公开(公告)号：CN115443258B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202180027631.0

申请日：2021-04-09

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 河合秀昭 ,  若松智

IPC: C04B35/584 ,  C01B21/068 ,  C04B35/587

Abstract: 提供一种烧结用氮化硅粉末，其虽然为微粉但经时的氧浓度的增加量极小、保存稳定性优异。一种烧结用氮化硅粉末，其特征在于，其比表面积为5～30m2/g，疏水化度(M值)为30以上，在湿度90％、20℃的空气中放置48小时后氧浓度的增加量为0.3质量％以下，所述氮化硅粉末可以通过将氮化硅的聚集块在非活性气氛下、在硅烷偶联剂的存在下进行干式粉碎而得到。

公开(公告)号：CN115443258A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202180027631.0

申请日：2021-04-09

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 河合秀昭 ,  若松智

IPC: C04B35/584 ,  C01B21/068 ,  C04B35/587

Abstract: 提供一种烧结用氮化硅粉末，其虽然为微粉但经时的氧浓度的增加量极小、保存稳定性优异。一种烧结用氮化硅粉末，其特征在于，其比表面积为5～30m2/g，疏水化度(M值)为30以上，在湿度90％、20℃的空气中放置48小时后氧浓度的增加量为0.3质量％以下，所述氮化硅粉末可以通过将氮化硅的聚集块在非活性气氛下、在硅烷偶联剂的存在下进行干式粉碎而得到。

公开(公告)号：CN118401467A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202280082352.9

申请日：2022-12-16

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 河合秀昭 ,  石本龙二

IPC: C01B21/068

Abstract: 本发明提供一种氮化硅粉末，其特征在于，β化率为80％以上，晶体应变为1.0×10‑3以上。根据本发明，可以提供一种即使在1800℃左右的低温下烧结性也高的氮化硅粉末。

公开(公告)号：CN115702130A

公开(公告)日：2023-02-14

申请号：CN202180044279.1

申请日：2021-06-29

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 满村典平 ,  草野大 ,  河合秀昭

IPC: C04B35/587 ,  H01L23/15 ,  C01B21/068 ,  H05K1/03

Abstract: 提供一种氮化硅烧结基板，其在将氮化硅粉末烧结后未研磨的状态下，能够减少由形成于表面的氮化硅晶体形成的网格状构造引起的、作为脱模材料使用的氮化硼粉末等导致的污染、金属层等的层叠时的接合强度、绝缘耐性等问题的产生。一种氮化硅烧结基板，其是烧结后未研磨的状态的氮化硅基板，通过压汞法测定的细孔直径为1μm～10μm的细孔累积容积为7.0×10‑5mL/cm2以下，优选的是，其表面的Ra为0.6μm以下、峰顶点的算术平均曲率(Spc)的值为4.5[1/mm]以下。