公开(公告)号：CN1725628A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200510087439.3

申请日：2005-07-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大塚崇 ,  竹内久人 ,  新宫圭悟

IPC: H03B5/32

CPC classification number: H03B5/366 ,  H03B5/04 ,  H03B2200/0012

Abstract: 本发明提供一种能够与温度补偿控制信号及外部电压频率控制信号独立地控制MOS晶体管的阈值电压的电压型振荡器。其中具有：压电振子(3)、并联连接于压电振子(3)的负载电容。负载电容构成为：串联连接了具有将源极端子和漏极端子短路的源极·漏极端子、栅极端子的第1MOS晶体管(5)、具有将源极端子和漏极端子短路的源极·漏极端子、栅极端子的第2MOS晶体管(6)。而且还具有：将共同的第1控制信号(S1)供给到上述第1、第2MOS晶体管(5、6)的源极·漏极端子的第1控制信号产生电路(41)；和将共同的第2控制信号(S2)供给到上述第1、第2MOS晶体管(5、6)的栅极端子的第2控制信号产生电路(42)。

公开(公告)号：CN1722608A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510083395.7

申请日：2005-07-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 竹内久人 ,  新宫圭悟 ,  大塚崇

IPC: H03B5/32

CPC classification number: H03L1/022 ,  H03B5/36 ,  H03K3/011 ,  H03K3/0307 ,  H03L1/023 ,  H03L1/028 ,  H03L7/099

Abstract: 本发明提供一种结构简单、适于小型化的电压控制型振荡器。在由放大器(1)、反馈电路(2)、晶体振子(3)构成的电压控制型振荡器中，连接两个MOS晶体管(M1、M2)，作为实施此频率调整的可变电容元件，并在连接晶体振子(3)的XT端子以及XTB端子上，分别连接MOS晶体管(M1、M2)的漏极，并令MOS晶体管(M1、M2)的源极共用，通过电容(C3)连接在接地端子上，并令MOS晶体管(M1、M2)的栅极共用，将作为温度补偿信号的电压和作为电压控制信号的电压相加后施加给栅极端子，来实施频率控制。

公开(公告)号：CN1980052A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200610164270.1

申请日：2006-12-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 立山雄一 ,  大塚崇

IPC: H03B5/32 ,  H03B5/36

CPC classification number: H03B5/366

Abstract: 为提供能够与温度补偿控制信号和外部电压频率控制信号无关地控制MOS晶体管阈值电压、同时在不减小频率可变范围的情况下确保线性并减小振荡器尺寸的压控振荡器，该压控振荡器包括放大器、压电振动器、以及被布置在压电振动器的两端之间的作为负载电容器的第一负载电容器和第二负载电容器，其中，作为第一负载电容器提供的电容器包括其电容相对于输入电压具有较小改变的可变电容器，并且，作为第二负载电容器提供的电容器包括其电容相对于输入电压具有较大改变的可变电容器。这使得有可能任意确定温度补偿控制电路和外部电压频率控制电路的输出偏压。

公开(公告)号：CN1829074A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610054962.0

申请日：2006-02-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 政井茂雄 ,  立山雄一 ,  大塚崇 ,  竹内久人

IPC: H03B5/12 ,  H03B5/32 ,  H03B5/04

CPC classification number: H03B5/368

Abstract: 提供了一种MOS变容器，其中振荡频率变化较小，且电容改变电压的变化较小，并且提供了使用所述MOS变容器的压控振荡器，连接了可变静电电容器，作为包括反馈电阻器(1)、放大器(2)和晶体振动器(3)的振荡电路的负载电容器，所述可变静电电容器是在MOS晶体管(5a)和(6a)的每个的漏极/源极端子和栅极端子之间产生的，所述MOS晶体管(5a)和(6a)的每个的源极和漏极端子短路。MOS晶体管(5a)和(6a)的每个的基体端子被连接到电阻器(19)的一个端子，电压被施加到电阻器(19)的另一端子，MOS晶体管(5a)和(6a)的每个的基体端子被连接到电容器(20)的一个端子，并且电容器(20)的另一个端子接地。