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公开(公告)号：CN108290376B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201680067287.7
申请日：2016-10-03
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
IPC: B32B9/00
Abstract: 本发明的课题在于提供一种气体阻隔性优异且即便在高温高湿下耐弯曲性也高的气体阻隔性膜。本发明的气体阻隔性膜的特征在于，在基膜上具备气体阻隔层，上述气体阻隔层含有Si原子、O原子和C原子，基于在上述气体阻隔层的从与上述基膜相反的一侧的表面到上述基膜侧的表面为止的层厚方向的0～100％的位置利用X射线光电子能谱法测定的C1s的波形解析的、表示C－C键与C－C、C－SiO、C－O、C＝O和C＝OO各键的合计的比率的C－C键分布曲线在75～100％的层厚方向的位置具有至少一个极大值。
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公开(公告)号：CN105658424A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201480057575.5
申请日：2014-10-23
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
CPC classification number: C08J7/045 , C08J7/042 , C08J2367/02 , C08J2483/00 , C23C16/401 , C23C16/545
Abstract: 本发明的目的在于提供气体阻隔性能优异、构成气体阻隔性膜的层彼此的密合性提高、进而即使将气体阻隔性膜弯曲也抑制气体阻隔性能的下降的气体阻隔性膜。本发明涉及气体阻隔性膜，其依次包含：基材；通过等离子体化学气相生长法形成、含有硅、氧及碳的第1层；和将涂布含有聚硅氮烷的液体而形成的涂膜进行改性处理所得到的第2层，构成上述第1层的最表面的粒子的平均粒径为10～40nm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108349211B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201680067353.0
申请日：2016-10-03
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供不仅气体阻隔性而且透明性也优异的气体阻隔性膜、照明装置和显示装置。本发明的气体阻隔性膜的特征在于，在基膜的至少一侧的表面上具有至少含有Si原子、O原子和C原子的气体阻隔层，气体阻隔层中的利用X射线光电子能谱法得到的C含量的平均值为15atm％以下，且基于气体阻隔层的层厚的深度方向的C1s的波形分析的相对于C－SiO键、C－C键、C－O键、C＝O键和C＝OO键的合计量(100％)的C＝O键和C＝OO键的总和的平均值为8％以下。另外，其特征在于，由气体阻隔层的深度方向的C1s的波形分析得到的C－C键的比率的最大的极值和最小的极值之差为15％～95％。
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公开(公告)号：CN108349211A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680067353.0
申请日：2016-10-03
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供不仅气体阻隔性而且透明性也优异的气体阻隔性膜、照明装置和显示装置。本发明的气体阻隔性膜的特征在于，在基膜的至少一侧的表面上具有至少含有Si原子、O原子和C原子的气体阻隔层，气体阻隔层中的利用X射线光电子能谱法得到的C含量的平均值为15atm％以下，且基于气体阻隔层的层厚的深度方向的C1s的波形分析的相对于C－SiO键、C－C键、C－O键、C＝O键和C＝OO键的合计量(100％)的C＝O键和C＝OO键的总和的平均值为8％以下。另外，其特征在于，由气体阻隔层的深度方向的C1s的波形分析得到的C－C键的比率的最大的极值和最小的极值之差为15％～95％。
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公开(公告)号：CN109415805A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780040108.5
申请日：2017-04-27
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
IPC: C23C16/42 , B32B27/00 , C23C16/509 , H01L21/312
Abstract: 本发明提供具有优异的气体阻隔性且透明性优异的气体阻隔性膜的制造方法。本发明涉及一种气体阻隔性膜的制造方法，包括使用组合物通过等离子体化学气相蒸镀法在基材上形成气体阻隔层的步骤，上述组合物含有选自Sn、Pt和Au中的至少一种金属元素0.1～10μg/L以及有机硅氧烷化合物。
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公开(公告)号：CN109415805B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201780040108.5
申请日：2017-04-27
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
IPC: C23C16/42 , B32B27/00 , C23C16/509 , H01L21/312
Abstract: 本发明提供具有优异的气体阻隔性且透明性优异的气体阻隔性膜的制造方法。本发明涉及一种气体阻隔性膜的制造方法，包括使用组合物通过等离子体化学气相蒸镀法在基材上形成气体阻隔层的步骤，上述组合物含有选自Sn、Pt和Au中的至少一种金属元素0.1～10μg/L以及有机硅氧烷化合物。
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公开(公告)号：CN108290376A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680067287.7
申请日：2016-10-03
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
IPC: B32B9/00
Abstract: 本发明的课题在于提供一种气体阻隔性优异且即便在高温高湿下耐弯曲性也高的气体阻隔性膜。本发明的气体阻隔性膜的特征在于，在基膜上具备气体阻隔层，上述气体阻隔层含有Si原子、O原子和C原子，基于在上述气体阻隔层的从与上述基膜相反的一侧的表面到上述基膜侧的表面为止的层厚方向的0～100％的位置利用X射线光电子能谱法测定的C1s的波形解析的、表示C－C键与C－C、C－SiO、C－O、C＝O和C＝OO各键的合计的比率的C－C键分布曲线在75～100％的层厚方向的位置具有至少一个极大值。
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