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公开(公告)号：CN108696145B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201810885767.5
申请日：2018-08-06
申请人： 杭州飞仕得科技股份有限公司
IPC分类号： H02M3/335 , H03K5/01 , H03K19/003 , H03K19/0175
摘要： 本发明公开了用于信号隔离传输的电路，包括变压器、电容、稳压管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、第五开关和开关管，所述第一电阻的一端接VCC电平，所述第一电阻的另一端与所述开关管的集电极连接，所述开关管的基极与第二电阻的一端连接，所述开关管的发射极与第二电阻的另一端均接地，所述第三开关、第四开关的一端均与第二电阻的一端连接，所述第三开关的另一端与第一开关的一端连接，所述第四开关的一端与第二开关的一端连接，所述第一开关的另一端和第二开关的另一端均连接VDD电平，增加了PWM信号的抗电磁干扰能力，增加了系统的可靠性，同时信号可双向传输，降低了系统的复杂度，降低了成本。
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公开(公告)号：CN117471181A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311741772.6
申请日：2023-12-18
申请人： 杭州飞仕得科技股份有限公司
IPC分类号： G01R27/26
摘要： 本发明提供一种三电平隔离器的寄生电容测量电路，包括：隔离器的输出端通过测量单元与三电平电路中第二功率管连接；三电平电路的正极到负极之间依次设置有第一功率管、第二功率管、第三功率管和第四功率管，三电平电路的母线中点与三电平电路的输出端之间设置有电感；第一功率管和第二功率管处于关断状态，第三功率管处于开通状态，第四功率管受脉冲信号控制；计算单元依据隔离器的电压变化率和测量单元的测量参数，确定隔离器的寄生电容值；在三电平电路的实际拓扑中得到隔离器寄生电容容值准确性高，而且计算在不同电压变化率下的寄生电容值，该寄生电容值与实际运行系统一致，较真实的反映真实数据。
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公开(公告)号：CN115580120B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202211442245.0
申请日：2022-11-17
申请人： 杭州飞仕得科技股份有限公司
IPC分类号： H02M1/088 , H02M1/32 , H02M7/487 , H03K17/082 , H03K17/567
摘要： 本申请公开了一种基于三电平拓扑结构的IGBT驱动保护电路，该电路包括：绝缘栅双极型晶体管IGBT、IGBT驱动电路、钳位二极管、内部体二极管、母线电容以及保护器件。通过并联于IGBT驱动电路的VSS端和OUT端之间的保护器件，可以分流由绝缘栅双极型晶体管IGBT的发射极处电压跳变引起的瞬态电流，使瞬态电流经过保护器件至绝缘栅双极型晶体管IGBT的等效输入电容，从而减少流过IGBT驱动电路的电流，达到降低IGBT驱动电路发生闩锁效应而失效的风险的效果。
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公开(公告)号：CN116073809B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202310289142.3
申请日：2023-03-23
申请人： 杭州飞仕得科技股份有限公司
IPC分类号： H03K17/567 , H03K17/041 , H02M3/335 , H02M1/32
摘要： 本申请提供一种脉冲变压器信号双向传输装置及其保护方法，该保护方法首先判断该脉冲变压器信号双向传输装置是否出现原副边信号传输竞争；若该脉冲变压器信号双向传输装置出现原副边信号传输竞争，则控制该脉冲变压器信号双向传输装置中的副边发送电路停止工作，使其退出竞争，将脉冲变压器让给原边信号传输；并在预设时长后，再控制该副边发送电路重新工作，以实现副边信号传输，保护IGBT；通过上述过程，可以分时实现原副边信号的双向传输。
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公开(公告)号：CN116073809A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310289142.3
申请日：2023-03-23
申请人： 杭州飞仕得科技股份有限公司
IPC分类号： H03K17/567 , H03K17/041 , H02M3/335 , H02M1/32
摘要： 本申请提供一种脉冲变压器信号双向传输装置及其保护方法，该保护方法首先判断该脉冲变压器信号双向传输装置是否出现原副边信号传输竞争；若该脉冲变压器信号双向传输装置出现原副边信号传输竞争，则控制该脉冲变压器信号双向传输装置中的副边发送电路停止工作，使其退出竞争，将脉冲变压器让给原边信号传输；并在预设时长后，再控制该副边发送电路重新工作，以实现副边信号传输，保护IGBT；通过上述过程，可以分时实现原副边信号的双向传输。
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公开(公告)号：CN115580120A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211442245.0
申请日：2022-11-17
申请人： 杭州飞仕得科技股份有限公司
IPC分类号： H02M1/088 , H02M1/32 , H02M7/487 , H03K17/082 , H03K17/567
摘要： 本申请公开了一种基于三电平拓扑结构的IGBT驱动保护电路，该电路包括：绝缘栅双极型晶体管IGBT、IGBT驱动电路、钳位二极管、内部体二极管、母线电容以及保护器件。通过并联于IGBT驱动电路的VSS端和OUT端之间的保护器件，可以分流由绝缘栅双极型晶体管IGBT的发射极处电压跳变引起的瞬态电流，使瞬态电流经过保护器件至绝缘栅双极型晶体管IGBT的等效输入电容，从而减少流过IGBT驱动电路的电流，达到降低IGBT驱动电路发生闩锁效应而失效的风险的效果。
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