宽带高频线性放大器及集成电路芯片

    公开(公告)号:CN100514848C

    公开(公告)日:2009-07-15

    申请号:CN02823290.9

    申请日:2002-10-04

    IPC分类号: H03F3/04

    摘要: 本发明涉及一种具有自动偏置电源控制的高增益宽带RF放大器(120)。放大器(120)包括由连接在共同源极连接(106)和放大器信号输入端RFIN之间的FET(108)偏置的具有共同源极连接(106)的场效应晶体管(FET)对(102,104)。偏置电压(VB1)被施加到设备(108)的栅极,而自动增益控制电压(VAGC)被施加到FET对(102,104)的栅极。自动偏置电源电路(122)是包括电阻(124,126),电容器(128)和放大器(130)的有源负载。电容器(128)被连接在放大器(130)的负输入端(132)和输出端(134)之间。负载参考电压VO被提供到正输入端。电阻(124)被连接在放大器(130)的输出端(134)和FET(104)的漏极处的放大器输出端(136)之间。电阻(126)被连接在FET(104)漏极处的输出端(136)和提供放大器负载信号反馈的放大器(130)的负输入端(132)之间。

    用于低成本接收机电路的LNA电路

    公开(公告)号:CN102386856B

    公开(公告)日:2014-08-13

    申请号:CN201110190751.0

    申请日:2011-06-27

    发明人: A·A·拉菲

    IPC分类号: H03F1/26 H04B1/16

    摘要: 描述了用于低成本接收机电路的LNA电路。其中,一种低噪声放大器(LNA)包括:用于接收输入信号的输入端子;用于提供与输入信号关联的输出信号的输出端子。LNA还包括第一晶体管,该第一晶体管具有:通过第一电容器耦合于输入端子的第一源极、被配置成接收第一直流(DC)偏置信号的第一栅极、以及耦合于输出端子的第一漏极。LNA还包括第二晶体管,该第二晶体管具有:通过第二电容器耦合于输入端子的第二源极、被配置成接收第二DC偏置信号的第二栅极、以及耦合于输出端子的第二漏极。