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公开(公告)号：CN102754226B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201180008915.1
申请日：2011-04-27
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L33/40
摘要： 本发明提供一种氮化物系半导体元件及其制造方法，该氮化物系半导体元件具备生长面为m面的p型AldGaeN层(25)、在p型AldGaeN层(25)上设置的电极(30)，AldGaeN层(25)具有由厚度26nm以上60nm以下的AlxGayInzN(x+y+z＝1，x≥0，y＞0，z≥0)半导体形成的p-AldGaeN接触层(26)，p-AldGaeN接触层(26)具有含有4×1019cm-3以上2×1020cm-3以下的Mg的主体区域(26A)、和与电极(30)相接并具有1×1021cm-3以上的Mg浓度的高浓度区域(26B)。
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公开(公告)号：CN102318039B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN200980156895.5
申请日：2009-10-21
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/34 , H01L33/06 , H01L33/32
CPC分类号： C23C16/303 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L33/007
摘要： 本发明是一种通过有机金属化学气相沉积法而使发光峰值波长为500nm以上的m面InGaN层生长的氮化镓系化合物半导体的制造方法。首先，进行将反应室内的基板加热的工序(A)。其次，进行将含有In气源、Ga气源和N气源的气体供给到所述反应室内，以700℃～775℃的生长温度，使由InxGa1-xN结晶构成的m面InGaN层在所述基板上生长的工序(B)。在所述工序(B)中，将所述m面InGaN层的生长速度设定在4.5nm/分～10nm/分的范围内。
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公开(公告)号：CN103503182A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201380001192.1
申请日：2013-01-17
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L33/58
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/44 , H01L2224/13 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2933/0091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 本发明涉及氮化物半导体发光装置，其具备：具有射出偏振光且以非极性面或半极性面为生长面的有源层的氮化物半导体发光芯片；和使来自所述有源层的光透过的透光性罩，所述透光性罩具有：在所述氮化物半导体发光芯片的侧面的区域之中、配置在与所述偏振光的偏振方向垂直的方向的第一透光性部件；和配置在所述氮化物半导体发光芯片的上方的区域的第二透光性部件，所述第一透光性部件中的光的扩散透过率比所述第二透光性部件中的光的扩散透过率高。
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公开(公告)号：CN103430334A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201380000898.6
申请日：2013-02-27
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L33/22 , H01L21/205 , H01L33/32 , H01L33/50
CPC分类号： H01L33/20 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L33/025 , H01L33/16 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01L33/40 , H01L2224/14
摘要： 本申请所公开的氮化物半导体发光元件，具备如下：n侧电极；p侧电极；与n侧电极电连接的n型氮化物半导体层；具有非极性面或半极性面的主面的p型氮化物半导体层；和位于n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层之间的活性层。p型氮化物半导体层包含具有30纳米以上、50纳米以下的高度的突起，突起由不仅含有镁、而且也含有硅的p型氮化物半导体形成，p型氮化物半导体具有1.0×1017cm-3以上、6.0×1017cm-3以下的硅浓度，突起从活性层朝向p侧电极突出，氮化物半导体发光元件在俯视下，p侧电极与突起重叠，突起含有位错，且在突起的周围形成有由p型氮化物半导体形成的平坦面，并且突起具有比平坦面高的位错密度。
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公开(公告)号：CN103384922A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201280010530.3
申请日：2012-09-12
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L33/32
CPC分类号： H01L33/32 , H01L21/02458 , H01L21/0251 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L33/0058 , H01L33/025 , H01L33/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H05B33/0803 , H01L2924/00014
摘要： 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，其具有发光层，发光层包含主面为m面的InxGa1-xN阱层（0＜x≤1），InxGa1-xN阱层的In组成比x的深度方向分布（depth profile）具有多个峰，多个峰中的各个峰的In组成比x的值不同。
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公开(公告)号：CN102971875A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201180032755.4
申请日：2011-08-04
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L33/54
CPC分类号： H01L33/32 , H01L25/0753 , H01L33/16 , H01L33/54 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 在具有偏振特性的氮化物系半导体发光元件的周围，将具有圆柱形状的透光性密封部设为，圆柱形状的对称面相对于氮化物系半导体发光元件的偏振方向处于25～65度的范围。
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公开(公告)号：CN102696122A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201180004173.5
申请日：2011-03-15
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H01L21/02609 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L24/14 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2933/0016 , H01S5/0425 , H01S5/32341 , H01L2924/00
摘要： 本发明的氮化物系半导体元件，具备：具有表面(12)从m面倾斜了1°以上5°以下的角度的p型半导体区域的半导体层叠构造(20)；和设置于p型半导体区域上的电极(30)。p型半导体区域由AlxInyGazN(x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0)层(26)形成。电极(30)包含Zn层(32)，Zn层(32)与半导体层叠构造(20)中的p型半导体区域的表面相接触。
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公开(公告)号：CN102511086A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201180003898.2
申请日：2011-03-25
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L33/40
CPC分类号： H01L33/405 , H01L21/28575 , H01L24/14 , H01L29/045 , H01L29/452 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种氮化物系半导体元件及其制造方法。本发明的氮化物系半导体元件具备：半导体叠层构造(20)，其具有表面(12)相对于m面倾斜了1°以上5°以下角度的p型半导体区域；和电极(30)，其设置在p型半导体区域上。p型半导体区域由AlxInyGazN(x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0)层(26)形成。电极(30)包含Zn层(32)和形成在Zn层(32)上的Ag层(34)，Zn层(32)与半导体叠层构造(20)中的p型半导体区域的表面(12)接触。
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公开(公告)号：CN102203967A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201080002932.X
申请日：2010-09-21
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H01L29/452 , H01L21/28575 , H01L24/14 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 一种氮化物类半导体元件，具备：氮化物类半导体层叠构造，其具有表面为m面的p型半导体区域；和电极，其设置在所述p型半导体区域上，所述p型半导体区域由AlxGayInzN(x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0)半导体形成，所述电极包含Mg、Zn以及Ag。
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公开(公告)号：CN100353624C
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN03805468.X
申请日：2003-03-06
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01S5/343
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/22 , H01S5/3072 , H01S5/321 , H01S5/3211 , H01S5/343 , H01S5/34333 , H01S2304/12
摘要： 一种半导体激光器，在基板(11)上顺序层叠n型半导体层(13)、活性层(101)和p型半导体层(24)，所述活性层(101)包含由InGaN所构成的阱层，在活性层(101)和p型半导体层(24)之间，形成实质上不掺杂杂质的由氮化镓系列化合物半导体所构成的中间层(21)。利用该半导体激光器，可实现高的光输出动作下的长寿命。
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