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公开(公告)号：CN1595200A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410077119.5
申请日：2004-09-10
Applicant: 株式会社岛津制作所
CPC classification number: H01L27/14678 , H01L27/14658
Abstract: 本发明的放射线检测器具有位于放射线感应半导体的前表面上放射线检测有效区域外侧位置的电绝缘缓冲器座。用于施加偏置电压的公共电极覆盖缓冲器座。用于提供偏置电压的导线与该公共电极表面上位于缓冲器座上的导线连接区域连接。缓冲器座减小当导线与公共电极连接时产生的冲击。这样，就可以保护半导体和中间层免受损坏，从而避免性能降低。该缓冲器座位于放射线检测有效区域以外。因此，该缓冲器座不会削弱放射线检测功能。
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公开(公告)号：CN101390213B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200680053379.6
申请日：2006-02-23
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: H01L27/14
CPC classification number: H01L31/115 , G01T1/244 , H01L27/14618 , H01L27/14676 , H01L31/02002 , H01L31/0203 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种放射线检测器，其中位于共用电极向引线的连接部分上的部位在不到放射线检测有效区域的范围内比半导体的其他部位以凹状凹陷形成，以掩埋该位于连接部分上的部位的方式配设绝缘性的台座，共用电极至少覆盖上述的台座的一部分形成，引线与共用电极的入射面中位于台座的部位连接形成，所以能够避免因共用电极连接引线而引起的性能低下，并且能够避免热变形应力或放射线衰减问题。
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公开(公告)号：CN101546780A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910133897.4
申请日：2004-09-24
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 新电元感应装置株式会社 , 新电元工业株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14676
Abstract: 根据本发明的辐射检测器具有用于偏置电压施加的公共电极，形成在对辐射敏感的无定形硒半导体膜(a－Se半导体膜)的表面上。公共电极是具有100到1,000厚度的金薄膜。可以在相对较低的气相沉积温度，在较短的气相沉积时间内，在a－Se半导体膜的表面上形成充当公共电极的金薄膜。该特征抑制了由于公共电极的形成而在a－Se半导体膜中产生缺陷。用于公共电极的金薄膜没有现有技术中的厚，而是1,000或更薄。利用减小的厚度，公共电极具有对a－Se半导体膜改进的粘结性能。
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公开(公告)号：CN102369458A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201080014680.2
申请日：2010-03-26
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01T1/24 , H01L27/14 , H01L31/0248 , H01L31/09
CPC classification number: H01L27/14676 , G01T1/244 , H01L31/085
Abstract: 本发明提供一种放射线检测器以及具备该放射线检测器的放射线摄影装置，本发明的结构依次层叠有有源矩阵基板(4)、非晶硒层(1)、高电阻层(3)、金电极层(2)、绝缘层(5)以及辅助板(6)。以提供不使辅助板(6)蓄积电荷来防止在非晶半导体层上形成空隙和在具有载流子选择性的高电阻膜(3)上形成针孔的放射线检测器为目的，在实施例1中，在绝缘层(5)中添加无机阴离子交换体。无机阴离子交换体吸附绝缘层(5)中的氯化物离子，因此能够防止氯化物离子被吸引到金电极层(2)而引起X射线检测器(10)被破坏。
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公开(公告)号：CN1284976C
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200410031997.3
申请日：2004-03-31
Applicant: 株式会社岛津制作所
CPC classification number: G01T1/244 , H01L27/14609 , H01L27/14618 , H01L27/14676 , H01L2924/0002 , H04N5/32 , H01L2924/00
Abstract: 一种放射线图像拾取设备，与匣表面罩部件对应的部分是使用不导电材料而形成的。构造是使用绝缘物质、绝缘板构件和绝缘堰构件而塑模的，以覆盖活性矩阵衬底上的整个放射线敏感半导体和电压施加电极。从匣的外框至电压施加电极的边缘的区域由屏蔽构件来屏蔽，以从绝缘板构件上方覆盖除电压施加电极正上方的部件以外的其他任何区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102144175B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN200880131016.9
申请日：2008-09-10
Applicant: 株式会社岛津制作所
CPC classification number: G01T1/244 , H01L27/14618 , H01L27/14676 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种放射线检测器，对于覆盖在放射线感应型半导体层、载流子选择性高电阻膜、共用电极的露出面上的固化性合成树脂膜，在制作该固化性合成树脂膜的工序中使用不混入氯的材料。由此，就会防止载流子选择性高电阻膜和半导体层因氯离子而形成针孔和孔洞。此外，在共用电极的露出面与固化性合成树脂膜之间，配备不使离子性物质透过的保护膜，也可以防止载流子选择性高电阻膜被固化性合成树脂膜中所含的氯离子腐蚀，防止半导体层中暗电流的增加。
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公开(公告)号：CN1318860C
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200410077119.5
申请日：2004-09-10
Applicant: 株式会社岛津制作所
CPC classification number: H01L27/14678 , H01L27/14658
Abstract: 本发明的放射线检测器具有位于放射线感应半导体的前表面上放射线检测有效区域外侧位置的电绝缘缓冲器座。用于施加偏置电压的公共电极覆盖缓冲器座。用于提供偏置电压的导线与该公共电极表面上位于缓冲器座上的导线连接区域连接。缓冲器座减小当导线与公共电极连接时产生的冲击。这样，就可以保护半导体和中间层免受损坏，从而避免性能降低。该缓冲器座位于放射线检测有效区域以外。因此，该缓冲器座不会削弱放射线检测功能。
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公开(公告)号：CN1601760A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN200410011867.3
申请日：2004-09-24
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 山梨电子工业株式会社 , 新电元工业株式会社
CPC classification number: H01L27/14676
Abstract: 根据本发明的辐射检测器具有用于偏置电压施加的公共电极，形成在对辐射敏感的无定形硒半导体膜(a－Se半导体膜)的表面上。公共电极是具有100到1,000厚度的金薄膜。可以在相对较低的气相沉积温度，在较短的气相沉积时间内，在a－Se半导体膜的表面上形成充当公共电极的金薄膜。该特征抑制了由于公共电极的形成而在a－Se半导体膜中产生缺陷。用于公共电极的金薄膜没有现有技术中的厚，而是1,000或更薄。利用减小的厚度，公共电极具有对a－Se半导体膜改进的粘结性能。
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公开(公告)号：CN102144175A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200880131016.9
申请日：2008-09-10
Applicant: 株式会社岛津制作所
CPC classification number: G01T1/244 , H01L27/14618 , H01L27/14676 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种放射线检测器，对于覆盖在放射线感应型半导体层、载流子选择性高电阻膜、共用电极的露出面上的固化性合成树脂膜，在制作该固化性合成树脂膜的工序中使用不混入氯的材料。由此，就会防止载流子选择性高电阻膜和半导体层因氯离子而形成针孔和孔洞。此外，在共用电极的露出面与固化性合成树脂膜之间，配备不使离子性物质透过的保护膜，也可以防止载流子选择性高电阻膜被固化性合成树脂膜中所含的氯离子腐蚀，防止半导体层中暗电流的增加。
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公开(公告)号：CN101390213A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200680053379.6
申请日：2006-02-23
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: H01L27/14
CPC classification number: H01L31/115 , G01T1/244 , H01L27/14618 , H01L27/14676 , H01L31/02002 , H01L31/0203 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种放射线检测器，其中位于共用电极向引线的连接部分上的部位在不到放射线检测有效区域的范围内比半导体的其他部位以凹状凹陷形成，以掩埋该位于连接部分上的部位的方式配设绝缘性的台座，共用电极至少覆盖上述的台座的一部分形成，引线与共用电极的入射面中位于台座的部位连接形成，所以能够避免因共用电极连接引线而引起的性能低下，并且能够避免热变形应力或放射线衰减问题。
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