公开(公告)号：CN1591576A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410057977.3

申请日：2004-08-27

申请人： 株式会社东芝 ,  昭和电工株式会社

发明人： 园田幸司 ,  加藤顺也 ,  福岛正人 ,  松村有希久

IPC分类号： G11B5/00

CPC分类号： G11B5/64

摘要： 使磁性取向沿圆周方向的纹理处理，应用到基底(50)上，以便把磁性各向异性，沿圆周方向赋予磁盘。底层膜、磁记录膜(60)、保护膜(62)、和润滑膜(64)，一层一层地层叠在基底表面。根据表面粗糙度承载曲线中的接触比是50％的高度，磁盘表面接触比[BH 1.0nm]在高度不小于1.0nm区域内的值，落在7％到15％的范围内。

公开(公告)号：CN1296889C

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200410057977.3

申请日：2004-08-27

申请人： 株式会社东芝 ,  昭和电工株式会社

发明人： 园田幸司 ,  加藤顺也 ,  福岛正人 ,  松村有希久

IPC分类号： G11B5/00

CPC分类号： G11B5/64

摘要： 使磁性取向沿圆周方向的纹理处理，应用到基底(50)上，以便把磁性各向异性，沿圆周方向赋予磁盘。底层膜、磁记录膜(60)、保护膜(62)、和润滑膜(64)，一层一层地层叠在基底表面。根据表面粗糙度承载曲线中的接触比是50%的高度，磁盘表面接触比(BH 1.0nm)在高度不小于1.0nm区域内的值，落在7%到15%的范围内。

公开(公告)号：CN103137144B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201210490621.3

申请日：2012-11-27

申请人： 昭和电工株式会社

发明人： 幸松孝治 ,  松村有希久 ,  末冈义人 ,  岸本纯一

IPC分类号： G11B5/84 ,  G11B5/73

CPC分类号： G11B23/0028 ,  G01B7/28 ,  G01B11/30 ,  G06F15/00 ,  G11B5/7315 ,  G11B5/8404 ,  G11B23/0021 ,  Y10T428/2424 ,  Y10T428/24355

摘要： 本发明提供表面平滑性优异的磁记录介质用基板、磁记录介质、磁记录介质用基板的制造方法及表面检查方法。是具有中心孔的圆盘状的磁记录介质用基板，其主面的表面粗糙度以周向的起伏空间周期(L)为10~1000μm的范围的均方根粗糙度(Rq)计为以下，并且对于表面粗糙度进行光谱分析，在以其空间周期(L)为横轴[μm]、以其功率谱密度(PSD)为纵轴(k为常数)的双对数图上示出的曲线S上，在将连接空间周期(L)为10μm的点A和空间周期(L)为1000μm的点B的线段Z的纵轴方向的分量设为H、且将曲线S的纵轴方向的分量相对于该线段Z变为最大时的位移设为ΔH时，用ΔH/H×100[%]表示的值(P)为15%以下。

公开(公告)号：CN1973322A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200580020548.1

申请日：2005-06-20

申请人： 昭和电工株式会社

发明人： 松村有希久 ,  会田克昭

IPC分类号： G11B5/73 ,  G11B5/84

摘要： 本发明是由B2O3－Al2O3－SiO2－Li2O型非晶玻璃制成的磁记录介质基底，其中在所述基底的外周侧或内周侧处的端面和所述基底的主平面之间形成倒角，并且在所述内或外周侧端面的表面区域和所述倒角的表面区域处的钠和钾的含量大于所述磁记录介质基底的钠和钾的平均含量。利用本发明，可以防止由于在由包括锂的非晶玻璃制成的磁记录介质基底中锂离子的移动而在磁性膜、保护膜等上产生凸起。

公开(公告)号：CN103137144A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210490621.3

申请日：2012-11-27

申请人： 昭和电工株式会社

发明人： 幸松孝治 ,  松村有希久 ,  末冈义人 ,  岸本纯一

IPC分类号： G11B5/84 ,  G11B5/73

CPC分类号： G11B23/0028 ,  G01B7/28 ,  G01B11/30 ,  G06F15/00 ,  G11B5/7315 ,  G11B5/8404 ,  G11B23/0021 ,  Y10T428/2424 ,  Y10T428/24355

摘要： 本发明提供表面平滑性优异的磁记录介质用基板、磁记录介质、磁记录介质用基板的制造方法及表面检查方法。是具有中心孔的圆盘状的磁记录介质用基板，其主面的表面粗糙度以周向的起伏空间周期(L)为10~1000μm的范围的均方根粗糙度(Rq)计为以下，并且对于表面粗糙度进行光谱分析，在以其空间周期(L)为横轴[μm]、以其功率谱密度(PSD)为纵轴(k为常数)的双对数图上示出的曲线S上，在将连接空间周期(L)为10μm的点A和空间周期(L)为1000μm的点B的线段Z的纵轴方向的分量设为H、且将曲线S的纵轴方向的分量相对于该线段Z变为最大时的位移设为ΔH时，用ΔH/H×100[%]表示的值(P)为15%以下。

公开(公告)号：CN100508034C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200580020548.1

申请日：2005-06-20

申请人： 昭和电工株式会社

发明人： 松村有希久 ,  会田克昭

IPC分类号： G11B5/73 ,  G11B5/84

摘要： 本发明是由B2O3-Al2O3-SiO2-Li2O型非晶玻璃制成的磁记录介质基底，其中在所述基底的外周侧或内周侧处的端面和所述基底的主平面之间形成倒角，并且在所述内或外周侧端面的表面区域和所述倒角的表面区域处的钠和钾的含量大于所述磁记录介质基底的钠和钾的平均含量。利用本发明，可以防止由于在由包括锂的非晶玻璃制成的磁记录介质基底中锂离子的移动而在磁性膜、保护膜等上产生凸起。