公开(公告)号：CN1533613A

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN02814459.7

申请日：2002-07-15

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 黑江章郎 ,  村松小百合 ,  村田明夫 ,  高桥健 ,  户崎善博

IPC分类号： H01L43/00 ,  G01R33/02 ,  G11B5/33

CPC分类号： G11B5/332 ,  G01R33/02 ,  G11B5/335 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T428/1171

摘要： 为了得到具有与导电性非磁性膜相对的软磁性膜、并以比较低频的载波信号能够得到较大的阻抗变化的磁阻抗型磁性传感器，具有与两端至少一对电极端的弯曲形状的曲折型导电性非磁性薄膜在多个区域相对的带状的、而且在带状的宽度方向具有易磁化轴的软磁性膜，对前述电极端加上高频载波信号、同时加上直流偏置磁场。通过对前述电极端输出的AM调制信号进行AM检波，能够将因外部磁场而变化的导电性非磁性膜的阻抗变化作为高频载信号的变化进行检测，并检测出外部磁场。

公开(公告)号：CN100356605C

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN02814459.7

申请日：2002-07-15

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 黑江章郎 ,  村松小百合 ,  村田明夫 ,  高桥健 ,  户崎善博

IPC分类号： H01L43/00 ,  G01R33/02 ,  G11B5/33

CPC分类号： G11B5/332 ,  G01R33/02 ,  G11B5/335 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T428/1171

摘要： 为了得到具有与导电性非磁性膜相对的软磁性膜、并以比较低频的载波信号能够得到较大的阻抗变化的磁阻抗型磁性传感器，具有与两端至少一对电极端的弯曲形状的曲折型导电性非磁性薄膜在多个区域相对的带状的、而且在带状的宽度方向具有易磁化轴的软磁性膜，对前述电极端加上高频载波信号、同时加上直流偏置磁场。通过对前述电极端输出的AM调制信号进行AM检波，能够将因外部磁场而变化的导电性非磁性膜的阻抗变化作为高频载信号的变化进行检测，并检测出外部磁场。

公开(公告)号：CN1643391A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN03807190.8

申请日：2003-03-24

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 村松小百合 ,  高橘健 ,  戶崎善博 ,  村田明夫

IPC分类号： G01R33/02

CPC分类号： G01R33/02

摘要： 磁检测元件通过在软磁性膜的第1磁铁心与垂直于磁路的剖面积部分地为较小的第2磁铁心之间夹有导线而构成，在导线上流有产生直流偏置磁场的直流电流和高频载频信号。选定直流电流选定以使得上述第2磁铁心的剖面积小的部分为适当直流偏置磁场强度。当将该磁检测元件置于外部磁场中时，因外部磁场强度，直流偏置磁场强度发生变化，导线的载频信号电平也发生变化。以电气信号的变化来获取载频信号电平的变化，以检测磁场的强度和方向。