公开(公告)号：CN105985768A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201610146065.6

申请日：2016-03-15

Applicant: 柯尼卡美能达株式会社

Inventor： 山根千草 ,  午菴一贺 ,  川崎秀和 ,  柏木恒雄 ,  藤枝洋一

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/88 ,  C09K11/56 ,  C09K11/70 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C09K11/02 ,  C09K11/565 ,  C09K11/70 ,  C09K15/12 ,  C09K15/322 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C09K11/56 ,  C09K11/88

Abstract: 本发明提供一种具有充分的荧光强度的被包覆的半导体纳米粒子。本发明的被包覆的半导体纳米粒子的制造方法涉及一种制造被包覆的半导体纳米粒子的方法，所述被包覆的半导体纳米粒子含有：半导体纳米粒子，其具有核/壳结构；和透光性包覆层，其含有包覆所述半导体纳米粒子的硅。而且，所述被包覆的半导体纳米粒子的制造方法包括：在抗氧化剂的存在下，使所述半导体纳米粒子和硅烷化合物接触的工序，所述抗氧化剂具有磷原子及硫原子中的至少一种，且含有选自不具有羟基的化合物中的至少一种。