公开(公告)号：CN1084907C

公开(公告)日：2002-05-15

申请号：CN97120643.0

申请日：1997-09-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山西斉 ,  青仓勇 ,  小佐野浩一 ,  井上靖 ,  酒井典夫

IPC: G11B5/23

CPC classification number: G11B5/1878 ,  G11B5/314 ,  G11B5/40 ,  Y10T428/115

Abstract: 一种磁头，包括铁氧体制成的后芯和位于磁隙附近的磁合金膜，并具有一个由TxMyNz表示的均匀组分，其中T是Fe或Co；M是从由Nb、Zr、Ta、Hf、Cr、W和Mo组成的族中选出的至少一种金属；N是氮；x、y和z是原子百分比，保持在65≤x≤94，5≤y≤25，0≤z≤20和x+y+z＝100。磁头包括氮浓度高于整个磁合金膜中所含的氮浓度的氧扩散防止部分，氧扩散防止部分被提供在与铁氧体芯交界面部分的磁合金膜上。

公开(公告)号：CN1147670A

公开(公告)日：1997-04-16

申请号：CN96108296.8

申请日：1996-07-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山西齐 ,  青仓勇 ,  小佐野浩一 ,  井上靖 ,  酒井典夫

IPC: G11B5/31

Abstract: 一种磁头，包括基底磁芯以及在该基底磁芯的两对边形成的磁合金薄膜，其薄膜内具有磁隙，磁合金薄膜由内部和外部组成，该内部位于磁隙的附近，并由用以下平均组分作为整个合金薄膜的一种合金组成，即TxMyNz，其中，T为Fe或Mo，M表示从Nb，Zr，Ta，Hf，Cr，W和Mo中选择的至少一种成分，N为氮，x，y，和z分别为原子百分数的一个值，确定65＜＝x＜＝94，5＜＝y＜＝25，0＜z＜＝20，使x+y+z＝100，其外部的氮含量高于内部的氮含量。

公开(公告)号：CN1180883A

公开(公告)日：1998-05-06

申请号：CN97120643.0

申请日：1997-09-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山西斉 ,  青仓勇 ,  小佐野浩一 ,  井上靖 ,  酒井典夫

IPC: G11B5/31

CPC classification number: G11B5/1878 ,  G11B5/314 ,  G11B5/40 ,  Y10T428/115

Abstract: 一种磁头,包括铁氧体制成的后芯和位于磁隙附近的磁合金膜,并具有一个由TxMyNz表示的均匀组分,其中T是Fe或Co;M是从由Nb、Zr、Ta、Hf、Cr、W和Mo组成的族中选出的至少一种金属;N是氮;x、y和z是原子百分比,保持在65≤x≤94,5≤y≤25,0≤z≤20和x+y+z=100。磁头包括氮浓度高于整个磁合金膜中所含的氮浓度的氧扩散防止部分,氧扩散防止部分被提供在与铁氧体芯交界面部分的磁合金膜上。