公开(公告)号：CN1578120A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410063607.0

申请日：2004-07-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中山雅央 ,  高木恒洋 ,  稻森正彦 ,  本吉要

IPC: H03F3/189 ,  H03G3/20 ,  H01P1/22

CPC classification number: H03G3/3042 ,  H03F2200/72 ,  H03G1/007 ,  H04B2001/0416

Abstract: 信号输入端子和信号输出端子之间串联插入第1FET，信号输入端子和接地端子之间及信号输出端子和接地端子之间分别并联插入第2及第3FET。设置第1及第2基准电压端子和控制端子，向第1FET施加第1基准电压和控制电压，分别向第2及第3FET施加第2基准电压和控制电压，从而使第1、第2及第3FET作为可变电阻动作。从而，构成增益控制电路。而且，第1FET设置成与第1电阻并联，第2及第3FET设置成分别与第2及第3电阻串联。

公开(公告)号：CN1577954A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410062927.4

申请日：2004-07-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 稻森正彦 ,  高木恒洋 ,  中山雅央 ,  本吉要

IPC: H01P1/22 ,  H04B1/04 ,  H04B7/26

CPC classification number: H03G3/3042

Abstract: 具有与信号线A连接的基于至少1个以上的场效应晶体管的串联可变电阻及在信号输出部A与基准电位部GND之间连接的基于至少1个以上的场效应晶体管的并联可变电阻，还具有与信号线A并联设置的信号线B所连接的基于至少1个以上的场效应晶体管的串联可变电阻及在信号输出部B与基准电位部GND之间连接的基于至少1个以上的场效应晶体管的并联可变电阻。

公开(公告)号：CN1577954B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200410062927.4

申请日：2004-07-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 稻森正彦 ,  高木恒洋 ,  中山雅央 ,  本吉要

IPC: G06F1/00

CPC classification number: H03G3/3042

Abstract: 具有与信号线A连接的基于至少1个以上的场效应晶体管的串联可变电阻及在信号输出部A与基准电位部GND之间连接的基于至少1个以上的场效应晶体管的并联可变电阻，还具有与信号线A并联设置的信号线B所连接的基于至少1个以上的场效应晶体管的串联可变电阻及在信号输出部B与基准电位部GND之间连接的基于至少1个以上的场效应晶体管的并联可变电阻。

公开(公告)号：CN1738195A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200510084642.5

申请日：2005-07-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中山雅央 ,  高木恒洋 ,  稻森正彦 ,  本吉要

IPC: H03G3/10 ,  H03F3/193

CPC classification number: H03G1/007

Abstract: 增益控制电路12包括作为可变电阻器工作的FET 41。将施加到栅极控制端子23的控制电压VC提供给FET 41的栅极。将由参考电压电路13获得的参考电压Vref1提供给FET 41的源极和漏极。控制参考电压Vref1以便补偿FET 41的阈值电压的变化。FET 41的电阻值根据控制电压VC变化，并且因此高频放大电路10的增益也连续变化。