公开(公告)号：CN100356605C

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN02814459.7

申请日：2002-07-15

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 黑江章郎 ,  村松小百合 ,  村田明夫 ,  高桥健 ,  户崎善博

IPC分类号： H01L43/00 ,  G01R33/02 ,  G11B5/33

CPC分类号： G11B5/332 ,  G01R33/02 ,  G11B5/335 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T428/1171

摘要： 为了得到具有与导电性非磁性膜相对的软磁性膜、并以比较低频的载波信号能够得到较大的阻抗变化的磁阻抗型磁性传感器，具有与两端至少一对电极端的弯曲形状的曲折型导电性非磁性薄膜在多个区域相对的带状的、而且在带状的宽度方向具有易磁化轴的软磁性膜，对前述电极端加上高频载波信号、同时加上直流偏置磁场。通过对前述电极端输出的AM调制信号进行AM检波，能够将因外部磁场而变化的导电性非磁性膜的阻抗变化作为高频载信号的变化进行检测，并检测出外部磁场。

公开(公告)号：CN1533613A

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN02814459.7

申请日：2002-07-15

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 黑江章郎 ,  村松小百合 ,  村田明夫 ,  高桥健 ,  户崎善博

IPC分类号： H01L43/00 ,  G01R33/02 ,  G11B5/33

CPC分类号： G11B5/332 ,  G01R33/02 ,  G11B5/335 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T428/1171

摘要： 为了得到具有与导电性非磁性膜相对的软磁性膜、并以比较低频的载波信号能够得到较大的阻抗变化的磁阻抗型磁性传感器，具有与两端至少一对电极端的弯曲形状的曲折型导电性非磁性薄膜在多个区域相对的带状的、而且在带状的宽度方向具有易磁化轴的软磁性膜，对前述电极端加上高频载波信号、同时加上直流偏置磁场。通过对前述电极端输出的AM调制信号进行AM检波，能够将因外部磁场而变化的导电性非磁性膜的阻抗变化作为高频载信号的变化进行检测，并检测出外部磁场。

公开(公告)号：CN1024602C

公开(公告)日：1994-05-18

申请号：CN90109965.1

申请日：1990-12-08

申请人： 安佩克斯系统公司

发明人： 贝弗利·R·古奇

IPC分类号： G11B5/33

CPC分类号： G11B5/335 ,  G11B5/245 ,  G11B5/332 ,  G11B5/4907

摘要： 磁换能装置包括具有一间隙的磁芯和磁各向异性材料的本体，在该本体中规定一信号传递区。控制磁通横过磁芯间隙并以两相反方向流经本体。通过改变相反方向的控制磁通的相对比例，可沿磁换能器宽度方向改变空区的位置从而扫描信号传递区。从磁存储媒介耦合到本体的空区中的磁通用于调制一基准磁通，并检测该调制以再现该记录信息。在记录模式中，信息磁通减小信号传递区的磁导率，使该磁通从本体散射并被耦合到存储媒介。

公开(公告)号：CN1052388A

公开(公告)日：1991-06-19

申请号：CN90109965.1

申请日：1990-12-08

申请人： 安佩克斯公司

发明人： 贝弗利·R·古奇

IPC分类号： G11B5/187 ,  G11B5/29

CPC分类号： G11B5/335 ,  G11B5/245 ,  G11B5/332 ,  G11B5/4907

摘要： 磁换能装置包括具有一间隙的磁芯和磁各向异性材料的本体，在该本体中规定一信号传递区。控制磁通横过磁芯间隙并以两相反方向流经本体。通过改变相反方向的控制磁通的相对比例，可沿磁换能器宽度方向改变空区的位置从而扫描信号传递区。从磁存储媒介耦合到本体的空区中的磁通用于调制一偏置磁通，并检测该调制以再现该记录信息。在记录模式中，信息磁通减小信号传递区的磁导率，使该磁通从本体散射并被耦合到存储媒介。