公开(公告)号：CN116134004B

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202180059558.5

申请日：2021-07-19

申请人： 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

发明人： 末永诚一 ,  米津麻纪 ,  藤泽幸子

IPC分类号： C04B37/02 ,  H05K3/38 ,  H05K1/03 ,  H01L23/36 ,  H01L23/13 ,  H01L23/12

摘要： 实施方式涉及的接合体的特征在于：其具备陶瓷基板、铜板、和配置在所述陶瓷基板的至少一面上的用于接合所述陶瓷基板和所述铜板的接合层，所述接合层含有Cu、Ti和选自Sn及In中的1种或两种的第1元素，所述接合层包含Ti的质量MTi相对于所述第1元素的质量ME1之比(MTi/ME1)为0.5以上的富Ti区和所述比(MTi/ME1)为0.1以下的贫Ti区。

公开(公告)号：CN116457321B

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202180072058.5

申请日：2021-10-20

申请人： 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

发明人： 米津麻纪 ,  末永诚一 ,  藤泽幸子 ,  佐野孝

IPC分类号： C04B37/02 ,  H05K1/03

摘要： 实施方式涉及的接合体具备陶瓷基板、铜板和接合层。上述接合层配置在上述陶瓷基板的至少一个面上，且接合上述陶瓷基板和上述铜板。上述接合层含有Ag及Ti。上述铜板包含第一区域、第二区域及第三区域。上述第一区域在厚度方向与上述接合层分离。上述第二区域设在上述接合层与上述第一区域之间，且具有比上述第一区域高的Ag浓度。上述第三区域设在上述接合层与上述第二区域之间，且具有比上述第二区域低的Ag浓度。

公开(公告)号：CN118402060A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202380015201.6

申请日：2023-04-07

申请人： 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

发明人： 上野俊英

IPC分类号： H01L23/13 ,  H01L23/12 ,  H01L23/36 ,  H05K1/02

摘要： 实施方式涉及的陶瓷电路基板具备陶瓷基板、金属电路和金属部件。所述金属电路设置在所述陶瓷基板的一个面上。所述金属电路的厚度为1mm以上。所述金属部件设置在所述陶瓷基板的另一个面上。所述金属部件的厚度为1mm以上。所述金属电路的合计体积Vf与所述金属部件的合计体积Vb之比即Vf/Vb为0.80以上且1.20以下。

公开(公告)号：CN118302369A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202280075235.X

申请日：2022-11-18

申请人： 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

发明人： 山田胜彦 ,  酒井亮 ,  佐野翔哉 ,  山口晴彦 ,  山田晃裕 ,  佐藤光

IPC分类号： B65D85/00 ,  B65D1/36 ,  B65D85/58 ,  C04B35/00 ,  F16C33/32 ,  F16C33/34

摘要： 陶瓷球收纳托盘具有收纳陶瓷球的收纳部。该陶瓷球收纳托盘的收纳部具有收纳部的底面部的中央为中空而形成的凸部。此外，凸部的外周面的高度相对于陶瓷球的直径为0.05以上且0.30以下的范围内。收纳部的高度相对于陶瓷球的直径优选为1.05以上且2.00以下的范围内。此外，凸部的内周面的高度相对于陶瓷球的直径优选为0.01以上且0.10以下的范围内。

公开(公告)号：CN118098990A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410240737.4

申请日：2018-03-15

申请人： 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

发明人： 那波隆之 ,  矢野圭一 ,  加藤宽正

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/13 ,  H01L23/14 ,  H05K3/30 ,  H05K3/00

摘要： 本发明提供一种陶瓷金属电路基板的制造方法，其特征在于，其是在陶瓷基板的至少一个面上接合有多个金属电路板的陶瓷金属电路基板，其中，面积为100mm2以上的金属电路板中的至少1个在表面的1～70％的范围内具有深度为0.02mm以上的凹部，上述凹部形成于上述金属电路板的距离端部为3mm以上内侧。另外，设置有凹部的面积优选为一个金属电路板表面的3～70％。

公开(公告)号：CN117998732A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202410253704.3

申请日：2019-08-05

申请人： 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

发明人： 青木克之 ,  深泽孝幸 ,  门马旬 ,  岩井健太郎

IPC分类号： H05K1/03 ,  C04B35/584 ,  H01L23/13

摘要： 本发明提供一种氮化硅基板，其特征在于，其是由具有氮化硅晶粒和晶界相的氮化硅烧结体制成的氮化硅基板，其中，氮化硅基板的板厚为0.4mm以下，在氮化硅烧结体的任意的截面或表面中，在单位面积10μm×10μm中存在的氮化硅晶粒中在晶粒内具有位错缺陷部的粒子的比例以个数比例计为0％～20％。在制成电路基板时能够提高耐蚀刻性。

公开(公告)号：CN117913034A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202410073781.0

申请日：2021-05-17

申请人： 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

发明人： 米津麻纪 ,  末永诚一 ,  藤泽幸子 ,  佐野孝

IPC分类号： H01L23/13 ,  H01L23/15 ,  H01L23/498 ,  H05K1/03 ,  B23K35/30 ,  C04B37/02

摘要： 实施方式的接合体具备：陶瓷基板、铜板、以及配置于上述陶瓷基板的至少一面且将上述陶瓷基板与上述铜板接合的接合层。上述接合层含有钛。上述接合层具有第一区域、和位于上述第一区域与上述铜板之间的第二区域，上述第一区域包含以钛作为主成分的层，上述层形成于上述接合层的与上述陶瓷基板的界面。通过EDX测定上述第一区域及上述第二区域各自的测定区域的200μm×厚度的范围中的Ti浓度时，上述接合体的上述第一区域的钛浓度M1at％与上述第二区域的钛浓度M2at％之比M1/M2为0.1～5。

公开(公告)号：CN117881761A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202280058372.2

申请日：2022-08-26

申请人： 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

发明人： 河本崇博 ,  田口成那 ,  碓井大地 ,  平松亮介 ,  近藤弘康

IPC分类号： C09K5/02 ,  C09K5/14

摘要： 实施方式的蓄冷材料粒子用造粒粒子包含：含有选自由Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu构成的组中的至少一种稀土类元素的稀土类氧硫化物、或者含有上述至少一种稀土类元素的稀土类氧化物；和浓度为0.001重量％以上且50重量％以下的碳，相对密度为10％以上且50％以下。

公开(公告)号：CN114326240B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202111105444.8

申请日：2021-09-22

申请人： 东芝高新材料公司 ,  林天连布株式会社

发明人： 福士大辅 ,  斋藤秀一 ,  福井理晃

IPC分类号： G02F1/1524

摘要： 根据实施方式，可提供一种具备含有氧化钨材料的电致变色层的电致变色元件。氧化钨材料含有平均粒径为100nm以下的含钾氧化钨粒子。含钾氧化钨粒子在1mol％以上且50mol％以下的范围内含有钾，且包含中心部和与该中心部邻接的周围部。在中心部与周围部之间，晶体的周期性不同。

公开(公告)号：CN117321020A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202280035521.3

申请日：2022-05-17

申请人： 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

发明人： 加藤宽正 ,  星野政则 ,  平林英明 ,  末永诚一 ,  森本一光

IPC分类号： C04B37/02

摘要： 实施方式的接合体的制造方法的特征在于，其是使用连续炉将包含金属构件、陶瓷构件和设置于它们之间的钎料层的层叠体一边搬送一边处理的接合体的制造方法，具备以下工序：在不活泼气氛中以从200℃至接合温度为止的上述层叠体的平均升温速度15℃/分钟以上对上述层叠体进行加热的工序；在不活泼气氛中以600℃以上且950℃以下的范围内的上述接合温度将上述层叠体接合的工序；和以上述层叠体的平均降温速度15℃/分钟以上将上述层叠体从上述接合温度冷却至200℃为止的工序。此外，陶瓷基板优选为氮化硅基板。