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公开(公告)号:CN118265322A
公开(公告)日:2024-06-28
申请号:CN202311800164.8
申请日:2023-12-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K50/115 , H10K50/85
Abstract: 提供一种高效率且可靠性良好的发光器件。该发光器件包括第一电极与第二电极之间的有机化合物层,有机化合物层包括第一EL层、第二EL层及中间层,在第一EL层与第二EL层之间包括中间层,中间层包括包含第一有机化合物及第二有机化合物的混合层,第一有机化合物具有酸离解常数pKa为8以上的强碱性,第二有机化合物具有电子传输性,第一有机化合物的LUMO能级比第二有机化合物的LUMO能级高,第一有机化合物的HOMO能级比第二有机化合物的HOMO能级高,包含第一有机化合物及第二有机化合物的混合膜的PL光谱的峰波长在室温下为比第一有机化合物的单膜的PL光谱的峰波长及第二有机化合物的单膜的PL光谱的峰波长更长波长。
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公开(公告)号:CN106279196B
公开(公告)日:2021-06-29
申请号:CN201610472256.1
申请日:2016-06-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D493/04 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 提供一种新颖杂环化合物。尤其是,提供一种可以提高发光元件的元件特性的新颖杂环化合物。一种以下述通式(G1)表示的杂环化合物,其中取代或未取代的二苯并[f,h]喹喔啉基与取代或未取代的苯并双苯并呋喃基通过取代或未取代的亚芳基键合。在通式中,DBq表示取代或未取代的二苯并[f,h]喹喔啉基,Ar1表示取代或未取代的碳原子数为6至13的亚芳基,n表示0或1,Ar2表示取代或未取代的碳原子数为6至13的亚芳基,A表示取代或未取代的苯并双苯并呋喃基。当以Ar1及Ar2表示的亚芳基具有取代基时,取代基也可以互相键合而形成环。
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公开(公告)号:CN107068913B
公开(公告)日:2019-04-30
申请号:CN201710084375.4
申请日:2013-07-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/54 , H01L51/50 , C07D209/86
Abstract: 提供一种具有长使用寿命的发光元件。提供一种在高亮度区域中呈现高发光效率的发光元件。提供一种在一对电极之间包括发光层的发光元件。该发光层包含第一有机化合物、第二有机化合物以及磷光化合物。该第一有机化合物由通式(G0)表示。该第一有机化合物的分子量为大于或等于500且小于或等于2000。该第二有机化合物是具有电子传输性的化合物。在通式(G0)中,Ar1及Ar2分别独立地表示芴基、螺芴基或联苯基,并且Ar3表示包括咔唑骨架的取代基。
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公开(公告)号:CN109196679A
公开(公告)日:2019-01-11
申请号:CN201680070596.X
申请日:2016-11-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/50
Abstract: 提供一种包含荧光材料的发光元件中的发光效率高的发光元件。提供一种发光成分中源于TTA的延迟荧光成分的比率高的发光元件。提供一种发光效率高且功耗低的新颖的发光装置。一种发光元件包括:阳极、阴极以及EL层。EL层包括含有主体材料的发光层以及与发光层接触的含有第一材料的电子传输层。第一材料的LUMO能级比主体材料的LUMO能级低。源于TTA的延迟荧光成分的比率比EL层发射的光的10%以上。源于TTA的延迟荧光成分的比率比发光的15%以上。
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公开(公告)号:CN106229417B
公开(公告)日:2018-10-26
申请号:CN201610630954.X
申请日:2012-04-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供一种新的利用磷光发光的发光装置。另外,本发明提供一种利用磷光发光的电子设备及照明装置。本发明的一个方式是一种包含磷光有机金属铱配合物的发光装置,该磷光有机金属铱配合物包含铱及在4位具有芳基的嘧啶或在2位具有芳基的1,3,5‑三嗪。嘧啶或1,3,5‑三嗪中的氮的一个配位到铱。此外,嘧啶和1,3,5‑三嗪的每一个具有烷基或芳基等取代基。另外,与嘧啶的4位或1,3,5‑三嗪的2位结合的芳基的邻位与铱结合。
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公开(公告)号:CN108321303A
公开(公告)日:2018-07-24
申请号:CN201810330773.4
申请日:2013-08-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供一种能够通过将发光元件的发光层中的单重激发态(S1)的生成几率设定为理论值(25%)以上而提高发光效率的发光元件。在发光元件的发光层中,由第一有机化合物和第二有机化合物形成激基复合物(exciplex),与形成激基复合物之前的各物质(第一有机化合物及第二有机化合物)相比,形成的激基复合物的S1能级和T1能级非常接近。由此,激基复合物的T1中的能量的一部分易于迁移到S1。因此,特征在于,得到高于理论上的生成几率(25%)的生成几率,而可以提高利用来自S1的能量的发光元件的发光效率。
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公开(公告)号:CN103450279B
公开(公告)日:2018-06-12
申请号:CN201310210348.9
申请日:2013-05-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0071 , C07F15/0033 , C07F15/0086 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , C09K2211/1088 , C09K2211/185 , H01L27/3206 , H01L51/0085 , H01L51/5016 , H01L51/5028 , H01L51/5265 , H01L51/5278 , H01L2251/308
Abstract: 本发明提供一种以新的有机金属配合物为发光中心的发光元件。另外,本发明提供一种该有机金属配合物。此外,本发明提供一种使用该发光元件的发光装置、电子设备及照明装置。本发明的一个方式是一种以苯并呋喃并嘧啶衍生物配位至金属的有机金属配合物为发光中心的发光元件。尤其是,本发明的一个方式是一种以在4位具有芳基的苯并呋喃并嘧啶衍生物配位至金属的有机金属配合物为发光中心的发光元件。另外,本发明的一个方式是一种以在4位具有芳基的苯并呋喃并嘧啶衍生物的3位氮配位至金属且芳基与金属键合的有机金属配合物为发光中心的发光元件。
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公开(公告)号:CN103374043B
公开(公告)日:2018-01-02
申请号:CN201310138179.2
申请日:2013-04-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0085 , C07F15/0033 , C09K11/06 , C09K2211/185 , H01L51/0067 , H01L51/5016 , H05B33/14
Abstract: 作为具有新骨架的新颖物质,提供一种在从蓝绿色至红色的波长区域中能够呈现磷光发光且发光效率高的新颖磷光有机金属铱配合物。一种具有包含吡啶嘧啶骨架的配体的磷光有机金属铱配合物,并且具有包含以下述通式(G0)表示的结构的配体的磷光有机金属铱配合物。(但是,在通式中,R1及R4至R6分别独立地表示氢或碳数为1至6的烷基,R2及R3分别独立地表示氢、碳数为1至6的烷基、也可以具有取代基的苯基、或也可以具有取代基的吡啶基。)
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公开(公告)号:CN107039593A
公开(公告)日:2017-08-11
申请号:CN201710030727.8
申请日:2013-04-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种驱动电压低且发光效率高的发光元件。该发光元件在一对电极之间包括空穴传输层以及在空穴传输层上的发光层。该发光层包括具有电子传输性的第一有机化合物、具有空穴传输性的第二有机化合物以及将三重激发态能转换成发光的发光性第三有机化合物。第一有机化合物和第二有机化合物的组合形成激基复合物。空穴传输层使用两种或更多种有机化合物形成并至少具有第二有机化合物。
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公开(公告)号:CN105473577A
公开(公告)日:2016-04-06
申请号:CN201480047990.2
申请日:2014-08-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D405/10 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/0071 , C07D405/10 , C09K11/06 , C09K2211/145 , H01L51/0052 , H01L51/0059 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/0085 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5072
Abstract: 一种可用作使发光物质分散的主体材料的新颖的杂环化合物。一种使用寿命长的发光元件。一种杂环化合物,其中取代或未取代的二苯并[f,h]喹喔啉基键合到取代或未取代的碳原子数为6至25的亚芳基,该亚芳基键合到取代或未取代的苯并[b]萘并[1,2-d]呋喃骨架的8至11位中的任一位置。
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