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公开(公告)号：CN118074535A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410445004.4
申请日：2024-04-15
申请人： 杭州飞仕得科技股份有限公司
IPC分类号： H02M3/337
摘要： 本申请提供一种推挽开关电源电路，涉及电子电路技术领域。该推挽开关电源电路包括变压器、电压输入端、电压输出端、第一推挽开关电路和第二推挽开关电路；变压器的第一原边绕组的同名端和第二原边绕组的异名端均连接电压输入端，第一原边绕组的异名端连接第一推挽开关电路的正电压端，第一推挽开关电路的负电压端接地，第一推挽开关电路的控制端连接第二原边绕组的同名端；第二原边绕组的同名端连接第二推挽开关电路的正电压端，第二推挽开关电路的负电压端接地，第二推挽开关电路的控制端连接第一原边绕组的异名端；变压器的副边绕组连接电压输出端。本申请无需电源控制芯片，利用变压器磁耦合即可产生高频自激振荡，成本低，且适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN116056430A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310203111.1
申请日：2023-03-06
申请人： 杭州飞仕得科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种电机控制器总成，包括中部具有通腔的散热套，所述散热套的一端封闭，另一端设置有电容器，所述电容器与所述通腔的开口端对位封装适配，以形成能够容纳IGBT组件和控制电路板的装配腔，所述散热套的侧部设置有与所述IGBT组件和控制电路板电连接的控制端子；所述散热套为柱状件，所述通腔与所述散热套同轴布置，且所述通腔的开口端沿轴向位于所述散热套的一端。该电机控制器总成的组件结构较为精简合理，装配空间利用率较高，且其组件生产加工成本较低。本发明还公开了一种应用上述电机控制器总成的电机设备。
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公开(公告)号：CN115840096A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211420007.X
申请日：2022-11-14
申请人： 杭州飞仕得科技股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种数据采集设备及方法，用于老化测试，涉及数据采集技术领域，该设备包括：数据采集电路以及数据中心；数据采集电路与数据中心串联，数据采集电路包括多个串联的电路板；数据采集电路采集产品数据，一个电路板采集的产品数据形成一个产品数据包，向数据中心发送按照多个电路板的连接顺序排列的多个产品数据包；数据中心接收多个产品数据包，按照多个产品数据包的排列顺序以及预存的多个电路板的连接顺序确定多个产品数据包与多个电路板的对应关系。由此，通过多个产品数据包的排列顺序来确定各个产品数据包分别对应的电路板，无需通过定制唯一的地址信息来区分产品数据包对应的电路板，可以降低对数据采集设备中电路板的维护成本。
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公开(公告)号：CN117833880A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410018100.0
申请日：2024-01-05
申请人： 杭州飞仕得科技股份有限公司
IPC分类号： H03K7/08 , H03K17/567 , H03K17/687
摘要： 本申请提供了一种隔离驱动电路，包括：控制单元以及路数与PWM信号输入路数相匹配的驱动单元，PWM信号依次通过控制单元以及对应的驱动单元中的隔离单元、模拟选码开关单元、放大单元以及推挽单元进行处理，得到与PWM信号对应的门极控制信号，控制单元用于将PWM信号转换成三路选码开关信号，在模拟选码开关每路通过电阻分压，得到所需配置电压，且仅使用1个控制单元即可实现多路门极控制信号的输出，并通过故障反馈识别对于的故障路，解决了现有对于多路的门极驱动需要多个MCU同时控制，控制成本高，门极的电压完全由MCU通过数模转换生成，增加了MCU的资源占用率，且需要另外的DA转换单元，增加了电路设计的复杂性的问题。
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公开(公告)号：CN117471181A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311741772.6
申请日：2023-12-18
申请人： 杭州飞仕得科技股份有限公司
IPC分类号： G01R27/26
摘要： 本发明提供一种三电平隔离器的寄生电容测量电路，包括：隔离器的输出端通过测量单元与三电平电路中第二功率管连接；三电平电路的正极到负极之间依次设置有第一功率管、第二功率管、第三功率管和第四功率管，三电平电路的母线中点与三电平电路的输出端之间设置有电感；第一功率管和第二功率管处于关断状态，第三功率管处于开通状态，第四功率管受脉冲信号控制；计算单元依据隔离器的电压变化率和测量单元的测量参数，确定隔离器的寄生电容值；在三电平电路的实际拓扑中得到隔离器寄生电容容值准确性高，而且计算在不同电压变化率下的寄生电容值，该寄生电容值与实际运行系统一致，较真实的反映真实数据。
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公开(公告)号：CN116500407A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310476845.7
申请日：2023-04-28
申请人： 杭州飞仕得科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种结温检测方法、装置、设备以及计算机可读介质，该方法通过获取半导体器件当前的实际参考点温度和所述半导体器件的各个芯片的实际损耗；针对所述半导体器件的每一个芯片，使用所有所述芯片的实际损耗，对所述芯片的第一热阻抗进行修正，得到所述芯片的第二热阻抗；其中，所述芯片的第一热阻抗通过所述半导体器件的仿真模型计算得到；根据所述芯片的第二热阻抗、所述芯片的实际损耗以及所述半导体器件的实际参考点温度，确定出所述芯片的结温。由于芯片的第一热阻抗使用了所有芯片的实际损耗进行了修正，因此提高了最终确定出的芯片的结温的准确性。
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公开(公告)号：CN116008768B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310298760.4
申请日：2023-03-24
申请人： 杭州飞仕得科技股份有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 一种导通压降测试电路与结温测试仪，涉及电子电路技术与功率半导体可靠性领域。检测电路的第一端为导通压降测试电路的输入端，检测电路的第二端用于连接第一电压跟随电路的第一端，检测电路的第三端用于连接第二电压跟随电路的第一端，检测电路的第四端为导通压降测试电路的第一输出端；第一电压跟随电路的第二端为导通压降测试电路的第二输出端；第二电压跟随电路的第二端为导通压降测试电路的第三输出端。采用二极管作为高压阻断器件，在电路中加入了高压阻断二极管自身导通压降的测量电路，可对输出信号中包含的二极管导通压降实施精确补偿，提高待测器件导通压降的测量精度。
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公开(公告)号：CN116008769A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310298765.7
申请日：2023-03-24
申请人： 杭州飞仕得科技股份有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本申请公开了自驱式功率半导体导通压降检测电路，可应用于电力电子技术领域。第一二极管负极与待测功率半导体模块连接，正极与第一电阻第一端和第一MOS管门极连接；第一电阻第二端与第一电压源和第一MOS管源极连接；第二电阻第一端与第一MOS管漏极连接，第二端接地；第三电阻第二端与第一MOS管漏极连接，第一端与第二MOS管门极和第四电阻第一端连接；第二MOS管漏极与待测功率半导体模块连接，源极与采样模块连接；第二二极管负极与第四电阻第二端连接，正极与第二电压源连接。可见，检测电路利用MOS低导通内阻，关断高压钳位作用提高功率半导体导通压降的采样精度，同时不需要引入外部驱动回路，保证外部驱动可靠运行。
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公开(公告)号：CN115598420B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211620907.9
申请日：2022-12-16
申请人： 杭州飞仕得科技股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种计算相位延迟时间的方法、装置、设备及存储介质，该方法包括：获取半导体器件恢复阻断过程中示波器的第一通道采集的电流信号以及第二通道采集的电压信号；对电流信号或电压信号进行频域分析，得到所述电流信号或所述电压信号的振荡周期，所述电流信号与所述电压信号频率相同；对电流信号和电压信号进行时域分析，得到所述电流信号与所述电压信号之间的相位差；基于所述振荡周期以及所述相位差，计算示波器第一通道与第二通道之间的相位延迟时间，提高计算示波器两个通道间相位延迟时间的通用性。
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公开(公告)号：CN115469126B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211420008.4
申请日：2022-11-14
申请人： 杭州飞仕得科技股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种相位补偿方法及装置，该方法包括：获取半导体器件关断过程中示波器的第一通道采集的电流信号以及第二通道采集的电压信号；对所述电流信号进行微分处理，获得微分后的电流信号；根据所述微分后的电流信号的谷值对应的第一时间点与电压信号的峰值对应的第二时间点，获取相位差；根据所述相位差，对所述电流信号或电压信号进行补偿。通过将电流进行微分处理，得到在时间维度上与电压信号一致的曲线，测量出相位差，进而实现相位补偿。
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