抗蚀剂除去用组合物
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108303862B

    公开(公告)日:2023-08-08

    申请号:CN201810018876.7

    申请日:2018-01-09

    Inventor: 坂西裕一

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种抗蚀剂除去用组合物,其在使用光致抗蚀剂来制造在对基板实施蚀刻处理而形成元件、电路等时使用的掩模的工序中,可以有效地除去附着于基板的边缘部分、背面的光致抗蚀剂。为此,本发明的抗蚀剂除去用组合物为包含表面活性剂和溶剂的组合物,其中,作为上述表面活性剂,至少含有下述成分(A)。成分(A):以下述式(a)表示的聚甘油衍生物。RaO‑(C3H5O2Ra)n‑Ra(a)[式中,n表示上述重复单元的个数,为2~60的整数。Ra相同或不同,表示氢原子、碳原子数1~18的烃基、或碳原子数2~24的酰基。并且,在(n+2)个Ra中,至少2个为碳原子数1~18的烃基和/或碳原子数2~24的酰基]。

    半导体晶片表面保护剂
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111500196B

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN201911218723.8

    申请日:2019-12-03

    Inventor: 坂西裕一

    Abstract: 本发明提供抑制由碱性化合物腐蚀半导体晶片表面腐蚀、从而使半导体晶片低缺陷化的表面保护剂。本发明的半导体晶片表面保护剂包含下述式(1)表示的化合物:R1O‑(C3H6O2)n‑H(1),式中,R1表示氢原子、任选具有羟基的碳原子数1~24的烃基、或R2CO表示的基团,上述R2表示碳原子数1~24的烃基,n表示括号内示出的甘油单元的平均聚合度,为2~60。

    抗蚀剂亲水化处理剂
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108415226B

    公开(公告)日:2023-06-16

    申请号:CN201810128003.1

    申请日:2018-02-08

    Inventor: 坂西裕一

    Abstract: 本发明提供一种抗蚀剂亲水化处理剂,其能够在抑制抗蚀剂涂膜的劣化的同时,将抗蚀剂涂膜的表面迅速且稳定地亲水化。为此,本发明的抗蚀剂亲水化处理剂至少含有下述成分(A)和成分(B)。成分(A):以下述式(a)表示的聚甘油或其衍生物RaO‑(C3H6O2)n‑H(a)(式中,Ra表示氢原子、任选具有羟基的碳原子数1~18的烃基、或碳原子数2~24的酰基。n表示括号内所示的甘油单元的平均聚合度,为2~60的整数);成分(B):水。

    半导体布线研磨用组合物

    公开(公告)号:CN112714787A

    公开(公告)日:2021-04-27

    申请号:CN202080005198.6

    申请日:2020-03-18

    Inventor: 坂西裕一

    Abstract: 本发明提供一种研磨速度优异、并且可抑制凹陷的产生的半导体布线研磨用组合物。本发明的半导体布线研磨用组合物含有下述式(1)表示的化合物:R1O‑(C3H6O2)n‑H(1)(式中,R1表示氢原子、任选具有羟基的碳原子数1~24的烃基、或R2CO表示的基团,上述R2表示碳原子数1~24的烃基,n表示括号内示出的甘油单元的平均聚合度,为2~60)。

    发油
    5.
    发明授权
    发油 有权

    公开(公告)号:CN106456481B

    公开(公告)日:2020-11-27

    申请号:CN201580023531.5

    申请日:2015-05-08

    Inventor: 坂西裕一

    Abstract: 本发明提供拿在手里时不易滴落、延展性优异的发油。本发明的发油为包含包括增稠剂(A)和油剂(B)的油组合物的发油,其包含占油组合物总量的0.5~30.0重量%的下述式(1)表示的化合物作为增稠剂(A)、与占油组合物总量的70.0~99.5重量%的油剂(B),R1‑(CONH‑R2)n(1)(式中,R1为从苯、二苯甲酮、联苯、萘、环己烷、或丁烷的结构式中除去n个氢原子的基团,R2为碳原子数4以上的脂肪族烃基。n表示3以上的整数。n个R2可以相同,也可以不同)。

    清洗剂组合物和化学机械研磨用组合物

    公开(公告)号:CN115516073A

    公开(公告)日:2022-12-23

    申请号:CN202180034358.4

    申请日:2021-04-21

    Inventor: 坂西裕一

    Abstract: 本发明提供清洗剂组合物和研磨用组合物,所述清洗剂组合物在半导体基板的清洗中,能充分去除研磨剂、金属微粒以及防蚀剂,并能长期维持清洗后的金属布线表面的平坦性,长期的品质稳定性优异,所述研磨用组合物能抑制半导体基板等被研磨物的划痕(划伤),并且能减少过滤器堵塞。一种清洗剂组合物和化学机械研磨用组合物,所述清洗剂组合物含有通式(1)所示的烷醇羟基胺化合物,pH为10~13,所述化学机械研磨用组合物含有所述清洗剂组合物和研磨剂。(式(1)中,Ra1和Ra2相同或不同,表示氢原子或具有1~3个羟基的碳原子数1~10的烷基。其中,Ra1和Ra2不同时为氢原子,Ra1和Ra2所具有的羟基的合计不为0。)

    半导体晶片表面的亲水化处理液
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112740371A

    公开(公告)日:2021-04-30

    申请号:CN202080005194.8

    申请日:2020-03-18

    Inventor: 坂西裕一

    Abstract: 本发明提供能够为半导体晶片表面赋予亲水性的半导体晶片表面的亲水化处理液。本发明的半导体晶片表面的亲水化处理液含有水及下述式(1)表示的化合物,水及下述式(1)表示的化合物的总含有比例为95重量%以上,R1O‑(C3H6O2)n‑H(1)(式中,R1表示氢原子、任选具有羟基的碳原子数1~24的烃基、或R2CO表示的基团,上述R2表示碳原子数1~24的烃基,n表示括号内示出的甘油单元的平均聚合度,为2~60)。

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