公开(公告)号：CN1979869A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200610143302.X

申请日：2006-11-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中林隆 ,  新井秀幸 ,  日佐光男

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823456 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/10894

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其中，在相同条件下形成第二MIS晶体管(Tr2)的阈值控制层(36)和第一MIS晶体管(Tr1)的阈值控制层(26)。在相同条件下形成第二MIS晶体管(Tr2)的LDD扩散区域(34)和第三MIS晶体管(Tr3)的LDD扩散区域(44)。由此，提供了能够实现面积的进一步缩小化的半导体装置及其制造方法。