公开(公告)号：CN105990125A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510977715.7

申请日：2015-12-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 高野英治

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明的实施方式提供能够确保生产性且以低成本进行半导体基板的薄化的半导体装置的制造方法及积层体。本实施方式的半导体装置的制造方法，在半导体基板中的与应研削的第1面为相反侧的第2面形成含有树脂的支撑体，在所述支撑体上形成导电膜，通过对第1面进行研削而使半导体基板的厚度变薄，去除支撑体及导电膜。

公开(公告)号：CN105990124A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510848886.X

申请日：2015-11-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 白河达彦 ,  高桥健司 ,  高野英治 ,  志摩真也

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/263 ,  B32B43/00

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L21/304 ,  B32B43/006 ,  H01L21/263

Abstract: 本发明的实施方式提供一种能提高支撑基板的材料选择自由度的半导体装置的制造方法及半导体装置的制造装置。本实施方式的半导体装置的制造方法是对具备半导体基板、支撑基板及接合层的积层体，从支撑基板侧照射具有0.11至0.14eV的能量的电磁波，所述支撑基板含有硅，所述接合层配置在半导体基板与支撑基板之间，且将半导体基板与支撑基板接合。而且，在半导体装置的制造方法中，将半导体基板从支撑基板分离。

公开(公告)号：CN104064506B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310364759.3

申请日：2013-08-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 高野英治

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386

Abstract: 本发明公开一种半导体装置的制造方法。在半导体装置的制造方法中，在第1基板的一方的主面上设置第1粘接剂层。经由第2粘接剂层贴合第1基板和第2基板，对于第2粘接剂层，具有热硬化性，与贴合在第1基板的第2基板及第1基板之间的粘附力比与第1粘接剂层间的粘附力大，以及覆盖第1粘接剂层的表面。研磨第1基板的另一方的主面，薄化第1基板。向第2粘接剂层的周边部施加物理的力，形成沿着第2粘接剂层的外周的环状的切口部。在第1粘接剂和第2粘接剂的界面分离第1基板和第2基板。切口部形成为，外周位于比第2粘接剂层的外周更靠内侧，内周比第1粘接剂层的外周更靠内侧，并且，在与第2基板间留下第2粘接剂层。

公开(公告)号：CN104064506A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201310364759.3

申请日：2013-08-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 高野英治

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386

Abstract: 本发明公开一种半导体装置的制造方法。在半导体装置的制造方法中，在第1基板的一方的主面上设置第1粘接剂层。经由第2粘接剂层贴合第1基板和第2基板，对于第2粘接剂层，具有热硬化性，与贴合在第1基板的第2基板及第1基板之间的粘附力比与第1粘接剂层间的粘附力大，以及覆盖第1粘接剂层的表面。研磨第1基板的另一方的主面，薄化第1基板。向第2粘接剂层的周边部施加物理的力，形成沿着第2粘接剂层的外周的环状的切口部。在第1粘接剂和第2粘接剂的界面分离第1基板和第2基板。切口部形成为，外周位于比第2粘接剂层的外周更靠内侧，内周比第1粘接剂层的外周更靠内侧，并且，在与第2基板间留下第2粘接剂层。