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公开(公告)号：CN105793745A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201480066497.5
申请日：2014-12-05
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Inventor： 河村朋纪
CPC classification number: B32B27/38 , B32B27/18 , B32B2307/412 , B32B2307/7242 , B32B2457/202 , B32B2551/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明的课题是提供能够长期地抑制氧、水等的侵入引起的半导体纳米粒子的劣化、透明性优异的光学膜。就该光学膜而言，其特征在于，在基材101上具备金属氧化物气体阻隔层102、107、和含有半导体纳米粒子104及紫外线固化树脂的半导体纳米粒子层105，在半导体纳米粒子层105与金属氧化物气体阻隔层102、107的界面含有来自金属醇盐或金属螯合物的金属，或者，在半导体纳米粒子层105与金属氧化物气体阻隔层102、107之间具备含有来自金属醇盐或金属螯合物的金属的中间层103、106。
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公开(公告)号：CN108349210B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201680066364.7
申请日：2016-11-02
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Inventor： 河村朋纪
Abstract: 本发明的课题是提供气体阻隔性良好、辊卷取时的表背面接触引起的气体阻隔性的降低小、并且裁切时的裂纹的产生得到了抑制的气体阻隔膜。该气体阻隔膜的特征在于，在通过X射线光电子分光法得到的光谱中，将气体阻隔层的层厚方向的由来自硅原子、氧原子和碳原子的峰强度的比率所换算的组成比的合计量设为100％时，基于与碳原子有关的C1s的波形解析的由来自于C‑C、C＝C和C‑H键的峰强度的比率所换算的组成比的比例X(％)满足：将上述气体阻隔层的最表面的层厚设为0％、将与上述基材的界面的层厚设为100％时层厚5～30％区域中的上述比例X的最大值(％)为5～41(％)的范围内。
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公开(公告)号：CN109415805B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201780040108.5
申请日：2017-04-27
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
IPC: C23C16/42 , B32B27/00 , C23C16/509 , H01L21/312
Abstract: 本发明提供具有优异的气体阻隔性且透明性优异的气体阻隔性膜的制造方法。本发明涉及一种气体阻隔性膜的制造方法，包括使用组合物通过等离子体化学气相蒸镀法在基材上形成气体阻隔层的步骤，上述组合物含有选自Sn、Pt和Au中的至少一种金属元素0.1～10μg/L以及有机硅氧烷化合物。
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公开(公告)号：CN108349210A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680066364.7
申请日：2016-11-02
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Inventor： 河村朋纪
Abstract: 本发明的课题是提供气体阻隔性良好、辊卷取时的表背面接触引起的气体阻隔性的降低小、并且裁切时的裂纹的产生得到了抑制的气体阻隔膜。该气体阻隔膜的特征在于，在通过X射线光电子分光法得到的光谱中，将气体阻隔层的层厚方向的由来自硅原子、氧原子和碳原子的峰强度的比率所换算的组成比的合计量设为100％时，基于与碳原子有关的C1s的波形解析的由来自于C-C、C＝C和C-H键的峰强度的比率所换算的组成比的比例X(％)满足：将上述气体阻隔层的最表面的层厚设为0％、将与上述基材的界面的层厚设为100％时层厚5～30％区域中的上述比例X的最大值(％)为5～41(％)的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105793745B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201480066497.5
申请日：2014-12-05
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Inventor： 河村朋纪
Abstract: 本发明的课题是提供能够长期地抑制氧、水等的侵入引起的半导体纳米粒子的劣化、透明性优异的光学膜。就该光学膜而言，其特征在于，在基材101上具备金属氧化物气体阻隔层102、107、和含有半导体纳米粒子104及紫外线固化树脂的半导体纳米粒子层105，在半导体纳米粒子层105与金属氧化物气体阻隔层102、107的界面含有来自金属醇盐或金属螯合物的金属，或者，在半导体纳米粒子层105与金属氧化物气体阻隔层102、107之间具备含有来自金属醇盐或金属螯合物的金属的中间层103、106。
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公开(公告)号：CN110114897B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201780081021.2
申请日：2017-12-08
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供耐弯曲性优异且高温·高湿环境下的耐久性优异的电子设备。本发明的电子设备(10)是利用气体阻隔性的密封层(40)密封配置在基板(20)上的多个功能构成部的电子设备(10)，将从该多个功能构成部中随机选出的相邻的二个功能构成部设为有机EL元件部(11)(第一构成部)和有机光电转换元件部(12)(第二构成部)时，在随机选出的与基准面(44)垂直的截面中，有机EL元件部(11)上的密封层(40)的最大高度h1max和有机光电转换元件部(12)上的密封层(40)的最大高度h2max分别为0.2～3.0mm的范围内，且有机EL元件部(11)与有机光电转换元件部(12)之间的最短距离dmin为1～100mm的范围内。
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公开(公告)号：CN110114897A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201780081021.2
申请日：2017-12-08
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供耐弯曲性优异且高温·高湿环境下的耐久性优异的电子设备。本发明的电子设备(10)是利用气体阻隔性的密封层(40)密封配置在基板(20)上的多个功能构成部的电子设备(10)，将从该多个功能构成部中随机选出的相邻的二个功能构成部设为有机EL元件部(11)(第一构成部)和有机光电转换元件部(12)(第二构成部)时，在随机选出的与基准面(44)垂直的截面中，有机EL元件部(11)上的密封层(40)的最大高度h1max和有机光电转换元件部(12)上的密封层(40)的最大高度h2max分别为0.2～3.0mm的范围内，且有机EL元件部(11)与有机光电转换元件部(12)之间的最短距离dmin为1～100mm的范围内。
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公开(公告)号：CN109415805A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780040108.5
申请日：2017-04-27
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
IPC: C23C16/42 , B32B27/00 , C23C16/509 , H01L21/312
Abstract: 本发明提供具有优异的气体阻隔性且透明性优异的气体阻隔性膜的制造方法。本发明涉及一种气体阻隔性膜的制造方法，包括使用组合物通过等离子体化学气相蒸镀法在基材上形成气体阻隔层的步骤，上述组合物含有选自Sn、Pt和Au中的至少一种金属元素0.1～10μg/L以及有机硅氧烷化合物。
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