公开(公告)号：CN1202558C

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN02131623.6

申请日：2002-09-11

申请人： 株式会社东芝

发明人： 小寺雅子 ,  松井嘉孝

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/02063 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

摘要： 半导体装置的制造方法，包含：准备具备半导体基片、p型半导体层、n型半导体层、被形成在半导体基片上的具有多个开口的绝缘膜、被形成在上述开口内以及上述绝缘膜上的导体的基体，在研磨衬垫表面与基体的器件面接触的状态下，一边向该研磨衬垫和该基体之间提供膏剂，一边进行化学式机械研磨，除去绝缘膜上的导体，在上述多个开口内分别形成配线，在使上述基体的器件面和上述研磨衬垫表面接触的状态下，在该研磨衬垫和该基体之间，提供从由阳极水、使水溶解具有酸性的气体的第1溶液、使水含有游离原子·分子的第2溶液、阴极水，以及使水溶解具有还原性的气体的第3溶液组成的组中选择出的至少1种液体，解除上述研磨衬垫对上述基体的紧密接触。

公开(公告)号：CN1212651C

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN02144068.9

申请日：2002-09-29

申请人： 株式会社东芝

发明人： 松井嘉孝 ,  小助川広志 ,  小寺雅子 ,  宫下直人

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/465 ,  C25F3/16 ,  C25F7/00

CPC分类号： C25F3/00 ,  H01L21/32115

摘要： 通过在电解液内在阳电极与反电极之间施加电压，同时使所述阳电极与靶材料的表面接触，电解抛光靶材料。阳电极由一种电极材料形成，在使用恒电势器的电化学测量中，在0.1M的高氯酸溶液内，相对于银/氯化银电极，施加+2.5V电压时，该电极材料具有不高于10mA/cm2的电流密度。

公开(公告)号：CN1411039A

公开(公告)日：2003-04-16

申请号：CN02144068.9

申请日：2002-09-29

申请人： 株式会社东芝

发明人： 松井嘉孝 ,  小助川広志 ,  小寺雅子 ,  宫下直人

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/465 ,  C25F3/16 ,  C25F7/00

CPC分类号： C25F3/00 ,  H01L21/32115

摘要： 通过在电解液内在阳电极与反电极之间施加电压，同时使所述阳电极与靶材料的表面接触，电解抛光靶材料。阳电极由一种电极材料形成，在使用恒电势器的电化学测量中，在0.1M的高氯酸溶液内，相对于银/氯化银电极，施加+2.5V电压时，该电极材料具有不高于10mA/cm2的电流密度。

公开(公告)号：CN101009240A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200710004333.1

申请日：2007-01-23

申请人： 株式会社东芝

发明人： 小寺雅子

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/321

CPC分类号： H01L21/76843 ,  C25F3/02 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32125 ,  H01L21/7684

摘要： 一种用于制造半导体器件的方法，包括在衬底上形成其中限定有开口的阻挡金属膜，当在所述衬底表面和所述开口内壁上形成所述阻挡金属膜之后，在所述阻挡金属膜上形成含铜膜，以及抛光所述含铜膜和所述阻挡金属膜，在暴露所述含铜膜和所述阻挡金属膜的状态下对所述衬底施加电压。

公开(公告)号：CN1444259A

公开(公告)日：2003-09-24

申请号：CN03119529.6

申请日：2003-03-10

申请人： 株式会社东芝

发明人： 松井嘉孝 ,  小寺雅子

IPC分类号： H01L21/321 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/02071 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76883

摘要： 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包含以下工序：在半导体衬底上形成将包含Ti或Ta的阻挡层金属以及铜布线露出表面的结构，或在半导体衬底上形成将Ti、W、及Cu中的至少一个、以及Al露出表面的布线结构，向所述结构或布线结构的表面供给溶解了氢气的氢溶存溶液。

公开(公告)号：CN1405838A

公开(公告)日：2003-03-26

申请号：CN02131623.6

申请日：2002-09-11

申请人： 株式会社东芝

发明人： 小寺雅子 ,  松井嘉孝

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/02063 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

摘要： 半导体装置的制造方法，包含：准备具备半导体基片、p型半导体层、n型半导体层、被形成在半导体基片上的具有多个开口的绝缘膜、被形成在上述开口内以及上述绝缘膜上的导体的基体，在研磨衬垫表面与基体的器件面接触的状态下，一边向该研磨衬垫和该基体之间提供膏剂，一边进行化学式机械研磨，除去绝缘膜上的导体，在上述多个开口内分别形成配线，在使上述基体的器件面和上述研磨衬垫表面接触的状态下，在该研磨衬垫和该基体之间，提供从由阳极水、使水溶解具有酸性的气体的第1溶液、使水含有游离原子·分子的第2溶液、阴极水，以及使水溶解具有还原性的气体的第3溶液组成的组中选择出的至少1种液体，解除上述研磨衬垫对上述基体的紧密接触。