公开(公告)号：CN117981498A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202280061510.2

申请日：2022-09-06

申请人： 柯尼卡美能达株式会社

发明人： 松下裕司 ,  原慎太郎 ,  真岛秀树

IPC分类号： H10N30/853 ,  H10N30/045 ,  H10N30/076 ,  H10N30/20

摘要： 本发明的课题在于提供一种机电耦合系数高的压电元件、以及具备该压电元件的压电致动器、液滴吐出头、液滴吐出装置及铁电体存储器。本发明的压电元件具备第1电极、第2电极以及位于所述第1电极以及所述第2电极之间的锆钛酸铅膜，其特征在于，该压电元件被制作在主面为(001)面的Si基板上，所述Si基板在面内方向以及面外方向上晶体方位一致，所述Si基板的(110)面和所述锆钛酸铅膜的(100)面平行，在X射线衍射法的摇摆曲线测定中，能够用3个分量波峰拟合利用从所述Si基板的[100]方向入射的X射线取得的锆钛酸铅膜的对称面反射的波峰。

公开(公告)号：CN117426156A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202280039712.7

申请日：2022-05-19

申请人： 柯尼卡美能达株式会社

发明人： 松下裕司 ,  原慎太郎 ,  真嶋秀树

IPC分类号： H10N30/853

摘要： 本发明的压电元件是具备第一电极、第二电极、以及位于上述第一电极与上述第二电极之间的压电体膜的压电元件，其特征在于，上述第一电极是在驱动时被施加相对正电压的电极，上述第二电极是在驱动时被施加相对负电压的电极，并且，在气氛温度80℃下施加电场10V/μm的老化试验中根据下述对数近似式得到的系数A为‑4.200×10‑2以上，Φ2＝A×ln(t)+B，其中，Φ2：对第一电极施加正电场12.68V/μm时的第二电极与压电体膜之间的肖特基势垒高度[eV]，t：老化时间[h]，A：系数，B：系数。