公开(公告)号：CN101267202A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200810082194.9

申请日：2008-03-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 安田英司 ,  中塚忠良

IPC: H03K19/0185

CPC classification number: H03K19/0185

Abstract: 一种升压电路中使用的电流控制电路，向输入端子(IN)输入低电平电压时，晶体管(EF1)处于截止状态，第1开关电路(SW1)处于导通状态，第2开关电路(SW2)处于截止状态。因此，从升压电路(CP)输出的升压电压施加在负载(R)上。向输入端子(IN)输入高电平电压时，晶体管(EF1)处于导通状态，第1开关电路(SW1)处于截止状态，第2开关电路(SW2)处于导通状态。因此，与外部电源供给端子(VDD)同等的电压施加在负载(R)上。因此，即使在不需要升压电压时晶体管(EF1)中始终流过电流，也不会对来自升压电路(CP)的供给电流带来影响。

公开(公告)号：CN1716777A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510091310.X

申请日：2005-06-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 安田英司 ,  日高贤一 ,  升元康之 ,  中塚忠良 ,  渡边厚司 ,  多良胜司

IPC: H03K17/693 ,  H04B1/40

CPC classification number: H03K17/693

Abstract: 利用由肖特基接合方式制成的多个二极管，在形成开关用的和用于确保绝缘性的MESFET的化合物半导体基板上一体地形成能够选择多个控制电压输入端子的电压较高一方的二极管逻辑电路。接着，利用多个控制电压输入端子来控制开关用的MESFET，通过从二极管逻辑电路输出的OR电压来控制用于确保绝缘性的MFSFET。