公开(公告)号：CN102449099A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201080024213.8

申请日：2010-05-27

申请人： 株式会社东进世美肯

发明人： 朴钟大 ,  任真爀 ,  崔正民 ,  孔铉九 ,  金宰贤 ,  朴惠贞

IPC分类号： C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02

摘要： 本发明提供一种包含未离子化热活性纳米催化剂的、对金属层的化学机械平坦化工序有用的研磨浆料组合物以及利用其的研磨方法。所述化学机械研磨浆料组合物包含通过化学机械研磨工序中所产生的能量而释放电子与空穴的未离子化热活性纳米催化剂、研磨剂、以及氧化剂。所述未离子化热活性纳米催化剂与研磨剂彼此不相同，所述未离子化热活性纳米催化剂优选为在水溶液状态下在10-100℃的温度释放电子与空穴的半导体物质，特别优选使用从CrSi、MnSi、CoSi、硅铁(FeSi)以及其混合物所组成的群组中选择的过渡金属硅化物(transition metal silicide)，更优选使用纳米硅铁(nano ferrosilicon)此类的半导体物质。此未离子化热活性纳米催化剂的含量相对于全部浆料组合物为0.00001-0.1wt％。

公开(公告)号：CN102449099B

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201080024213.8

申请日：2010-05-27

申请人： 株式会社东进世美肯

发明人： 朴钟大 ,  任真爀 ,  崔正民 ,  孔铉九 ,  金宰贤 ,  朴惠贞

IPC分类号： C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02

摘要： 本发明提供一种包含未离子化热活性纳米催化剂的、对金属层的化学机械平坦化工序有用的研磨浆料组合物以及利用其的研磨方法。所述化学机械研磨浆料组合物包含通过化学机械研磨工序中所产生的能量而释放电子与空穴的未离子化热活性纳米催化剂、研磨剂、以及氧化剂。所述未离子化热活性纳米催化剂与研磨剂彼此不相同，所述未离子化热活性纳米催化剂优选为在水溶液状态下在10-100℃的温度释放电子与空穴的半导体物质，特别优选使用从CrSi、MnSi、CoSi、硅铁(FeSi)以及其混合物所组成的群组中选择的过渡金属硅化物(transition？metal？silicide)，更优选使用纳米硅铁(nano？ferrosilicon)此类的半导体物质。此未离子化热活性纳米催化剂的含量相对于全部浆料组合物为0.00001-0.1wt％。

公开(公告)号：CN1872900A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610083480.8

申请日：2006-05-30

申请人： 株式会社东进世美肯

发明人： 朴钟大 ,  孔铉九 ,  李凤祥 ,  孙祯炫

IPC分类号： C08J5/14

摘要： 公开了化学机械抛光(CMP)浆液组合物。该化学机械抛光浆液(CMP)组合物包括：二氧化铈研磨剂；重均分子量为50,000－500,000的聚羧酸或其盐；醇化合物和水。优选地，相对于总的浆液组合物，该二氧化铈研磨剂的量为0.1－20％重量比，该聚羧酸或其盐的量为0.01－20％重量比，该醇化合物的量为0.001－10％重量比，且该浆液组合物具有5－10的pH值。该CMP浆液组合物用于STI(浅槽隔离)方法的CMP过程以形成多层结构，增强抛光均匀性，并抑制晶片的凹陷和侵蚀。

公开(公告)号：CN1872900B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200610083480.8

申请日：2006-05-30

申请人： 株式会社东进世美肯

发明人： 朴钟大 ,  孔铉九 ,  李凤祥 ,  孙祯炫

IPC分类号： C08J5/14

摘要： 公开了化学机械抛光(CMP)浆液组合物。该化学机械抛光浆液(CMP)组合物包括：二氧化铈研磨剂；重均分子量为50,000-500,000的聚羧酸或其盐；醇化合物和水。优选地，相对于总的浆液组合物，该二氧化铈研磨剂的量为0.1-20％重量比，该聚羧酸或其盐的量为0.01-20％重量比，该醇化合物的量为0.001-10％重量比，且该浆液组合物具有5-10的pH值。该CMP浆液组合物用于STI(浅槽隔离)方法的CMP过程以形成多层结构，增强抛光均匀性，并抑制晶片的凹陷和侵蚀。