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公开(公告)号：CN118754128A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410933020.8
申请日：2024-07-12
申请人： 重庆森仟烨新材料科技股份有限公司
摘要： 本发明属于微硅粉加工技术领域，具体涉及一种改性微硅粉及其应用。该改性微硅粉的制备方法包括：将微硅粉在预热条件下处理得预热微硅粉，将预热微硅粉在高温炭化条件下处理得高温炭化微硅粉，将高温炭化微硅粉在冷却处理条件下冷却处理得改性微硅粉。该改性微硅粉电阻率较未改造的微硅粉可以提高约52.1％，将其作为石墨化炉的炉底材料可以有效减少未改性微硅粉石墨化炉电流泄露情况，改善温度不均匀状况，提高安全性和增加寿命。
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公开(公告)号：CN118723995A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410667934.4
申请日：2024-05-28
申请人： 湖州东尼半导体科技有限公司
摘要： 一种长晶用碳化硅粉料的制备工艺及其使用的用于合成碳化硅粉料的坩埚，属于半导体材料制备技术领域，第一步，取粒径为10μm～80μm的碳粉与粒径为500μm～6000μm的硅粉，以摩尔比1:1进行混合得到第一混料；第二步，将第一步中的第一混料铺设在坩埚内表面上；第三步，将第二步中铺设有第一混料的坩埚放入合成炉中进行高温、低压烧结得到第二混料；第四步，将第三步中的第二混料取出进行破碎筛分后以若干个混料集合进行存储。解决了产出颗粒度为8～40目的粉料在整个粉料产出的占比低的问题。
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公开(公告)号：CN118047380A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410274194.8
申请日：2024-03-11
申请人： 浙江芯科半导体有限公司
IPC分类号： C01B32/97
摘要： 本发明涉及碳化硅领域，具体公开了一种环保重结晶碳化硅粒度砂生产方法；本发明先选用高纯度的石英砂和高固定碳含量的石油焦作为原料制作碳化硅原料，能够有效提升碳化硅原料的初始纯净度，之后对高纯度的碳化硅原料进行粉碎筛选，筛选出符合酸洗要求的碳化硅粉末，对碳化硅粉末进行酸洗纯化，去除碳化硅粉末内部含有的金属离子和碳粉，进一步提纯碳化硅微粉，将碳化硅微粉与混合改性剂和去离子水混合搅拌，改善碳化硅微粉的性质，有助于后续碳化硅的重结晶，再将碳化硅微粉置于烧结炉内部进行重结晶，将重结晶碳化硅烧结体进行粉碎，即可得到高质量的重结晶碳化硅粒度砂。
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公开(公告)号：CN117776187A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311838219.4
申请日：2023-12-28
申请人： 扎赉诺尔煤业有限责任公司 , 哈尔滨工业大学
IPC分类号： C01B32/97 , C01B32/984 , C01B21/068
摘要： 一种利用褐煤制备高导热碳化硅/氮化硅纳米线的方法，它涉及SiC/Si3N4纳米线的方法。本发明要解决现有技术无法利用褐煤制造SiC/Si3N4纳米线的问题。制备方法：一、混合均匀粉体；二、氮化反应。本发明用于利用褐煤制备高导热碳化硅/氮化硅纳米线。
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公开(公告)号：CN117691061A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311562360.6
申请日：2023-11-22
申请人： 合肥国轩新材料科技有限公司
IPC分类号： H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/583 , H01M4/58 , H01M10/0525 , C01B32/97 , C01B32/984
摘要： 本发明提出了一种C‑Si复合型负极材料及其制备方法和锂离子电池，所述C‑Si复合型负极材料的制备方法包括：将硅粉与石墨粉混合后充分研磨，使硅颗粒均匀嵌入到石墨层中，得到C‑Si复合前驱体；将所述C‑Si复合前驱体进行热处理，使硅与石墨的接触界面处发生反应，即得到所述C‑Si复合型负极材料。本发明提出的一种C‑Si复合型负极材料及其制备方法和锂离子电池，通过使Si纳米颗粒均匀嵌入到石墨层中，并且在石墨的层状框架体内，Si与石墨的接触界面处发生反应从而形成稳固的C‑Si复合结构，最终所得负极材料兼具硅的高比容量与石墨的优异导电性，当应用于锂离子电池中，表现出优异的循环稳定性和大倍率充放电性。
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公开(公告)号：CN117466298A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311369347.9
申请日：2023-10-20
申请人： 内蒙古工业大学 , 内蒙古自治区产品质量检验研究院
IPC分类号： C01B32/984 , C01B32/97 , B82Y40/00 , C10B53/00
摘要： 本发明提供了一种退役风电叶片热解制气联产碳化硅纳米线的方法，属于资源利用技术领域。本发明将退役风电叶片进行热解，得到热解气和固体产物，再将固体产物与硅粉、无机碳混合进行碳热还原后进行热处理，或将退役风电叶片与硅粉和无机碳混合后依次进行热解、碳热还原和热处理，热解气的主要成分为H2、CO、CH4和CO2，其中H2、CO、CH4可以作为燃气使用，控制碳热还原的温度和时间，调节产物的形貌，得到碳化硅纳米线，可作为吸波材料；通过本发明的方法实现退役风电叶片的综合利用，产生具有高附加价值的燃气和碳化硅纳米线，避免资源浪费，也避免了热解后的固体产物对环境造成影响，符合绿色发展理念。
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公开(公告)号：CN114261966B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202111517659.0
申请日：2021-12-13
申请人： 江西省矿产资源保障服务中心 , 江西理工大学 , 江西省煤田地质局一九五地质队
IPC分类号： C01B32/97
摘要： 本发明公开了一种利用含炭二氧化硅粉低能耗合成亚微米碳化硅球的方法，包括以下步骤：步骤一、配料：先取含炭二氧化硅粉50％‑70％和乙炔炭黑45％‑25％混合均匀，然后加粘结剂3％‑6％搅拌均匀后得混料，待用；步骤二、将步骤一所得混料压制成块并干燥；步骤三、将步骤二的块状混料装入石墨舟，送入钼丝电炉中烧制得亚微米碳化硅球。本发明采用规模化一次合成法，克服了二次合成工序复杂、耗时长、人为引入杂质等缺点，所得碳化硅为球状，粒度在100‑200nm，纯度大于99.5％；本发明基于含炭二氧化硅粉的原料基础上，实现一步合成工艺，且含炭二氧化硅粉原料获取方式是基于现有机器条件，完全可应用于工业大规模生产实践。
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公开(公告)号：CN117303369A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311231240.8
申请日：2023-09-22
申请人： 南京翔科复合材料有限公司
摘要： 一种在SiC颗粒表面原位自生SiC纳米线的方法，涉及一种在SiC颗粒表面生长SiC纳米线的方法。为解决现有的SiC纳米线分散不均匀和纳米线分散过程中完整性遭到破坏的问题。方法：SiC颗粒和碳源混合，硅源预氧化，将氧化的硅粉放置于石墨坩埚底部，在氧化的硅粉上方放置多孔陶瓷片，将混合粉末放置于多孔陶瓷片的上表面，进行SiC纳米线的生长。本发明以SiC颗粒为基底，在SiC颗粒表面生长SiC纳米线，生成的纳米线均匀分散在SiC颗粒表面。生产工艺简单，对原材料、设备和过程要求宽松，且无有害物质生成；在不损伤纳米线的情况下实现了纳米线的均匀分散，并无团聚产生。
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公开(公告)号：CN117228674A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311192991.3
申请日：2023-09-13
申请人： 嵊州市西格玛科技有限公司
发明人： 吴伟荣
IPC分类号： C01B32/984 , C01B32/97 , C23C14/06
摘要： 本发明涉及碳化硅涂层技术领域，且公开了一种CVD碳化硅涂层和及高纯化制备的方法一种CVD碳化硅涂层，包括以下原料和辅料：所述原料包括：氯铂酸粉末10‑20％、无水乙醇30‑40％和固体硅料粉40‑58％；所述辅料包括：二氧化硅微粉1.8％、氧化钇0.1％、氧化镧0.1％。该CVD碳化硅涂层和及高纯化制备的方法，通过碳化硅sic含量标准为小于99％不合格，大于99％为合格，当sic含量不合格的碳化硅被反炉时碳化硅每千克为一份，每份不合格的碳化硅添加10‑20g固体硅料粉，达到了使用浮选法对涂料进行提纯操作同时不会影响重量的有益效果，通过每份不合格的碳化硅添加10‑20g固体硅料粉，利用后续添加的纯固体硅粉来对碳化硅涂料进行补充和提纯，达到了提纯涂料精准度更高的有益效果。
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公开(公告)号：CN114835123B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202210570208.1
申请日：2022-05-24
申请人： 内蒙古海特华材科技有限公司
发明人： 王志江
IPC分类号： C01B32/97
摘要： 一种立方相碳化硅微米颗粒的制备方法，它属于碳化硅制备、半导体材料制备技术领域，它要解决现有立方晶相碳化硅粉体的制备存在成本高、反应温度高、过程不易控制、工艺复杂、产率低、纯度较低和粒径分布不均匀的问题。方法：二氧化硅微球于过氧化氢溶液中处理，得活化后硅源颗粒；制备负载乙酰丙酮锆的二氧化硅微球，在惰性气体下通入气体碳源进行高温处理，经除杂后即完成。本发明中乙酰丙酮钴为形状调节剂，二氧化硅微球为形状模板以及气态碳源之间的相互作用，有效抑制碳化硅的过饱和的线状生长，控制球型粒子形貌与粒径。方法简单温度适中、易控制，生产效率高，产品纯度高和粒径分布均匀。本发明适用于微米级立方相碳化硅颗粒的制备。
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