公开(公告)号：CN118742996A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202380022672.X

申请日：2023-02-07

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 保坂俊辅 ,  德永贵史 ,  山下义晶

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/24 ,  C11D7/26 ,  C11D7/50

Abstract: 提供一种包含异丙醇的半导体清洗液，其中，叔丁醇相对异丙醇的质量比为1ppm以下。另外，提供一种半导体清洗液的制造方法，其包括第一蒸馏工序，其中，将作为杂质包含叔丁醇的粗异丙醇水溶液供给至第一蒸馏塔的原料供给段，从前述第一蒸馏塔的塔顶抽出第一馏出液并且从前述第一蒸馏塔的塔底抽出第一塔釜残液，前述第一馏出液包含沸点比异丙醇低的低沸点杂质，在前述第一蒸馏工序中，以从前述第一蒸馏塔的原料供给段起至塔顶为止的段之中的、以理论塔板数计为3段以上的段中的液相中的水的含有率成为15质量％以上的方式，从前述第一蒸馏塔的外部向前述第一蒸馏塔的与原料供给段相比以理论塔板计靠上2段以上的规定的段供给含有水的流体。

公开(公告)号：CN115335966B

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202180022829.X

申请日：2021-03-30

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 品川正志 ,  德永贵史 ,  三嶋祐 ,  保坂俊辅

IPC: H01L21/304 ,  B01D3/36 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供半导体处理液及其制造方法，所述半导体处理液为包含高纯度异丙醇的半导体处理液，在SUS304制容器内于50℃、氮气氛下保管了60天时的下述式(1)表示的氧杂环戊烷化合物的浓度以相对于异丙醇而言的质量基准计为25ppb以下。式中，R1及R2各自独立地表示氢原子或碳原子数为1～3的烷基，R1及R2的碳原子数合计为3以下。R3表示氢原子或异丙基。

公开(公告)号：CN115335966A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202180022829.X

申请日：2021-03-30

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 品川正志 ,  德永贵史 ,  三嶋祐 ,  保坂俊辅

IPC: H01L21/304 ,  B01D3/36 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供半导体处理液及其制造方法，所述半导体处理液为包含高纯度异丙醇的半导体处理液，在SUS304制容器内于50℃、氮气氛下保管了60天时的下述式(1)表示的氧杂环戊烷化合物的浓度以相对于异丙醇而言的质量基准计为25ppb以下。式中，R1及R2各自独立地表示氢原子或碳原子数为1～3的烷基，R1及R2的碳原子数合计为3以下。R3表示氢原子或异丙基。