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公开(公告)号：CN117506735A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311409383.3
申请日：2023-10-27
申请人： 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于高压水射流技术的硅材料排气扇加工方法，该加工方法包括以下步骤：S1、利用机械铣削的加工到圆柱形硅材料的扇体；S2、对圆柱形硅材料进行中部镂空的安装槽进行加工得到排气扇外形产品；S3、对步骤S2得到的产品进行表面排气槽加工；S4、将步骤S3中加工完成的产品进行尺寸全检；S5、利用超声洗净设备去除步骤S4加工完成的产品表面的水渍；S6、去除步骤S5中的产品表面的氧化物。本申请能缩短产品加工时长，降低产品表面损伤，提高了产品的加工效率和合格率。
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公开(公告)号：CN117309859A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311232154.9
申请日：2023-09-22
申请人： 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及碳化硅电极技术领域，具体涉及一种碳化硅电极的金相显示方法，包括如下步骤：S1、提供碳化硅电极，沿碳化硅的径向从碳化硅电极上切割得到一段样品，所述样品的两端为切割面，且所述切割面垂直于碳化硅电极；S2、采用金相冷镶制样方式将样品固化；S3、以样品的其中一个切割面作为处理面，并对处理面依次进行粗磨、精磨、镜面抛光处理；S4、对经步骤S3打磨、抛光处理后的处理面进行腐蚀处理，形成金相显示面。通过本方案提供的方法对样品进行处理，便可形成在样品上形成金相显示面，后续配合金相显微镜，便可观察得到样品截面的组织结构。
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公开(公告)号：CN118513962A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410273966.6
申请日：2024-03-11
申请人： 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种硅环抛光机构，包括箱体，箱体上转动安装有安装环，箱体上设有用于硅环固定的定位机构以及驱动机构，箱体上设有两组位柱，定位柱上设有若干个沿着硅环堆叠方向设置的抛光组件，抛光组件包括支撑架、支撑轮、传动轮、抛光带以及带动传动轮转动的第三电机，所述支撑架固定设在定位柱的侧壁上，支撑轮转动安装在支撑架上，抛光带套设在支撑轮与传动轮的外侧，硅环抛光时，其中一组定位柱上的抛光带与硅环的外壁抵接，另一组定位柱上的抛光带与硅环的内侧壁抵接，通过驱动机构带动硅环转动，第三电机带动抛光带与硅环发生反向转动，同时对堆叠的硅环进行加工，提高硅环侧壁的抛光效率。
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公开(公告)号：CN118389120A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410865286.3
申请日：2024-07-01
申请人： 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司
IPC分类号： C09J183/16 , C09J183/04 , C09J183/05 , C09J11/04 , C09J5/06 , H01L21/673
摘要： 本发明公开了用于熔接硅部件的黏结剂、工艺及熔接得到的硅质晶舟，黏结剂包括含硅物质的固体粉末，以含Si‑O、Si‑C‑O、Si‑N或Si‑C‑N共价键结构的链状、环状或笼状聚硅氧烷、聚硅氮烷化合物为主剂，以酮类、醚类、苯及其衍生物类为溶剂组成的液态胶水；固体粉末和液态胶水的使用重量比为1：（0.8‑1.2）。该黏结剂高温稳定性好，在1000℃以上的条件下熔接可产生以Si‑O键为主的类玻璃体结构，该结构使硅与硅之间的黏结强度高，达到硅部件间高强熔接效果。采用该黏结剂对硅各部件在高温下进行熔接成一个整体形成硅质晶舟制品，其熔接部位不存在金属离子污染，可使硅质晶舟使用可以匹配先进半导体制程工艺。
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