信号，同时也保证忆阻器两端的电流是相等的。
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公开(公告)号：CN116318609A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211616715.0
申请日：2022-12-15
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： H04L9/00
摘要： 本发明公开了一种基于负电容的混沌电路，由一个负电容C1,一个线性电容C2，一个电感L,一个线性电阻R和一个负电阻‑R0组成。负电容的电压电荷曲线为S形，其负斜率部分即为负电容区域。负电容通过电阻R与线性电容和电感构成的闭合回路耦合构成一个三阶系统，负电阻并联在电路两端用来提供振荡所需的能量。在合适的线性器件参数下，该混沌电路能产生多种混沌现象，填补了现有技术中使用负电容构成混沌电路研究的空白。
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公开(公告)号：CN110765718B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN201910904410.1
申请日：2019-09-24
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种二值型忆阻器电路仿真器，本发明采用运算放大器、电流传输器、乘法器、电阻和电容组成的二值型忆阻器电路仿真器，通过选择积分电路参数来适应不同的工作频率范围。采用反相滞回电路可以实现忆阻器两个阻态的保持和切换，并可通过调节反相加法电路的参数，改变高阻态和低阻态的比例。该电路仿真器可直接与实际电路元器件连接，适用于忆阻器在数字逻辑领域的研究和应用。
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公开(公告)号：CN117236255A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311206017.8
申请日：2023-09-18
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种基于双S型局部有源忆阻器的神经元电路，由第一S型局部有源忆阻器、第二S型局部有源忆阻器、一个直流电流源ID和一个正弦交流电流源iD组成，直流电流源ID的负极与地端相连。本发明通过将两个S型局部有源忆阻器进行并联构成神经元电路，施加适当的直流电流激励和正弦电流激励后，使得整体电路工作在负微分电导区域并产生复杂的神经形态行为，填补了现有技术使用双S型局部有源忆阻器构成神经元电路研究的空白，为双S型局部有源忆阻器在神经形态计算中的应用奠定了一定的基础。
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公开(公告)号：CN113255274A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110404636.2
申请日：2021-04-15
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： G06F30/367 , G06F30/373
摘要： 本发明公开了一种分段线性忆阻器模型及设计方法，本发明考虑到局部有源忆阻器的物理模型具有强非线性，不利于数学分析，而其直流V‑I曲线中存在S型负微分电导特性是产生振荡行为的关键和起源，本发明提出的分段线性忆阻器模型，可以有效地模拟S型局部有源忆阻器物理器件整体无源、局部有源和S型负微分电阻特性，通过准静态测试和动态性能测试确定的模型，具有简单、准确、参数少、分段线性等优点，方便对局部有源忆阻器及其应用进行研究和分析。
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公开(公告)号：CN118821878A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410796886.9
申请日：2024-06-20
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： G06N3/065
摘要： 本发明公开了一种基于电阻连接的S型忆阻神经元耦合硬件电路，包括两个S型局部有源忆阻器、两个直流电流源、两个电容和一个耦合电阻。S型局部有源忆阻器M1与电容C01并联，M1的负极与地相连，直流电流源ID1连接M1的正极提供偏置电流构成忆阻神经元1；S型局部有源忆阻器M2与电容C02并联，M2的负极与地相连，直流电流源ID2连接M2的正极提供偏置电流构成忆阻神经元2；M1的正极与M2的正极通过耦合电阻连接。本发明耦合前的两个忆阻神经元工作在混沌边缘域且处于静息状态，通过电阻连接后构成忆阻神经元耦合电路，忆阻神经元被唤醒产生振荡行为。
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公开(公告)号：CN111786769B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202010484293.0
申请日：2020-06-01
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： H04L9/00
摘要： 本发明公开了一种基于S型局部有源忆阻器混沌电路结构，包括一个S型局部有源忆阻器LAM、一个电容C、一个电感L、一个线性电阻R和一个直流电压源VD。S型局部有源忆阻器LAM和电感L串联后与电容C并联后构成一个三阶系统，直流电压源与线性电阻串联后为S型局部有源忆阻器提供偏置电流。S型局部有源忆阻器具有纳米级尺寸优势，采用其设计的混沌电路体积小，结构简单，易于集成化，可以广泛地应用至电子通信领域及其他工程领域。其中S型局部有源忆阻器数学模型与现有模型相比，参数更少、表达形式更简单，有助于S型局部有源忆阻器的分析及其应用电路的探索研究。
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公开(公告)号：CN111817700A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010484312.X
申请日：2020-06-01
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于N型局部有源忆阻器的自治混沌电路，由一个N型局部有源忆阻器、一个电感L、一个直流电压源VD、一个正弦电压源vD串联组成。N型局部有源忆阻器是一种整体无源局部有源忆阻器，其在直流V-I特性曲线中呈现N型负微分电导。通过对该具有特殊数学模型的N型局部有源忆阻器和电感构成的串联电路，施加合适的直流电压偏置和正弦驱动电压后，使局部有源忆阻器工作在负微分电导区域并使其产生混沌现象，填补了现有技术使用N型局部有源忆阻器组成自治混沌电路研究的空白。
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公开(公告)号：CN110598351A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910904886.5
申请日：2019-09-24
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明公开了一种阈值型忆阻器电路仿真器，其两端经过由运算放大器组成的电压跟随器，用来隔离后边电路，两路电压经过差分电路输出，实现了忆阻器电路模型端电压的采集，差分电路的输出信号输入至由两只二极管反向并联组成的阈值电路，差分电路、阈值电路和反相比例电路共同构成了具有调节功能的阈值电路，通过改变差分电路和反相比例电路的比例电阻即可实现阈值调节。幅值超过阈值电路的电压信号进入反相积分电路和加法电路输出与忆导值成比例的电压信号，该信号与差分电路的输出信号经过乘法器后可输出与流经忆阻器的电流成正比的电压信号，最后采用两只电流传输器将该电压信号转化为电流信号，同时也保证忆阻器两端的电流是相等的。
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