公开(公告)号：CN102893368A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201080066799.4

申请日：2010-09-13

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  剑桥企业有限公司

Inventor： 山下嘉久 ,  K·K·班戈 ,  H·斯林格霍斯

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1283 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02628 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明的一个方面涉及一种用于制造非晶金属氧化物半导体的方法。在实施例中，通过作为开始要素的混合溶液在基板上沉积膜。例如，所述混合溶液在溶剂中至少包括醇铟和醇锌。通过在例如包括其端点值的210至275摄氏度的温度范围下在水蒸气气氛中的热退火来固化由在所述基板上的所述混合溶液制造的膜。

公开(公告)号：CN102893368B

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201080066799.4

申请日：2010-09-13

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  剑桥企业有限公司

Inventor： 山下嘉久 ,  K·K·班戈 ,  H·斯林格霍斯

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1283 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02628 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明的一个方面涉及一种用于制造非晶金属氧化物半导体的方法。在实施例中，通过作为开始要素的混合溶液在基板上沉积膜。例如，所述混合溶液在溶剂中至少包括醇铟和醇锌。通过在例如包括其端点值的210至275摄氏度的温度范围下在水蒸气气氛中的热退火来固化由在所述基板上的所述混合溶液制造的膜。