公开(公告)号：CN115066392A

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202180012442.6

申请日：2021-02-04

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 田头宜典 ,  山下义晶 ,  滨元正人

IPC: C01B21/072

Abstract: [课题]本发明提供一种氮化铝粉末，其作为制造氮化铝烧结体、尤其是通过加压成型来进行制造时的原料是有用的，所述氮化铝烧结体是作为绝缘性高导热构件是优异的。[解决方案]一种氮化铝粉末，其特征在于，其是由球形度为0.8以上的颗粒形成的，所述氮化铝粉末的通过激光衍射法得到的中值粒径D50为0.5～1.5μm，相当于累积筛下分布90％的粒径D90与前述D50的比率D90/D50为2.2以下，BET比表面积为2～4m2/g，总氧浓度为0.6～1.2质量％。

公开(公告)号：CN109414670A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201880002605.0

申请日：2018-01-16

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 阪上恭之 ,  间岛卓也 ,  山下义晶

IPC: B01J8/34 ,  C01B33/107

Abstract: 本发明提供能够促进气体与固体的反应的新型内部构件、具备该内部构件的流化床型反应装置、以及使用该流化床型反应装置的三氯硅烷的制造方法。本发明所涉及的内部构件是用于设置在流化床型反应装置内的内部构件，上述内部构件具备阻力体，该阻力体具有上表面呈锥状的形状。

公开(公告)号：CN118742996A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202380022672.X

申请日：2023-02-07

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 保坂俊辅 ,  德永贵史 ,  山下义晶

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/24 ,  C11D7/26 ,  C11D7/50

Abstract: 提供一种包含异丙醇的半导体清洗液，其中，叔丁醇相对异丙醇的质量比为1ppm以下。另外，提供一种半导体清洗液的制造方法，其包括第一蒸馏工序，其中，将作为杂质包含叔丁醇的粗异丙醇水溶液供给至第一蒸馏塔的原料供给段，从前述第一蒸馏塔的塔顶抽出第一馏出液并且从前述第一蒸馏塔的塔底抽出第一塔釜残液，前述第一馏出液包含沸点比异丙醇低的低沸点杂质，在前述第一蒸馏工序中，以从前述第一蒸馏塔的原料供给段起至塔顶为止的段之中的、以理论塔板数计为3段以上的段中的液相中的水的含有率成为15质量％以上的方式，从前述第一蒸馏塔的外部向前述第一蒸馏塔的与原料供给段相比以理论塔板计靠上2段以上的规定的段供给含有水的流体。

公开(公告)号：CN112752746B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN201980062734.3

申请日：2019-09-26

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 橘昇二 ,  东野诚司 ,  石津澄人 ,  山下义晶

IPC: C07C209/84 ,  B01D3/10 ,  C07C209/86 ,  C07C211/63 ,  G03F7/32 ,  G03F7/42

Abstract: 一种半导体制造用处理液组合物，其特征在于，其包含氢氧化季铵和溶解该氢氧化季铵的第一有机溶剂，第一有机溶剂为具有多个羟基的水溶性有机溶剂，组合物中的水分含量以组合物总量基准计为1.0质量％以下，组合物中的Na、Mg、Al、K、Ca、Ti、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu、和Zn的含量以组合物总量基准计分别为100质量ppb以下，组合物中的Cl的含量以组合物总量基准计为100质量ppb以下。

公开(公告)号：CN112752746A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201980062734.3

申请日：2019-09-26

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 橘昇二 ,  东野诚司 ,  石津澄人 ,  山下义晶

IPC: C07C209/84 ,  B01D3/10 ,  C07C209/86 ,  C07C211/63 ,  G03F7/32 ,  G03F7/42

Abstract: 一种半导体制造用处理液组合物，其特征在于，其包含氢氧化季铵和溶解该氢氧化季铵的第一有机溶剂，第一有机溶剂为具有多个羟基的水溶性有机溶剂，组合物中的水分含量以组合物总量基准计为1.0质量％以下，组合物中的Na、Mg、Al、K、Ca、Ti、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu、和Zn的含量以组合物总量基准计分别为100质量ppb以下，组合物中的Cl的含量以组合物总量基准计为100质量ppb以下。