一种硬碳负极材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN108963254A

    公开(公告)日:2018-12-07

    申请号:CN201811088256.7

    申请日:2018-09-18

    IPC分类号: H01M4/583 H01M10/0525

    摘要: 本发明提供了一种硬碳负极材料及其制备方法,该制备方法包括以下步骤:a)将炭质前驱体依次进行固化,炭化处理,破碎、分级和刻蚀,得到粉料;b)将步骤a)得到的粉料进行包覆处理,得到硬碳负极材料。与现有技术相比,本发明以炭质前驱体为原材料,采用特定工艺步骤,能够有效控制微纳孔的生成及分布,并且能够进一步打通硬碳的离子输送通道,获得的硬碳负极材料孔隙均匀、可调,具有较高的比容量和首次效率,及快速充放电能力。实验结果表明,本发明提供的硬碳负极材料具有多孔结构,孔径为0.1nm~50nm,孔隙率为1%~50%,002晶面的层间距在0.34nm~0.45nm,粒度范围为0.5μm~100μm,比表面积为2m2/g~20m2/g,碳含量在99.7%以上。

    一种多孔硬碳负极材料、其制备方法及锂离子电池

    公开(公告)号:CN108963253A

    公开(公告)日:2018-12-07

    申请号:CN201811087363.8

    申请日:2018-09-18

    IPC分类号: H01M4/583 H01M10/0525

    摘要: 本发明提供了一种多孔硬碳负极材料的制备方法,包括以下步骤:a)将纳米材料、溶剂和炭质前驱体混合,再蒸发去除溶剂,得到纳米材料和炭质前驱体的混合物;b)将步骤a)得到的混合物依次进行固化,炭化处理,破碎、分级,刻蚀和高温调质,得到高温调质后的粉料;c)将步骤b)得到的粉料进行包覆,得到多孔硬碳负极材料。与现有技术相比,本发明以纳米材料和炭质前驱体为原材料,采用特定工艺步骤,优化了微纳孔的分布,同时建立了锂离子输送通道,获得的多孔硬碳负极材料孔隙分布均匀、细腻,具有较高的比容量和首次效率,及快速充放电能力。

    利用含硅生物质连续化制备一氧化硅的方法

    公开(公告)号:CN109879290A

    公开(公告)日:2019-06-14

    申请号:CN201910182256.1

    申请日:2019-03-11

    发明人: 陈青华 肖旦 房冰

    IPC分类号: C01B33/113

    摘要: 本发明提供利用含硅生物质连续化制备一氧化硅的方法,涉及纳米材料制备领域,包括以下步骤:S1、将含硅生物质装入含有惰性气体与空气混合气氛的生物质热解装置内,加热碳化生成生物质炭;S2、由生物质热解装置将生物质炭输送到与其连通的生物质炭收集装置内;S3、通过生物质炭收集装置将生物质炭间歇送入与生物质炭收集装置连通的反应装置内,加热达到预设温度后保温,生物质炭反应得到反应物;S4、将反应物从反应装置内输送到产品收集装置内,其中反应装置、产品收集装置和真空泵依次管道连通,所述反应物在产品收集装置内冷凝生成所述一氧化硅。该方法能够利用生物质能源连续化制备一氧化硅,生产方法简单,适合大规模生产。

    一种制备纳米硅的装置及方法

    公开(公告)号:CN108483449A

    公开(公告)日:2018-09-04

    申请号:CN201810652350.4

    申请日:2018-06-22

    IPC分类号: C01B33/021 B82Y30/00

    摘要: 本发明提供了一种制备纳米硅的装置,包括:反应器;所述反应器顶端设有进料口和返料及尾气出口,底端设有进气口和出料口;出料口与所述反应器的进料口相连的连续加料装置;进料口与所述返料及尾气出口相连的返料及尾气处理装置;设置在所述进气口处的进气及分气装置;进料口与所述反应器的出料口相连的出料装置。与现有技术相比,本发明提供的制备纳米硅的装置由反应器、连续加料装置、返料及尾气处理装置、进气及分气装置和出料装置连接而成,具有产率高、成本低,且可实现连续化、批量化生产的优点,制备得到的纳米硅粒度分布窄且无杂质带入。

    一种多孔硬碳负极材料、其制备方法及锂离子电池

    公开(公告)号:CN108963253B

    公开(公告)日:2020-07-17

    申请号:CN201811087363.8

    申请日:2018-09-18

    IPC分类号: H01M4/583 H01M10/0525

    摘要: 本发明提供了一种多孔硬碳负极材料的制备方法,包括以下步骤:a)将纳米材料、溶剂和炭质前驱体混合,再蒸发去除溶剂,得到纳米材料和炭质前驱体的混合物;b)将步骤a)得到的混合物依次进行固化,炭化处理,破碎、分级,刻蚀和高温调质,得到高温调质后的粉料;c)将步骤b)得到的粉料进行包覆,得到多孔硬碳负极材料。与现有技术相比,本发明以纳米材料和炭质前驱体为原材料,采用特定工艺步骤,优化了微纳孔的分布,同时建立了锂离子输送通道,获得的多孔硬碳负极材料孔隙分布均匀、细腻,具有较高的比容量和首次效率,及快速充放电能力。

    一种硬碳负极材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN108963254B

    公开(公告)日:2020-07-07

    申请号:CN201811088256.7

    申请日:2018-09-18

    IPC分类号: H01M4/583 H01M10/0525

    摘要: 本发明提供了一种硬碳负极材料及其制备方法,该制备方法包括以下步骤:a)将炭质前驱体依次进行固化,炭化处理,破碎、分级和刻蚀,得到粉料;b)将步骤a)得到的粉料进行包覆处理,得到硬碳负极材料。与现有技术相比,本发明以炭质前驱体为原材料,采用特定工艺步骤,能够有效控制微纳孔的生成及分布,并且能够进一步打通硬碳的离子输送通道,获得的硬碳负极材料孔隙均匀、可调,具有较高的比容量和首次效率,及快速充放电能力。实验结果表明,本发明提供的硬碳负极材料具有多孔结构,孔径为0.1nm~50nm,孔隙率为1%~50%,002晶面的层间距在0.34nm~0.45nm,粒度范围为0.5μm~100μm,比表面积为2m2/g~20m2/g,碳含量在99.7%以上。

    高分散纳米碳化硅及其制备方法

    公开(公告)号:CN109607539B

    公开(公告)日:2020-01-24

    申请号:CN201910094834.6

    申请日:2019-01-31

    IPC分类号: C01B32/97

    摘要: 本发明提供一种高分散纳米碳化硅及其制备方法,涉及碳化硅的制备技术领域领域。包括以下步骤:原料球磨后得到混合物料;混合物料通过等离子高温烧结得到预产物;预产物进行整形分级得到纳米碳化硅产物;其中原料包括:镁、镍、碳酸盐、氯化钠、聚丙乙烯、碳黑、葡萄糖、氯化锌、二氧化硅。本发明加入产气原料碳酸盐,在加热过程中,产生二氧化碳形成松弛多孔的形貌,镁、镍及氯化钠的加入能有效降低还原温度,从而降低了颗粒长大与团聚;同时在二氧化硅表面包覆一层钠盐阻隔了二氧化硅的团聚,从而解决了纳米碳化硅团聚与难分散的技术问题,制备了高分散,分布窄,粒径均匀的纳米棒状碳化硅。

    利用溶胶凝胶法制备纳米碳化硅的工艺

    公开(公告)号:CN109607540A

    公开(公告)日:2019-04-12

    申请号:CN201910094856.2

    申请日:2019-01-31

    IPC分类号: C01B32/97

    摘要: 本发明提供一种利用溶胶凝胶法制备纳米碳化硅的工艺,涉及碳化硅的制备技术领域。包括以下步骤:S1:通过溶胶凝胶法制备二氧化硅;S2:所述步骤S1制备的二氧化硅与均质剂、碳源、助烧还原剂进行均质混合;S3:高温还原;S4:分散分级。本发明通过溶胶凝胶法制备二氧化硅,制备得到的二氧化硅分散好;单分散的二氧化硅与均质剂、碳源与助烧还原剂进行均质混合后高温还原制备得到的碳化硅分散性好,解决了纳米碳化硅制备过程中团聚等难题。通过助烧还原剂活化了反应能,降低了反应能垒,从而降低二氧化硅还原温度,有利用防止高温碳化硅颗粒长大。由于碳源物与单分散的二氧化硅混合均匀,减少了反应程,从而有助于提高还原反应速度。

    高分散纳米碳化硅及其制备方法

    公开(公告)号:CN109607539A

    公开(公告)日:2019-04-12

    申请号:CN201910094834.6

    申请日:2019-01-31

    IPC分类号: C01B32/97

    摘要: 本发明提供一种高分散纳米碳化硅及其制备方法,涉及碳化硅的制备技术领域领域。包括以下步骤:原料球磨后得到混合物料;混合物料通过等离子高温烧结得到预产物;预产物进行整形分级得到纳米碳化硅产物;其中原料包括:镁、镍、碳酸盐、氯化钠、聚丙乙烯、碳黑、葡萄糖、氯化锌、二氧化硅。本发明加入产气原料碳酸盐,在加热过程中,产生二氧化碳形成松弛多孔的形貌,镁、镍及氯化钠的加入能有效降低还原温度,从而降低了颗粒长大与团聚;同时在二氧化硅表面包覆一层钠盐阻隔了二氧化硅的团聚,从而解决了纳米碳化硅团聚与难分散的技术问题,制备了高分散,分布窄,粒径均匀的纳米棒状碳化硅。

    高导电率一氧化硅的生产设备及方法

    公开(公告)号:CN109455723A

    公开(公告)日:2019-03-12

    申请号:CN201811601025.1

    申请日:2018-12-26

    发明人: 陈青华 肖旦 房冰

    IPC分类号: C01B33/113 C01B33/18

    摘要: 本发明提供一种高导电率一氧化硅的生产设备及方法,涉及纳米材料制备技术领域,所述设备包括反应装置、与所述反应装置管路连通的真空泵、与所述反应装置管路连通的掺杂物生成装置和与所述掺杂物生成装置管路连通的掺杂源供给部,所述反应装置内部设有迂回的流体通道,所述反应装置上设有蒸汽入口;掺杂是一种气态掺杂过程,所得到的掺杂后的一氧化硅颗粒大小均匀,掺杂效果均匀,大大提高了电子导电率。