公开(公告)号：CN105990207B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201510098261.6

申请日：2015-03-05

申请人： 东芝存储器株式会社

发明人： 志摩真也 ,  高桥健司

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/78 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/6835 ,  B23K26/00 ,  B32B43/006 ,  B32B2310/0831 ,  B32B2310/0843 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386

摘要： 本发明的实施方式提供一种半导体装置的制造方法及半导体制造装置，能以容易且廉价的顺序从第一衬底粘接于第二衬底而成的衬底剥离所述第一衬底。根据实施方式，所述制造方法具有以下步骤：在第一衬底的背面侧贴附贴片，所述第一衬底于表面的外周部具有粘接层的一部分，隔着所述粘接层及剥离层而设置有第二衬底，且形成有半导体元件，所述贴片涂布有粘接强度会因紫外线照射而降低的粘接剂；从所述贴片的背面对设置于所述第一衬底的外周部的所述粘接剂部分照射紫外线而使粘接强度降低；以及在粘接强度降低的所述粘接剂部分及所述剥离层部分，将贴附于所述贴片的状态下的所述第一衬底剥离而使其与所述第二衬底分离。

公开(公告)号：CN104517899B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201410521267.5

申请日：2014-09-30

申请人： 株式会社迪思科

发明人： 山下阳平 ,  古田健次 ,  淀良彰

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  B23K26/53

CPC分类号： H01L21/78 ,  B23K26/53 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68386

摘要： 本发明提供晶片的加工方法。包括：保护部件粘贴工序，在晶片的正面上粘贴保护部件；背面磨削工序，对晶片的背面进行磨削而形成规定的厚度；改质层形成工序，从晶片的背面侧使对晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在与分割预定线对应的内部并沿着分割预定线进行照射，在晶片的内部沿着分割预定线形成改质层；晶片支撑工序，在晶片的背面安装具有绝缘功能的加强片，并在加强片侧粘贴切割带，利用环状框架支撑该切割带的外周部；加强片加热工序，通过对晶片进行加热并对安装在晶片的背面的加强片进行加热来使加强片固化；以及分割工序，对晶片施加外力，将晶片分割成一个个器件，并将加强片沿着一个个器件进行破断。

公开(公告)号：CN106847786B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201611094799.0

申请日：2016-12-02

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： T·迈尔 ,  K·普雷塞尔 ,  M·沃伊诺夫斯基

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L23/495 ,  H01L21/768 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/49541 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/18 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/18162

摘要： 电子装置(710)包括半导体封装结构(770)，半导体封装结构(770)具有第一主表面区域(772)和第二主表面区域(774)并包括半导体芯片(712)和连接器块(600)，半导体芯片(712)包括位于第二主表面区域(774)内的至少一个芯片垫(714)，连接器块(600)包括至少一个第一导电贯通连接部(602)和至少一个第二导电贯通连接部(604)，至少一个第一导电贯通连接部(602)和至少一个第二导电贯通连接部(604)以不同的横截面积(A1，A2)在第一主表面区域(772)与第二主表面区域(774)之间延伸并与半导体芯片(712)并排布置。

公开(公告)号：CN107623089B

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201710910923.4

申请日：2017-09-29

申请人： 武汉华星光电半导体显示技术有限公司

发明人： 陶强

IPC分类号： H01L51/56 ,  H01L51/00 ,  H01L21/78 ,  G09F9/30

CPC分类号： G09F9/30 ,  H01L21/78 ,  H01L51/00 ,  H01L51/50 ,  H01L51/56

摘要： 本发明提供了一种柔性OLED显示器的分离方法，其包括步骤：利用真空吸附台真空吸附经激光剥离后的OLED显示组件，OLED显示组件包括被真空吸附台真空吸附的硬质基板以及形成于硬质基板上的柔性OLED显示器；使弹性网板面向柔性OLED显示器，弹性网板包括板本体以及设置于板本体内的至少两个滚轮；滚轮朝向柔性OLED显示器移动，以带动第一表面的部分向柔性OLED显示器移动并与柔性OLED显示器接触；滚轮彼此背向移动并保持对柔性OLED显示器的压力，以使柔性OLED显示器与硬质基板分离；板本体朝向柔性OLED显示器移动，以使第一表面真空吸附柔性OLED显示器；真空吸附台沿着远离柔性OLED显示器的方向移动。本发明的分离方法在节拍时间、良率以及保护柔性OLED显示器等方面具有良好的效果。

公开(公告)号：CN105404091B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201510816439.6

申请日：2011-10-08

申请人： 甘万达

发明人： 甘万达

IPC分类号： G03F1/50 ,  H01L21/02 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L25/50 ,  G03F1/50 ,  G03F7/0035 ,  H01L21/263 ,  H01L21/283 ,  H01L21/304 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/78 ,  H01L22/26 ,  H01L22/32 ,  H01L23/544 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L24/89 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/3701 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明公开了一种半导体多项目或多产品MP晶片制造工艺。半导体多项目或多产品MP晶片制造工艺包括对多个MP晶片进行第一制造工艺步骤；将MP晶片分批为MP晶片群组‑1和MP晶片群组‑2；对MP晶片群组‑1进行第二制造工艺步骤‑1，且对MP晶片群组‑2进行第二制造工艺步骤‑2，分别于MP晶片群组‑1和MP晶片群组‑2形成大体上不同的半导体装置或制造工艺组件，且第二制造工艺步骤‑1和第二制造工艺步骤‑2属于相同的制造工艺世代。对MP晶片群组‑1进行第三制造工艺步骤‑3，对MP晶片群组‑2进行第三制造工艺步骤‑4，分别于MP晶片群组‑1和MP晶片群组‑2上形成大体上相同的半导体装置或制造工艺组件。本发明具有较低的原型产品一次性工程费用。

公开(公告)号：CN104701197B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201410539418.X

申请日：2014-09-16

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： R·D·莫叶丝 ,  萨德哈玛·C·沙斯特瑞

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L24/94 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/78 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/11019 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/11

摘要： 本发明涉及半导体器件的制造方法及其结构。在一个实施例中，导体凸块形成在半导体器件的凸块下导体上，从凸块下导体的表面延伸第一距离，包括在导体凸块外表面上形成保护层，其中多个半导体管芯随后通过用刻蚀剂刻蚀贯通半导体衬底切单，以及其中保护层保护导体凸块不受刻蚀剂刻蚀。

公开(公告)号：CN106415817B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201580027800.5

申请日：2015-05-21

申请人： ams有限公司

发明人： 伯恩哈德·斯特林

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/13024

摘要： 半导体衬底(1)设置有集成电路。在衬底(1)中集成电路之间形成切割沟槽(7)，在集成电路上方施加跨越沟槽(7)的聚酰亚胺层(8)，在聚酰亚胺层(8)上方施加带层(14)，并且从与带层(14)相对的衬底侧(17)去除衬底(1)的层部分，直到沟槽(7)被打开并且因此实现衬底(1)的切割为止。当带层(14)被去除时，聚酰亚胺层(8)在沟槽(7)上方的部分(18)中被切断。半导体芯片设置有在沟槽(7)附近横向限制聚酰亚胺层(8)的覆盖层(11)，特别是用于形成断裂定界(9)。

公开(公告)号：CN107134438B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201710102855.9

申请日：2017-02-24

申请人： 商升特公司

发明人： S.金努萨米 ,  K.辛普森 ,  M.C.科斯特罗

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L24/94 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3185 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/96 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0331 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05561 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/03

摘要： 本发明涉及半导体器件和在半导体管芯周围形成绝缘层的方法。一种半导体器件具有半导体晶片，该半导体晶片包括在该半导体晶片的第一表面上方形成的多个接触焊盘和多个半导体管芯。部分地穿过半导体晶片的第一表面形成沟槽。将绝缘材料设置在半导体晶片的第一表面上方和到沟槽中。在接触焊盘上方形成导电层。该导电层可以被印刷成在相邻的接触焊盘之间的沟槽中的绝缘材料上方延伸。将半导体晶片的与半导体晶片的第一表面相对的一部分移除，到沟槽中的绝缘材料。在半导体晶片的第二表面和半导体晶片的侧表面上方形成绝缘层。穿过第一沟槽中的绝缘材料而单体化半导体晶片，以分离半导体管芯。

公开(公告)号：CN109686701A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201811610565.6

申请日：2018-12-27

申请人： 广东晶科电子股份有限公司

发明人： 刘桂良 ,  姜志荣 ,  陈健进 ,  江风强 ,  曾照明

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/304

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/3043

摘要： 本发明公开了一种可粒式分离的陶瓷基板，包括基板本体，所述基板本体上设置有电路单元，所述基板本体上围绕所述电路单元均设置有相互连通的上切割槽，所述上切割槽中设置有用金属导电材质制成的填充线路，所述基板本体上连通所述填充线路设置有用于连接供电设备的外接电极；所述基板本体的其中一侧面上设置有所述电路单元，所述基板本体的另一侧面上对应所述上切割槽设置有下切割槽。以及一种基于该种陶瓷基板的分离方法。本发明可以有效地保证陶瓷基板在生产过程中的板身强度，并且易于陶瓷基板的分离，并能确保陶瓷基板在粒式分离时的质量。

公开(公告)号：CN109545730A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811012913.X

申请日：2018-08-31

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李干实 ,  李升焕

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/54433 ,  H01L23/3107 ,  H01L31/1892 ,  H01L2221/68386

摘要： 公开了支撑基板、电子器件制造方法、半导体封装件及制造方法。所述支撑基板包括：主体；和多个第一突起，所述多个第一突起从所述主体的上表面纤细地突出。所述主体和所述第一突起包括相同的材料并且形成为整体结构。当在俯视图中观察时，所述第一突起在彼此相交的第一方向和第二方向上彼此间隔开。