公开(公告)号：CN1227743C

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN98108385.4

申请日：1998-05-19

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 名仓英明 ,  川岛勇 ,  中村秀和 ,  小谷寿太郎

IPC分类号： H01L29/70 ,  H01L29/76 ,  H01L21/76 ,  H01L21/31 ,  H01L21/328 ,  H01L21/334

CPC分类号： H01L21/76232

摘要： 高耐压台面型半导体器件及其制造方法，该器件具有：第1导电型的集电极区域和半导体衬底区域；第2导电型的基极区域；第1导电型的发射极区域。还具有：基极区域周围的宽度阔而浅的第1槽；第1槽区域的比第1槽宽度窄的第2槽；覆盖第2槽的电绝缘物；其中，第1槽的离基极区域表面的深度小于基极区域的厚度；第2槽的离基极区域表面的深度小于半导体衬底区域和其上的基极区域的合计厚度。或者还具有：基极区域周围的槽；和覆盖槽的电绝缘物；其中所述槽离基极区域表面的深度小于半导体衬底区域和其上的基极区域的合计厚度。在该器件中，可在台面槽的所有部分上稳定形成足够厚度的绝缘保护层，结果，可减少高耐压特性的离散度，能大幅改善因台面槽的形成、在后工序中的台面槽处裂纹及缺陷引起的成品率的下降。