公开(公告)号：CN101243455A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200680029442.2

申请日：2006-07-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 东海林卫 ,  山冈胜 ,  佐藤孝广 ,  田中伸一 ,  古池进

IPC: G06F21/20

CPC classification number: G06F21/43 ,  G06F21/335 ,  G06F21/34 ,  G06F2221/2129 ,  G06F2221/2149 ,  G06Q40/00

Abstract: 本发明要解决的是，实现各种各样的状况中所需要的认证对象的认证中的安全性与便利性的两全。本发明的认证系统具有：接收机构，其从第1机器接收第1ID信息，从第2机器接收第2ID信息；和权限信息生成机构，其按照由上述接收机构所接收的ID信息的数目，生成权限范围不同的权限信息。由此，能够限制按照被认证的ID信息的数目所执行的权限范围，实现各种各样的状况中所需要的认证对象的认证中的安全性与便利性的两全。

公开(公告)号：CN100418236C

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN03810353.2

申请日：2003-05-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 石桥明彦 ,  横川俊哉 ,  大仲清司 ,  古池进

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/007 ,  H01L33/10 ,  H01L33/46 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/49107

Abstract: 本发明的目的在于提供一种可在以p型电极为发光观测面的半导体发光元件中，实现较高发光效率的半导体发光元件及其制造方法。该半导体发光元件的特征在于，具有：蓝宝石基板(11)；形成于该基板(11)上，在其上面具有以规定间隔形成条状的多个凹部(121)的u-GaN层(12)；形成于该u-GaN层(12)上的再生长u-GaN层(13)；形成于u-GaN层(13)上，具有n-GaN层(15)、活性层(16)及p-GaN层(19)的层压体；在层压体的一部分被除去而露出的n-GaN层(15)上形成的n型电极(24)；和形成于p-GaN层(19)之上，具有透光性的p型电极(20)，该p型电极(20)构成发光观测面，在u-GaN层(13)的下面与(121)凹部之间形成空气层(S)。

公开(公告)号：CN101208811A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200680023124.5

申请日：2006-07-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 古池进 ,  铃木正明 ,  池田忠昭 ,  永井秀男

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体发光装置。半导体发光装置(10)具有放出波长在蓝光区到紫外光区的光的半导体芯片(12)、和形成在光所通过的通过路径上的至少一部分区域中的密封部(16)。密封部(16)包含由包含基体材料(16a)及微粒(16b)的复合材料构成的密封材料(16d)、和荧光材料(16c)，该基体材料(16a)由树脂构成；所述微粒(16b)由无机材料构成，已分散在该基体材料(16a)中，所述微粒(16b)的有效粒径在基体材料(16a)内部的光的波长的四分之一以下。

公开(公告)号：CN1653624A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN03810353.2

申请日：2003-05-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 石桥明彦 ,  横川俊哉 ,  大仲清司 ,  古池进

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/007 ,  H01L33/10 ,  H01L33/46 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/49107

Abstract: 一种半导体发光元件，它具有蓝宝石基板(11)；形成于该基板(11)上，在其上面具有以规定间隔形成条状的多个凹部(121)的u－GaN层(12)；形成于该u－GaN层(12)上的再生长u－GaN层(13)；形成于u－GaN层(13)上，具有n－GaN层(15)、活性层(16)及p－GaN层(19)的层压体；在层压体的一部分被除去而露出的n－GaN层(15)上形成的n型电极(24)；和形成于p－GaN层(19)之上，具有透光性的p型电极(20)，该p型电极(20)构成发光观测面，在u－GaN层(13)的下面与(121)凹部之间形成空气层(S)。