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发明公开
基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质审中-实审

公开(公告)号：CN118692944A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410187218.6

申请日：2024-02-20

申请人： 株式会社国际电气

发明人： 西田圭吾 , 林孝徳 , 石坂光范

IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/02 , C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/44

摘要： 本发明提供基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质，在向进行基板处理的处理室内供给处理气体时，提高使处理室内的处理气体的分压上升至所期望的压力的速度。具备：内侧容器，其收容基板；外侧容器，其包围内侧容器的侧壁；内侧排气口，其设在内侧容器的侧壁的与内侧容器中的基板的配置区域相对的位置；外侧排气口，其设在外侧容器的在内侧容器的侧壁的周向上与内侧排气口不同的位置；第1处理气体供给系统，其向内侧容器内供给第1处理气体；和非活性气体供给系统，其从设在周向上的内侧排气口与外侧排气口之间的位置处的气体供给口向内侧容器与外侧容器之间供给非活性气体。