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发明公开
显示装置的制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN116848948A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202180090753.4

申请日：2021-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 , 冈崎健一 , 柳泽悠一 , 后藤尚人 , 真城瞬

IPC: H05B33/10

Abstract: 提供一种高清晰的显示装置的制造方法。提供一种兼具高显示品质和高清晰度的显示装置。本发明的一个方式是一种包括如下步骤的显示装置的制造方法：在第一像素电极及第二像素电极上形成第一EL膜及第一牺牲膜，蚀刻第一牺牲膜来形成第一牺牲层，蚀刻第一EL膜来形成第一EL层的同时使第二像素电极露出，形成第二EL膜及第二牺牲膜，蚀刻第二牺牲膜来形成第二牺牲层，蚀刻第二EL膜来形成第二EL层，形成覆盖第一牺牲层、第一EL层、第二牺牲层及第二EL层的绝缘膜，蚀刻绝缘膜来形成具有与第一EL层的侧面接触的区域及与第二EL层的侧面接触的区域的绝缘层。

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