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公开(公告)号:CN105985768A
公开(公告)日:2016-10-05
申请号:CN201610146065.6
申请日:2016-03-15
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
CPC classification number: C09K11/02 , C09K11/565 , C09K11/70 , C09K15/12 , C09K15/322 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/56 , C09K11/88
Abstract: 本发明提供一种具有充分的荧光强度的被包覆的半导体纳米粒子。本发明的被包覆的半导体纳米粒子的制造方法涉及一种制造被包覆的半导体纳米粒子的方法,所述被包覆的半导体纳米粒子含有:半导体纳米粒子,其具有核/壳结构;和透光性包覆层,其含有包覆所述半导体纳米粒子的硅。而且,所述被包覆的半导体纳米粒子的制造方法包括:在抗氧化剂的存在下,使所述半导体纳米粒子和硅烷化合物接触的工序,所述抗氧化剂具有磷原子及硫原子中的至少一种,且含有选自不具有羟基的化合物中的至少一种。
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公开(公告)号:CN103481482A
公开(公告)日:2014-01-01
申请号:CN201310225151.2
申请日:2013-06-07
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
CPC classification number: B29C47/92 , B29C47/0023 , B29C47/8835 , B29C47/884 , B29C47/904 , B29C2947/92561 , B29C2947/92704 , B29C2947/92895 , B29C2947/92904 , B29C47/0004 , B29C47/882 , C08K3/04 , C08L77/02
Abstract: 本发明是一种导电性树脂成型体的制造方法,具有:将对热塑性树脂和导电性材料进行混炼而得到的无晶须的树脂原料投入到挤出机,从配置于挤出机前端的挤出模挤出熔融树脂的第1工序和将熔融树脂冷却使其固化并进行整形的第2工序,其中,热塑性树脂使用尼龙12,导电性材料使用乙炔黑,制造结晶化度0%~25%的导电性树脂成型体。
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公开(公告)号:CN103481482B
公开(公告)日:2017-04-26
申请号:CN201310225151.2
申请日:2013-06-07
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
CPC classification number: B29C47/92 , B29C47/0023 , B29C47/8835 , B29C47/884 , B29C47/904 , B29C2947/92561 , B29C2947/92704 , B29C2947/92895 , B29C2947/92904
Abstract: 本发明是一种导电性树脂成型体的制造方法,具有:将对热塑性树脂和导电性材料进行混炼而得到的无晶须的树脂原料投入到挤出机,从配置于挤出机前端的挤出模挤出熔融树脂的第1工序和将熔融树脂冷却使其固化并进行整形的第2工序,其中,热塑性树脂使用尼龙12,导电性材料使用乙炔黑,制造结晶化度0%~25%的导电性树脂成型体。
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