公开(公告)号：CN108029164A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680053520.6

申请日：2016-08-25

Applicant: 柯尼卡美能达株式会社

Inventor： 奥山真人 ,  小渕礼子

IPC: H05B33/04 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明的技术在于，提供一种具备具有高的阻气性能的密封层的电子器件，及使用有该密封层的电子器件的密封方法。本发明的电子器件为在基材上具有功能性元件及密封该功能性元件的密封层的电子器件，其中，所述密封层是含有第12～14族的非过渡金属(M1)的氧化物的第1阻气层和与该第1阻气层相接而配置的含有过渡金属(M2)的氧化物的第2阻气层的叠层体；或者是含有所述非过渡金属(M1)及所述过渡金属(M2)的复合氧化物的阻气层；或者是具有含有该复合氧化物的区域。

公开(公告)号：CN108029164B

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201680053520.6

申请日：2016-08-25

Applicant: 柯尼卡美能达株式会社

Inventor： 奥山真人 ,  小渕礼子

IPC: H01L51/50

Abstract: 本发明的技术在于，提供一种具备具有高的阻气性能的密封层的电子器件，及使用有该密封层的电子器件的密封方法。本发明的电子器件为在基材上具有功能性元件及密封该功能性元件的密封层的电子器件，其中，所述密封层是含有第12～14族的非过渡金属(M1)的氧化物的第1阻气层和与该第1阻气层相接而配置的含有过渡金属(M2)的氧化物的第2阻气层的叠层体；或者是含有所述非过渡金属(M1)及所述过渡金属(M2)的复合氧化物的阻气层；或者是具有含有该复合氧化物的区域。