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公开(公告)号：CN107689232A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710122872.9
申请日：2017-03-03
申请人： 株式会社东芝
摘要： 本发明提供能提高存储密度的磁存储装置及其制造方法。根据实施方式，磁存储装置包括含金属层、第1～第4磁性层、第1、第2中间层以及控制部。含金属层包括第1～第5部分。第1磁性层在与从第1部分向第2部分的第2方向交叉的第1方向上与第3部分分离。第2磁性层设置在第3部分的一部分与第1磁性层间。第1中间层设置在第1、第2磁性层间。第3磁性层在第1方向上与第4部分分离。第4磁性层设置在第4部分的一部分与第3磁性层间。第2中间层设置在第3、第4磁性层间。控制部与第1、第2部分连接。第3部分的与第1方向及第2方向交叉的第3方向的长度比第2磁性层的第3方向的长度长。第3部分的长度比第5部分的第3方向的长度长。
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公开(公告)号：CN107689417B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201710123328.6
申请日：2017-03-03
申请人： 株式会社东芝
摘要： 提供能够提高存储密度的磁存储装置及其制造方法。根据实施方式，磁存储装置包括含金属层、第1磁性层、第2磁性层以及第1中间层。所述含金属层包含金属元素。所述第2磁性层设置于所述含金属层的一部分与所述第1磁性层之间。所述第1中间层包括设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的部分。所述第1中间层朝向所述含金属层成为凸状。
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公开(公告)号：CN107689232B
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201710122872.9
申请日：2017-03-03
申请人： 株式会社东芝
摘要： 本发明提供能提高存储密度的磁存储装置及其制造方法。根据实施方式，磁存储装置包括含金属层、第1～第4磁性层、第1、第2中间层以及控制部。含金属层包括第1～第5部分。第1磁性层在与从第1部分向第2部分的第2方向交叉的第1方向上与第3部分分离。第2磁性层设置在第3部分的一部分与第1磁性层间。第1中间层设置在第1、第2磁性层间。第3磁性层在第1方向上与第4部分分离。第4磁性层设置在第4部分的一部分与第3磁性层间。第2中间层设置在第3、第4磁性层间。控制部与第1、第2部分连接。第3部分的与第1方向及第2方向交叉的第3方向的长度比第2磁性层的第3方向的长度长。第3部分的长度比第5部分的第3方向的长度长。
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公开(公告)号：CN107689417A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710123328.6
申请日：2017-03-03
申请人： 株式会社东芝
摘要： 提供能够提高存储密度的磁存储装置及其制造方法。根据实施方式，磁存储装置包括含金属层、第1磁性层、第2磁性层以及第1中间层。所述含金属层包含金属元素。所述第2磁性层设置于所述含金属层的一部分与所述第1磁性层之间。所述第1中间层包括设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的部分。所述第1中间层朝向所述含金属层成为凸状。
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