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公开(公告)号：CN1957400A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200580009137.2
申请日：2005-03-24
CPC classification number: G11B5/66 , B82Y25/00 , G11B5/667 , H01F10/08 , H01F10/3222
Abstract: 本发明的磁记录介质具有基底、垂直磁记录层、以及在所述基底与所述垂直磁记录层之间形成的软磁层，所述软磁层具有小于100nm的厚度、在表面方向上的磁各向异性，以及不小于79T·A/m(10kG·Oe)的饱和磁通密度Bs和矫顽力Hc的乘积Bs·Hc。通过使软磁层的厚度在上述范围内，可稳定在表面方向上的磁各向异性。通过使Bs·Hc在上述范围内，可充分增加静磁能量。因此，可抑制在软磁层中磁壁的产生，可抑制由软磁层产生的噪声，并实现高密度记录。
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公开(公告)号：CN1725304A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200510081819.6
申请日：2005-06-30
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/1278 , G11B5/656 , G11B2005/0005
Abstract: 一种包含垂直双层介质和磁头的垂直磁记录装置，其中垂直双层介质包括基底(1)、包含软磁性层(3a)、中间层(4)和另一个软磁性层(3b)的软垫层(2)、以及垂直记录层(5)，其中两个软磁性层(3a，3b)彼此反铁磁性耦合；磁头包括主磁极(51)、旁轭(52)、以及激励线圈(53)。当低频信号通过所述的磁头记录到所述的垂直记录层(5)的时候，包含在所述软垫层(2)中的两个所述的软磁性层(3a，3b)之间的反铁磁性耦合力Hex_afc与在联络测线方向上的MWW最大值一半处的整个宽度之间的关系满足下列公式：Hex_afc＞1.6*ln((0.23－MWW)2*100))+25.6。
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公开(公告)号：CN100414610C
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200580009137.2
申请日：2005-03-24
CPC classification number: G11B5/66 , B82Y25/00 , G11B5/667 , H01F10/08 , H01F10/3222
Abstract: 本发明的磁记录介质具有基底、垂直磁记录层、以及在所述基底与所述垂直磁记录层之间形成的软磁层，所述软磁层具有小于100nm的厚度、在表面方向上的磁各向异性，以及不小于79T·A/m(10kG·Oe)的饱和磁通密度Bs和矫顽力Hc的乘积Bs·Hc。通过使软磁层的厚度在上述范围内，可稳定在表面方向上的磁各向异性。通过使Bs·Hc在上述范围内，可充分增加静磁能量。因此，可抑制在软磁层中磁壁的产生，可抑制由软磁层产生的噪声，并实现高密度记录。
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公开(公告)号：CN100341050C
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200510081819.6
申请日：2005-06-30
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/1278 , G11B5/656 , G11B2005/0005
Abstract: 一种包含垂直双层介质和磁头的垂直磁记录装置，其中垂直双层介质包括基底(1)、包含软磁性层(3a)、中间层(4)和另一个软磁性层(3b)的软垫层(2)、以及垂直记录层(5)，其中两个软磁性层(3a，3b)彼此反铁磁性耦合；磁头包括主磁极(51)、旁轭(52)、以及激励线圈(53)。当低频信号通过所述的磁头记录到所述的垂直记录层(5)的时候，包含在所述软垫层(2)中的两个所述的软磁性层(3a，3b)之间的反铁磁性耦合力Hex_afc与在跨磁轨方向上的MWW最大值一半处的整个宽度之间的关系满足下列公式：Hex_afc＞1.6*ln((0.23-MWW)2*100))+25.6。
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公开(公告)号：CN1841513A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610065475.4
申请日：2006-03-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/1278 , G11B5/6005 , G11B5/656 , G11B2005/0029
Abstract: 根据一个实施例，提供了一种垂直磁盘装置，包括：垂直磁记录介质(2)，其包括表面粗糙度(Ra)小于等于0.35nm的非磁性基底(21)、软下层(22)、垂直取向(Δθ50)小于等于4°的非磁性中间层(23)、以及由具有垂直各向异性的磁性材料制成的垂直记录层(24)；以及磁头(3)，其包括写入头(4)和磁阻读取头(5)，所述写入头(4)具有主磁极(41)、返回磁轭(43)以及励磁线圈(42)，其特征在于，所述磁头(3)的浮动高度(f)和所述垂直磁记录介质(2)的平均表面粗糙度(Ra)满足以下关系：f＞0.61Ra2－3.7Ra+5.9。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1627371A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN200410095893.9
申请日：2004-11-26
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 青柳由果
CPC classification number: G11B5/82 , G11B5/012 , G11B5/1278 , G11B2005/0008 , G11B2005/001 , G11B2005/0016 , G11B2005/0029
Abstract: 一种垂直记录磁盘设备，该设备包括：包含钉扎层(12)、软衬层(13)和垂直记录层(14)的垂直双层介质(10)，以及包含主磁极(31)、回行轭铁(32)与励磁线圈(33)的写磁头。在该设备中，磁化可恢复磁场Hexf大于写磁头(30)施加到钉扎层(12)的磁场，通过所述磁化可恢复磁场，钉扎层(12)和软衬层(13)可确保磁化恢复率为1。
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公开(公告)号：CN100385509C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200410095893.9
申请日：2004-11-26
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 青柳由果
CPC classification number: G11B5/82 , G11B5/012 , G11B5/1278 , G11B2005/0008 , G11B2005/001 , G11B2005/0016 , G11B2005/0029
Abstract: 一种垂直记录磁盘设备，该设备包括：包含钉扎层(12)、软衬层(13)和垂直记录层(14)的垂直双层介质(10)，以及包含主磁极(31)、回行轭铁(32)与励磁线圈(33)的写磁头。在该设备中，磁化可恢复磁场Hexf大于写磁头(30)施加到钉扎层(12)的磁场，通过所述磁化可恢复磁场，钉扎层(12)和软衬层(13)可确保磁化恢复率为1。
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公开(公告)号：CN1251179C
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN03160225.8
申请日：2003-09-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/012 , G11B5/1278 , G11B5/3116 , G11B2005/001 , G11B2005/0013 , G11B2005/0029
Abstract: 本发明披露了一种磁头(1)，其包括主磁极(10)和返回磁轭(11)。所述磁头(1)即使在磁盘(2)的软磁层饱和时也能抑制在返回磁轭(11)的边沿发生的侧写。所述磁头(1)还包括被用作写磁头的单极型磁头。
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公开(公告)号：CN1410971A
公开(公告)日：2003-04-16
申请号：CN02131837.9
申请日：2002-09-06
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B5/012 , G11B5/02 , G11B5/09 , G11B2005/0016 , G11B2005/0029
Abstract: 在此公开一种垂直磁性记录方法的盘驱动器包括由GMR元件所构成的读取头(30)和使用双层盘介质的驱动器。在GMR元件的磁场响应特性中，使用非线性度和在微分信号的50％阈值处的脉冲宽度(PW50)之间的关系。GMR元件的非线性度被调节，使得PW50比最大值更小。该读取通道(71)包括一个微分电路，用于把来自GMR元件的读取信号输出转换为微分读取信号。
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公开(公告)号：CN104810029A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201410228973.0
申请日：2014-05-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/56
CPC classification number: G11B5/6076 , G11B5/607
Abstract: 根据实施方式，提供在盘存储装置中检测头的下触的方法。所述盘存储装置具备构成为在盘上浮起的头。所述头具备写入元件、读取元件、头盘干涉传感器即H D I传感器以及加热器元件。所述H D I传感器构成为检测在所述头和所述盘之间作用的热干涉。所述加热器元件构成为通过根据向该加热器元件供给的加热器功率来使所述头热变形而使所述头向所述盘的表面的方向突出。所述方法向所述加热器元件供给交流的加热器功率。所述方法使所述加热器功率阶段地增加。所述方法还检测与所述增加的加热器功率对应的所述HDI传感器的输出信号的相位，并基于所述检测的相位的变化来检测所述下触。
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