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公开(公告)号：CN118782105A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410182976.9
申请日：2024-02-19
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC分类号： G11B5/66
摘要： 提供能提高记录密度的磁记录介质及磁记录装置。根据实施方式，磁记录介质包括第1～第5磁性区域。所述第1磁性区域中的第1Pt原子浓度相对于所述第1磁性区域中的第1Co原子浓度的第1组成比高于所述第2磁性区域中的第2Pt原子浓度相对于所述第2磁性区域中的第2Co原子浓度的第2组成比。所述第3磁性区域中的第3Pt原子浓度相对于所述第3磁性区域中的第3Co原子浓度的第3组成比高于所述第2组成比，且高于所述第4磁性区域中的第4Pt原子浓度相对于所述第4磁性区域中的第4Co原子浓度的第4组成比。所述第5磁性区域中的第5Pt原子浓度相对于所述第5磁性区域中的第5Co原子浓度的第5组成比高于所述第4组成比。
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公开(公告)号：CN114387998B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202110838075.7
申请日：2021-07-23
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC分类号： G11B5/31
摘要： 提供能够评价磁头的特性的磁头的评价方法及磁头的评价装置。根据实施方式，磁头的评价方法包括取得在向包括第1磁极、第2磁极、磁元件及线圈的磁头的所述线圈供给了第1交流电流且向所述磁元件供给了第2电流时从所述磁元件得到的电信号。所述磁元件设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间，包括第1磁性层。所述评价方法包括基于所述电信号来检测以所述第1交流电流的极性反转的时刻为基准的所述磁元件的电阻的变化所需的时间。
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公开(公告)号：CN118173126A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202310946074.3
申请日：2023-07-31
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
摘要： 本公开提供能够提高记录密度的磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头和控制部。磁头包括第1磁极、第2磁极、设置于第1磁极与第2磁极之间的磁元件、与第1磁极电连接的第1端子、与第2磁极电连接的第2端子、以及线圈。控制部与第1端子、第2端子及线圈电连接。磁元件的一端与第1磁极电连接。磁元件的另一端与第2磁极电连接。控制部能够进行记录动作。控制部在记录动作中，在向第1端子与第2端子之间施加第1电压以上且第2电压以下的元件电压的同时向线圈供给记录电流。
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公开(公告)号：CN114121044B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202110213952.1
申请日：2021-02-26
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
摘要： 本公开提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极和设置于第1、第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1～第3磁性层和第1～第3非磁性层。第2磁性层包括第1磁性区域及第2磁性区域。第2磁性区域处于第2非磁性层与第1磁性区域之间。第1磁性区域包括第1元素，第1元素包括Fe、Co及Ni的至少1个。第2磁性区域包括第1元素和第2元素，第2元素包括从由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个。第1磁性区域不包括第2元素，或者，第1磁性区域中的第2元素的浓度比第2磁性区域中的第2元素的浓度低。
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公开(公告)号：CN116665718A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202210958794.7
申请日：2022-08-10
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
摘要： 本发明提供能提高记录密度的磁头和磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极、层叠体和第1～第3端子。层叠体设置于第1磁极与第2磁极之间。层叠体包括第1～第4磁性层和第1～第5非磁性层。第1端子与第1磁极电连接。第2端子与第2磁极电连接。第3端子与第3非磁性层电连接。
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公开(公告)号：CN115410603A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210078110.4
申请日：2022-01-24
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
摘要： 提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极和设置于第1、第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第1磁性层与第2磁极之间的第2磁性层、设置于第1磁性层与第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第2磁极之间的第2非磁性层及设置于第1磁极与第1磁性层之间的第3非磁性层。第1磁性层包含包括Fe、Co及Ni的至少1个的第1元素。第2磁性层包含(Fe100‑xCox)100‑yEy(10atm％≤x≤50atm％，10atm％≤y≤90atm％)。第2元素E包括选自由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群的至少1个。第1磁性层不包含第2元素，或者，第1磁性层中的第2元素的浓度比第2磁性层中的第2元素的浓度低。
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公开(公告)号：CN114974316A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110859082.5
申请日：2021-07-28
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
摘要： 提供能提高记录密度的磁头以及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极以及设置在第1磁极与第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置在第2磁极与第1磁性层之间的第2磁性层、设置在第2磁极与第2磁性层之间的第3磁性层、设置在第1磁性层与第1磁极之间的第1非磁性层、设置在第2磁性层与第1磁性层之间的第2非磁性层、设置在第3磁性层与第2磁性层之间的第3非磁性层以及设置在第2磁极与第3磁性层之间的第4非磁性层。沿着从第1磁极朝向第2磁极的第1方向的第1磁性层的第1厚度比沿着第1方向的第2磁性层的第2厚度厚。沿着第1方向的第3磁性层的第3厚度比第2厚度厚。
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公开(公告)号：CN112466340B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202010168901.7
申请日：2020-03-12
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
摘要： 提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括磁极、第1屏蔽件、设置于所述磁极与所述第1屏蔽件之间的第1磁性层、设置于所述第1磁性层与所述第1屏蔽件之间的第2磁性层和设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的非磁性的中间层。所述磁极与所述第1磁性层之间的沿着从所述第1磁性层向所述第2磁性层的第1方向的第1距离，为所述磁极与所述第1屏蔽件之间的沿着所述第1方向的第2距离的1％以上且10％以下。
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公开(公告)号：CN113889152B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202110214042.5
申请日：2021-02-26
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
摘要： 提供能提高记录密度的磁头及磁记录装置。磁头包括第1磁极、第2磁极及设置于第1磁极与第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第1磁性层与第2磁极之间的第2磁性层、设置于第2磁性层与第2磁极之间的第3磁性层、设置于第1磁性层与第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第3磁性层之间的第2非磁性层及设置于第1磁极与第1磁性层之间的第3非磁性层。沿第2方向的第1磁极的第1磁极长度比沿第2方向的第2磁极的第2磁极长度短，第2方向相对于从第1磁性层向第2磁性层的第1方向垂直且沿第1磁极的介质对置面。沿第3方向的第1磁性层的长度比沿第3方向的第2磁性层的长度长，第3方向相对于第1方向垂直。
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