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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102301831B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201080005977.2
申请日：2010-01-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05F3/02
CPC classification number: H03H7/0107 , H03H7/427
Abstract: 公开了一种差分传输电路，其中，实现对于静电击穿的高抗性而不劣化传输信号。该差分传输电路包括：ESD保护元件(5，6)、共模滤波器(9)、ESD保护二极管(12，13)和电阻器(14，15)。在传输线(3，4)和地之间提供ESD保护二极管(12，13)，并且ESD保护二极管(12，13)连接到传输线(3，4)和地。在共模滤波器(9)中，在传输线(3)和传输线(10)之间提供并且串联连接到传输线(3)和传输线(10)的电感器元件(7)磁耦合到在传输线(4)和传输线(11)之间提供并且串联连接到传输线(4)和传输线(11)的电感器元件(8)。在ESD保护二极管(12，13)中，其阴极连接到传输线(10，11)，其阳极连接到地。在电阻器(14，15)中，其一个端子连接到传输线(10，11)，其另一端子连接到传输线(16，17)。电阻器(16，17)的电阻值为10到15欧姆。ESD保护元件(5，6)的电容小于0.3pF。ESD保护二极管(12，13)的切幅电压小于10V。
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公开(公告)号：CN1697318A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510065056.6
申请日：2005-04-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种电子元件的制造方法，准备在表面形成有凹部的薄膜，该凹部具有第1部分和与该第1部分连接且比第1部分深的第2部分，将导电膏充填于薄膜的凹部，使导电膏的第1部分和第2部分分别充填于凹部的第1部分和第2部分。然后将薄膜的表面贴附在基板表面上。将薄膜从基板上剥离，将导电膏转印在基板的表面上，从而使导电膏的第1和第2部分转印到基板的表面上。分别对转印后导电膏的转印后的第1和第2部分进行烧成，得到导体图形的第1部分和第2部分。在导体图形上形成绝缘层，然后沿通过导体图形的第2部分的边界部切割基板、绝缘层和导体图形，从而分割成多个子基板，得到电子元件。通过该方法，电子元件在分割基板时形成侧面电极。
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公开(公告)号：CN102301831A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201080005977.2
申请日：2010-01-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05F3/02
CPC classification number: H03H7/0107 , H03H7/427
Abstract: 公开了一种差分传输电路，其中，实现对于静电击穿的高抗性而不劣化传输信号。该差分传输电路包括：ESD保护元件(5，6)、共模滤波器(9)、ESD保护二极管(12，13)和电阻器(14，15)。在传输线(3，4)和地之间提供ESD保护二极管(12，13)，并且ESD保护二极管(12，13)连接到传输线(3，4)和地。在共模滤波器(9)中，在传输线(3)和传输线(10)之间提供并且串联连接到传输线(3)和传输线(10)的电感器元件(7)磁耦合到在传输线(4)和传输线(11)之间提供并且串联连接到传输线(4)和传输线(11)的电感器元件(8)。在ESD保护二极管(12，13)中，其阴极连接到传输线(10，11)，其阳极连接到地。在电阻器(14，15)中，其一个端子连接到传输线(10，11)，其另一端子连接到传输线(16，17)。电阻器(16，17)的电阻值为10到15欧姆。ESD保护元件(5，6)的电容小于0.3pF。ESD保护二极管(12，13)的切幅电压小于10V。
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