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发明公开
陶瓷电路基板、半导体装置、陶瓷电路基板的制造方法以及半导体装置的制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN118402060A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202380015201.6

申请日：2023-04-07

申请人： 株式会社东芝 , 东芝高新材料公司

发明人： 上野俊英

IPC分类号： H01L23/13 , H01L23/12 , H01L23/36 , H05K1/02

摘要： 实施方式涉及的陶瓷电路基板具备陶瓷基板、金属电路和金属部件。所述金属电路设置在所述陶瓷基板的一个面上。所述金属电路的厚度为1mm以上。所述金属部件设置在所述陶瓷基板的另一个面上。所述金属部件的厚度为1mm以上。所述金属电路的合计体积Vf与所述金属部件的合计体积Vb之比即Vf/Vb为0.80以上且1.20以下。