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公开(公告)号：CN101331542A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200680046929.1
申请日：2006-11-29
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明涉及一种磁盘基底，其中通过使用用于通用盘的干涉仪在5.0mm的测量波长下测得的在表面上的波纹的振幅Wa在0.1nm至0.5nm的范围内，通过使用用于三维表面结构分析的显微镜方法在30μm至200μm的测量波长下测得的在波纹上产生的微波纹的平均振幅Wb为0.3nm以下，并且通过将微波纹的平均振幅Wb除以波纹的振幅Wa计算得到的值为0.6以上。
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公开(公告)号：CN101010401A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200580028933.0
申请日：2005-08-29
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: B24B37/04 , C03C17/36 , C03C17/3634 , C03C17/3639 , C03C19/00 , C03C2218/152 , C03C2218/154 , C09K3/1463 , G11B5/8404
Abstract: 本发明提供了一种就待抛光表面的缺陷和光滑度而言具有优异效果的低成本抛光浆料。该抛光浆料包含氧化硅磨料和氧化铈磨料，其中基于全部抛光浆料，氧化硅磨料含量低于3质量％，氧化铈磨料含量低于1质量％。此外，本发明提供了一种用于信息记录介质的结晶玻璃基材的制造方法，其中该方法使用本发明的浆料。此外，本发明提供了一种信息记录介质的制造方法，包括在通过本方法制得的用于信息记录介质的结晶玻璃基材上形成记录层。
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公开(公告)号：CN101010168A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200580029021.5
申请日：2005-08-26
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: B24B37/042 , C03C19/00 , G11B5/8404
Abstract: 为了减小磁盘上的磁头漂浮高度，本发明提供一种磁盘基底的制造方法，能够有效地抛光玻璃基底，直到该玻璃基底的平坦度(TIR值)为5微米或更小。本发明涉及一种通过使用研磨盘片研磨的方法来抛光玻璃基底的磁盘基底制造方法，其特征在于，盘片精度被设定到180微米或更小，并且抛光一直进行到所述玻璃基底的平坦度(TIR值)变为5微米或更小为止。通过在这种磁盘基底上形成磁记录层来获得磁盘。
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公开(公告)号：CN101005924A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200580028158.9
申请日：2005-08-26
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: B24B37/042 , G11B5/8404
Abstract: 当使用抛光载体抛光玻璃基底时，本发明提供：一种制造磁盘基底的方法，无论抛光载体的形状、材料和硬度如何，都可应用该方法，并且该方法能够防止在玻璃基底的外端面上出现划痕；一种通过这种方法获得的磁盘玻璃基底，其具有卓越的特性；一种制造磁盘的方法，其特征在于，在这种磁盘玻璃基底上形成磁记录层；以及一种磁盘。当玻璃基底的玻璃包含碱金属时，本发明能够防止出现突起，所述突起可以由钠离子和锂离子在磁性膜、保护膜等上移动引起。当玻璃基底由抛光载体保持并被抛光时，使用抛光载体进行抛光，该抛光载体的内表面能够与玻璃基底的外端面接触并且涂敷有树脂。
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公开(公告)号：CN1993736A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200580026818.X
申请日：2005-08-04
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 会田克昭
Abstract: 本发明提供了一种用于磁记录介质的硅基底，即使其为易碎材料制成的硅基底，也不易于在基底边缘面上产生碎片或者在基底上产生裂缝，并且防止从基底边缘面上产生的碎屑，以及防止由于摩擦加工盒而产生的碎屑。因此，在用于磁记录介质的硅基底中，在基底的主表面与边缘面之间提供了倒角部分，该边缘面与基底的倒角部分具有镜面光洁度，并且半径大于或等于0.01mm且小于0.3mm的曲表面介于基底主表面与倒角部分之间。在形成该曲表面过程中，制备具有叠置的多个硅基底与间隔物的硅基底叠层，并且刷子抛光该基底中心孔的内圆周和该基底的外圆周。
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公开(公告)号：CN100562927C
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200580028742.4
申请日：2005-08-26
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C03C17/28 , C03C19/00 , C03C23/0075 , G11B5/8404
Abstract: 本发明可以提供能够减少玻璃基材表面缺陷数的磁盘基材的制造方法。当使用所得磁盘基材制造磁盘时，产率以及可靠性可以得到改善。在磁盘基材表面抛光后对其进行洗涤时，在经抛光的玻璃基材表面保持润湿状态的同时，将玻璃基材浸到洗涤溶液中。玻璃基材表面的润湿状态包括浸入可以包含表面活性剂的水中的状态和其中液膜形成在几乎整个表面上的状态。
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公开(公告)号：CN100506482C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200580027648.7
申请日：2005-08-16
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 会田克昭
Abstract: 一种用于磁记录介质的硅基底的制造方法具有以下步骤：形成通过其间的隔离物层叠的许多硅基底的层叠体，其中各硅基底具有在所述基底的中心处的圆孔；将所述硅基底的所述层叠体浸入其中颗粒悬浮的抛光液中；以及抛光所述硅基底的所述圆孔的内周端面，其中在抛光时，抛光刷接触所述端面，同时在所述端面与所述抛光刷之间进行相对旋转，以及在抛光期间倒转所述硅基底的所述层叠体。所述抛光所述内周端面的步骤可以在对所述硅基底的内和外周进行倒棱之后进行。优选地，所述抛光刷由聚酰胺树脂制成。
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公开(公告)号：CN101068655A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200580027648.7
申请日：2005-08-16
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 会田克昭
Abstract: 一种用于磁记录介质的硅基底的制造方法具有以下步骤：形成通过其间的隔离物层叠的许多硅基底的层叠体，其中各硅基底具有在所述基底的中心处的圆孔；将所述硅基底的所述层叠体浸入其中颗粒悬浮的抛光液中；以及抛光所述硅基底的所述圆孔的内周端面，其中在抛光时，抛光刷接触所述端面，同时在所述端面与所述抛光刷之间进行相对旋转，以及在抛光期间倒转所述硅基底的所述层叠体。所述抛光所述内周端面的步骤可以在对所述硅基底的内和外周进行倒棱之后进行。优选地，所述抛光刷由聚酰胺树脂制成。
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公开(公告)号：CN101010735A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200580028742.4
申请日：2005-08-26
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C03C17/28 , C03C19/00 , C03C23/0075 , G11B5/8404
Abstract: 本发明可以提供能够减少玻璃基材表面缺陷数的磁盘基材的制造方法。当使用所得磁盘基材制造磁盘时，产率以及可靠性可以得到改善。在磁盘基材表面抛光后对其进行洗涤时，在经抛光的玻璃基材表面保持润湿状态的同时，将玻璃基材浸到洗涤溶液中。玻璃基材表面的润湿状态包括浸入可以包含表面活性剂的水中的状态和其中液膜形成在几乎整个表面上的状态。
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公开(公告)号：CN1993735A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200580026726.1
申请日：2005-08-11
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 会田克昭
CPC classification number: G11B5/7315 , G11B5/8404
Abstract: 在用于磁记录介质的硅基底中，在所述基底的主表面与端面之间的周部分处设置半径为0.01mm至0.05mm的曲面。所述曲面可以设置在所述基底的外周或内周。优选地，所述端面和所述主表面的表面粗糙度的最大高度分别小于等于1μm和小于等于10nm。一种制造硅基底的方法包括以下步骤：在所述硅基底的中心处形成圆孔；将所述基底浸入其中颗粒悬浮的抛光液中；以及分别抛光所述基底的外和内周端面。在抛光各端面时，抛光刷接触所述端面，同时在所述端面与所述抛光刷之间进行相对旋转。
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